英飞凌迎接新太空应用的内存市场挑战

NewSpace 是指私营公司和初创公司将太空探索商业化，与传统太空计划相比，政府的监督通常较少。

在对全球连接（直接到蜂窝）的需求不断增长的推动下，NewSpace 计划旨在将 LEO 卫星星座与物联网相结合。

这些任务通常依赖于较小的卫星，从纳米卫星到 250 公斤卫星，并且任务持续时间更短，成本更低，能够部署大规模 LEO 星座。

由于 LEO 的发射成本较低且辐射暴露较少，许多 NewSpace 应用可以从 COTS 组件中受益，这些组件无需传统的军事或航空航天认证即可提供强大的性能。

Infineon 的 NewSpace 存储器产品组合包括三个产品系列：低功耗、耐辐射 FRAM;QSPI NOR 闪存具有 256 Mbit 和 512 Mbit 密度;和 256 Mbit/512 Mbit 伪静态 RAM （pSRAM）。

FRAM 在 -55°C 至 +125°C 的宽 MIL 温度范围内工作，而 NOR 闪存和 pSRAM 器件支持 -40°C 至 +125°C 的温度范围。 辐射耐受性表明，FRAM 的总电离剂量 （TID） 额定值为 50 krad（Si），NOR Flash 为 30 krad（Si），pSRAM 为 100 krad（Si）。

其他优势包括单批号日期代码和 100% 电气测试，以确保可靠的任务运行。凭借这些特性，Infineon 的内存产品非常适合短时间、高冗余和大规模的 LEO 星座。

Infineon 的 pSRAM 是 NewSpace 的首款同类产品，提供独特的存储器类型，其存储器阵列的内部结构类似于 DRAM，但外部则类似于静态 RAM （SRAM）。pSRAM 是一种低功耗、高性能和低引脚数的解决方案，非常适合高吞吐量数据缓冲应用。

除了 NewSpace 存储器解决方案外，Infineon 的 IR HiRel 团队还为商业航天市场提供广泛的耐辐射功率器件产品组合。

该产品组合采用针对 2 至 5 年 LEO 任务优化的功率 MOSFET。这些器件提供 60 V 和 150 V N 沟道和 P 沟道版本，符合 AEC-Q101 标准，采用塑料封装，可选择表面贴装和通孔安装。这些设备的额定 TID 为 30 krad（Si），支持现代 LEO 任务的辐射要求。