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动态随机存取内存(dram) 文章最新资讯

服务器支撑下半年需求，预估DRAM价格第三季涨幅达8-13%

根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示，由于通用型服务器(general server)需求复苏，加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度，第三季DRAM均价将持续上扬。DRAM价格涨幅达8~13%，其中Conventional DRAM涨幅为5-10%，较第二季涨幅略有收缩。TrendForce集邦咨询指出，第二季买方补库存意愿渐趋保守，供应商及买方端的库存水平未有显著变化。观察第三季，智能手机及CSPs仍具补库存的空间，且将进入生产旺季，因此预计智能手机
关键字：服务器 DRAM TrendForce

SK海力士5层堆叠3D DRAM新突破：良品率已达56.1%

6月25日消息，据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展，并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3D DRAM单元，其中超过一半（即561个）为良
关键字： SK海力士 3D DRAM

云端CSPs将扩大边缘AI发展，带动2025年NB DRAM 平均搭载容量增幅至少达7%

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询观察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等厂商，将仍为采购高阶主打训练用AI server的主力客群，以作为LLM及AI建模基础。待2024年CSPs逐步完成建置一定数量AI训练用server基础设施后，2025年将更积极从云端往边缘AI拓展，包含发展较为小型LLM模型，以及建置边缘AI server，促其企业客户在制造、金融、医疗、商务等各领域应用落地。此外，因AI PC或NB在计算机设备基本架构组成与
关键字：云端 CSPs 边缘AI DRAM TrendForce

HBM供应吃紧催生DRAM涨价美光股价飙涨

内存大厂美光预计6月26日公布季报，自美光的高带宽内存（HBM）开始供货给辉达后，已化身为AI明星股，年初至今，美光股价大涨近七成，市值大增636.26亿美元，至1,545.22亿美元。市场分析师预期，美光经营层将大谈需求改善、行业供应紧张、价格进一步上扬，以及他们供应给辉达和其他AI芯片厂商的HBM，下一世代的发展，提出对后市正向的看法。由于AI应用的需求，人们对DRAM、HBM的兴趣与日俱增，且内存市场通常存在「FOMO」（Fear of missing out）现象，意思是「害怕错失机会」，在美光
关键字： HBM DRAM 美光

美光后里厂火灾公司声明营运未受任何影响

中国台湾美光内存后里厂20日下午5点34分发生火警，火势快速扑灭，无人伤亡，美光昨深夜发出声明指出，台中厂火警厂区营运未受任何影响。台中市消防局昨日傍晚5时34分获报，中国台湾美光位在后里区三丰路的厂房发生火灾，消防局抵达时厂区人员已将火势扑灭，无人受伤，原因有待厘清。根据经济日报报导，美光针对台中厂火警一事发出声明，经查证所有员工与承包商安全无虞，且厂区营运未受任何影响。美光是国际三大DRAM厂商，市占约19.2％，与前两大三星及SK海力士合计市占达96％。美光高达65％的DRAM产品在中国台湾生产，
关键字：美光 DRAM

通用 DRAM 内存仍供大于求，消息称三星、SK 海力士相关产线开工率维持 80~90%

IT之家 6 月 19 日消息，韩媒 ETNews 援引业内人士的话称，韩国两大存储巨头三星电子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 内存产能利用率维持在 80~90% 水平。韩媒宣称，这一情况同主要企业已实现生产正常化的 NAND 闪存产业形成鲜明对比：除铠侠外，三星电子和 SK 海力士也已于本季度实现 NAND 产线满负荷运行。报道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常规 DDR、LPDDR）需求整体萎靡，市场仍呈现供大于求的局面，是下游传统服务器、智能手机和 PC 产业复苏缓慢导致的
关键字： DRAM 闪存三星海力士

合约价劲涨护身 DRAM不怕淡季 Q1营收季增

2024年第一季DRAM产业，受到主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大，带动营收较前一季度成长5.1％，达183.5亿美元，推动多数业者营收呈季增趋势。TrendForce指出，第一季三大原厂出货皆季减，反映产业淡季效应，加上下游业者的库存水平垫高，采购量明显衰退。三大原厂延续着2023年第四季合约价上涨氛围，再加上库存仍处于健康水位，涨价意图强烈。其中，中系手机销售畅旺，带动mobile DRAM的价格涨幅领先所有应用，而consumer DRAM的原厂库存仍待去化，拖累价格涨幅居所有应用之
关键字：存储器 DRAM TrendForce

合约价上涨抵消淡季效应，推升DRAM第一季营收季增5.1%

根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，2024年第一季DRAM产业主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大，带动营收较前一季度成长5.1%，达183.5亿美元，推动多数业者营收延续季增趋势。出货表现上，第一季三大原厂皆出现季减，反映产业淡季效应，加上下游业者的库存水平已垫高，采购量明显减弱。平均销售单价方面，三大原厂延续着2023年第四季合约价上涨氛围，再加上库存仍处于健康水位，故涨价意愿强烈。其中，中系手机销售畅旺，带动Mobile DRAM的价格涨幅领先所有应用，而Co
关键字：淡季效应 DRAM TrendForce 集邦咨询

南亚科技：首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 明年初试产

IT之家 5 月 30 日消息，综合台媒《工商时报》《经济日报》报道，南亚科技在昨日的年度股东常会上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 颗粒将于明年初进入试产阶段。南亚科技目前已在进行 1B nm 制程的 DRAM 试产，涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。南亚科技表示其首批 DDR5 内存将在下半年少量试产，明年进一步提升产量。此外南亚科技还在 1B nm 节点规划了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 内存、16
关键字：南亚科技内存 DRAM

美光计划投资约300亿元在日本新建DRAM厂

据日媒报道，美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆（约合人民币277-369亿元）在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片。这座新厂房将于2026年初动工，并安装极紫外光刻（EUV）设备。消息称最快2027年底便可投入营运。报道称，此前，日本政府已批准多达1920亿日圆补贴，支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。去年，日本经济产业省曾表示，将利用这笔经费协助美光科技生产芯片，这些芯片将是推动生成式AI、数据中心和自动驾驶技术发展的关键。
关键字：美光 DRAM 日本 EUV

HBM火热效应 DRAM下半年可望供不应求

三星、SK海力士及美光等国际内存巨擘，皆积极投入高带宽内存（HBM）制程，法人表示，在产能排挤效应下，下半年DRAM产品恐供不应求，预期南亚科、威刚及十铨等业者受惠。据TrendForce研究，DRAM原厂提高先进制程投片，产能提升将集中今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片，至年底将占DRAM总投片比重约40％。由于HBM获利表现佳，加上需求续增，生产排序最优先。以HBM最新发展进度来看，2024年HBM3e将是市场主流，集中在2024年下半年出货。SK海力士依旧是主要供货商，与美光均采1be
关键字： HBM DRAM TrendForce

三星和SK海力士计划今年下半年将停产DDR3

近两年，DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡，此外在存储器市场经历低迷后，供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称，全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存，全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格上涨，预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3；而SK海力士则在去年
关键字：三星 SK海力士内存 DRAM HBM

SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

IT之家 5 月 14 日消息，据韩媒 Hankyung 报道，两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。相较于通用 DRAM，HBM 内存坐拥更高单价，不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅 HBM 内存，通用 DRAM（如标准 DDR5）的价格年内也不会
关键字：海力士三星 DRAM

第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%；NAND Flash约15~20%

据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。403地震发生前，TrendForce集邦咨询原先预估，第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%；NAND Flash为13~18%，相较第一季涨幅明显收敛，当时从合约价先行指标的现货价格就可看出，现货价已出现连续走弱，上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因，主要是除了AI以外的终端需求不振，尤其笔电、智能手机
关键字： DRAM NAND Flash TrendForce

2025年HBM价格调涨约5~10%，占DRAM总产值预估将逾三成

根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。2024年HBM
关键字： HBM DRAM TrendForce

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