美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及东京大学持有的数据传输专利，软银则以30亿日元注资成为最大股东（总投资约100亿日元）。该合作计划于2027年完成原型开发并评估量产可行性，目标是在2030年前实现商业化。Saimemory将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责这种分工模式有助于充分发挥
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英特尔 软银 HBM DRAM 三星 SK海力士
据韩媒SEDaily报道，三星半导体部门（即DS设备解决方案部）正对系统LSI业务的组织运作方式的调整计划进行最终审议，相关决定将在不久后公布。预计在由副董事长郑铉镐和DS部门负责人全永铉做出最终决定之前，还将进行更多高层讨论，并听取董事长李在镕的意见。系统LSI业务主要负责芯片设计，在三星半导体体系中承担着为移动业务（MX）部门开发Exynos手机SoC的核心任务。然而，近年来Exynos 2x00系列应用处理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手机中的采用率明显下降，不仅削弱了MX部门的利润空间，
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三星 HBM LSI DRAM 半导体 晶圆代工
根据 TrendForce 集邦咨询最新的内存现货价格趋势报告，DRAM 方面，DDR5 价格已显现放缓迹象，预计 25 年第三季度整体 DRAM 价格涨幅将有所缓和。至于 NAND 闪存，现货价格在 2 月下旬以来上涨后已达到相对较高的水平，购买势头现在正在降温。详情如下：DRAM 现货价格：与 DDR4 产品相比，DDR5 产品仍然会出现小幅现货价格上涨。然而，DDR5 产品的平均现货价格已经相当高，在某些情况下甚至高于合同价格。因此，上升趋势最近有所缓和。组件公司和现货交易员仍然更愿意接受 DDR4
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DDR5 DRAM
存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亚州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物（IGZO）变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示，它已经开发了一个晶体管、一个电容器 （1T1C） 和三个晶体管、零电容器 （3T0C） X-DRAM 单元，这些单元是可堆叠的。该公司表示，TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间，芯片容量高达 512Gbit。这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
在特朗普加征关税之前囤积数据推动的 DRAM 需求激增似乎是真实的。据韩国 Etnews 报道，三星一年多来首次提高了 DRAM 价格，其中 DDR4 的涨幅最大。该报告表明，三星在 5 月初与主要客户敲定了新的定价条款，已将 DDR4 价格提高了约 20%。与此同时，该报告补充说，DDR5 价格的涨幅较小，约为 5%。三星第二季度利润或将得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 价格是以数月为基础进行谈判的，因此最近的上涨预计将在一段时间内支持盈利能力，从而为三星第二
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三星 DRAM DDR4
全球存储器市场近期出现显著价格上涨，消费级存储器产品价格持续攀升。 根据最新市场动态，SK海力士消费级DRAM颗粒价格已上涨约12%，落实先前市场的涨价传言。美商威腾旗下品牌SanDisk则于先前发布NAND Flash价格上调通知，自4月1日起，对所有通路商及零售客户的产品实施价格调整，涨幅将超过10%。市场分析人士指出，存储器价格近期上涨主要受到全球供应链瓶颈、晶圆产能限制及美系客户急拉货的影响。特别是人工智能、云端运算及5G技术的快速发展，持续推动了对高性能内存的强劲需求，存储器国际大厂集中资源，生
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SK海力士 DRAM
据最新消息，三星电子已制定明确的技术路线图，计划在第7代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后引入VCT垂直通道晶体管技术。相关产品预计将在未来2到3年内问世。在规划下一代DRAM工艺时，三星电子曾面临两种选择：1e nm工艺和VCT DRAM技术。经过深入研究和对比，三星最终选择了VCT DRAM技术。相较于1e nm，VCT技术在性能和效率方面表现更优。为加快研发进度，三星电子还将原1e nm的先行研究团队并入1d nm研发团队，集中力量推进1d nm工艺的开发。VCT DRAM技术是一种新型存储
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三星电子 VCT DRAM
高性能人工智能（AI）数据中心正在以前所未有的方式重塑半导体设计版图和投资方向。早在2022年，AI基础设施方面的支出规模就已接近150亿美元。而今年这一数字可能轻松突破600亿美元大关。没错，“吸金”，各种资金正从各种投资计划中向数据中心涌入。显然，我们正处在一个人工智能资本支出空前高涨的时代——尽管DeepSeek等新入局者的潜在影响尚难以被准确估量。但不可否认的是，就在英伟达（Nvidia）、AMD等公司的高性能计算（HPC）处理器成为行业焦点的同时，用于存储训练和推理模型的高带宽内存同样迎来了属于
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数据中心 DRAM
4月9日消息，根据Counterpoint Research的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM营收市占率达到36%，而三星电子紧随其后，市占率为34%，美光则以25%的市占率位列第三，其他厂商合计占据剩余的5%。SK海力士预期，营收与市占率的增长至少会持续到下一季度，其还表示，公司在关键的HBM市场占有率高达70%。Counterpoint Research资深分析师Jeongku Choi
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SK海力士 三星 DRAM
4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
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内存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，此举有助供应链中DRAM的库存去化。展望第二季，预估Conventional
DRAM（一般型DRAM）价格跌幅将收敛至季减0%至5%，若纳入HBM计算，受惠于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM价格皆持平上季因应国际形势变化，各主要PC OEM要求ODM提高整机组装量，将加速去化OEM手中的DRAM库存。为确保2025年下半年产线供料稳定，库存水
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TrendForce 集邦咨询 DRAM
美光经过多代验证的 DRAM 技术和制造策略促成了这一优化的 1γ节点的诞生。
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美光1γ DRAM
3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
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3D DRAM
美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的 1γ（1-gamma）第六代（10 纳米级）DRAM 节点 DDR5 内存样品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 节点的领先优势，1γ DRAM 节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧 AI 设备（如 AI PC、智能手
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美光 1γ DRAM DRAM
2 月 18 日消息，据 TheElec 报道，三星芯片部门的负责人上周亲自前往美国英伟达总部进行访问。此次访问的目的是向英伟达展示三星最新研发的 1b DRAM 芯片样品，该芯片主要用于高带宽内存（HBM）。消息人士透露，英伟达曾在去年要求三星改进其 1b DRAM 的设计，此次展示的样品正是基于英伟达的要求而改进后的成果。通常情况下，三星设备解决方案（DS）部门的负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见。IT之家注意到，三星在去年曾计划使用
1b DRAM 生产 HBM，但遭遇了良品率和过热问题。该
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动态随机存取内存(dram)介绍
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