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LG电子将通过混合键合进入半导体设备市场

• LG 电子已悄然启动成为半导体设备制造商的计划。其生产技术研究所已开始开发为下一代高带宽存储器 （HBM） 量身定制的混合键合机，其内部目标是到 2028 年出货生产单元。混合键合是一种晶圆级连接技术，无需焊料凸块。相反，每个芯片上的铜焊盘被平坦化到纳米级的光滑度，并在室温下压合在一起，形成永久的直接电接触。这种方法可产生更薄的内存堆栈，在更低的温度下运行，并且比使用传统热压缩键合组装的方法提供更快的电气性能。HBM 由紧密堆叠的 DRAM 层组成，目前的封装支持多达 8 层的热压键合。堆叠超过 12 层
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