很显然内存市场的需求依然很淡，不少消费者依然没有出手，当然还是觉得厂商能继续降价。调研机构TrendForce现发布了最新的研究报告，表明目前DRAM现货报价仍在保持下跌的趋势，主要买家对未来皆抱持跌价心态，整体市况仍因大环境因素影响价格难以止跌。具体来说：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交价在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE报价下调至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即将到货而降至 2.00~2.03 美元。
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内存 DRAM，三星 SK海力士
高带宽存储器（HBM, High Bandwidth
Memory）是一种可以实现高带宽的高附加值DRAM产品，适用于超级计算机、AI加速器等对性能要求较高的计算系统。随着计算技术的发展，机器学习的应用日渐广泛，而机器学习的基础是自20世纪80年代以来一直作为研究热点的神经网络模型。作为速度最快的DRAM产品，HBM在克服计算技术的局限性方面发挥着关键的作用。HBM的高带宽离不开各种基础技术和先进设计工艺的支持。由于HBM是在3D结构中将一个逻辑die与4-16个DRAM die堆叠在一起，因此开发过
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速度 HBM SK海力士
作为韩国的重要支柱，芯片出口的多少，直接关系着几大财团的营收，比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道，消费电子产品需求下滑，导致对芯片的需求下滑，尤其是存储芯片，需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示，在11月份的前20天，韩国芯片出口52.8亿美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备，但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额，也同比下滑20.6%，降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是，全球智能手机老大已经在不停的砍单了，至少在3000万部，这也
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三星 SK海力士 DRAM NAND
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SK海力士 移动端 DRAM HKMG
Intel把闪存业务卖给SK海力士后，后者孵化出名为Solidigm的消费级/企业级品牌，关系类似于美光和英睿达。日前在Tech Field Day 2022技术峰会上，Solidigm预览了旗下第4代192层3D闪存芯片，不过是QLC颗粒（4bits/cell）。看来Intel此前的QLC技术积累被SK海力士完全保留，后者还指出，虽然当前出货的闪存芯片80%都是TLC，但QLC迟早会取代它。显然最重要的原因还是成本效应，QLC颗粒存储密度更高，也更容易做到大容量。
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英特尔 SK海力士 闪存
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal
Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,
即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell
Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core
Tr
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SK海力士 High-k Metal Gate
据SK海力士最新公告，公司为加强事业竞争力以及提高企业价值，正在研究多种战略方案，但就共同收购Arm的事宜，目前尚未推进。此前，SK海力士曾表示，正在审查各种策略选择，其中包括联合收购Arm，以提高业务竞争力和企业价值。而根据最新消息，据媒体报道，SK海力士在10月底公开披露中表示，不会联合收购Arm。对此，韩国媒体引述专家观点表示，由于软银董事长孙正义开出的价格远高于实际价值，Arm正在失去其作为收购目标的吸引力。2020年，英伟达曾以400亿美元的高价向软银求购Arm，但经历一波三折后英伟达选择了放弃
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SK海力士 Arm
俄罗斯和乌克兰是氖、氩、氪、氙等半导体原料气体供应大国，其中氖气由乌克兰供应全球近七成产量，而俄罗斯惰性气体供应量占全球供应总量的30%。随着俄乌冲突爆发后，全球氖气、氙气等产量大减，全球芯片市场的供应短缺问题加剧。为降低对进口产品的依赖，韩国存储器大厂三星和SK海力士都表示将大幅增加韩国本土生产的气体。据韩国经济新闻报道，近日，三星表示，公司将与浦项钢铁（POSCO）一起推进半导体核心材料氙气的本土生产，目前该材料全部依赖进口。目前，大多数韩国芯片制造商和微电子设备制造商依赖进口气体，这些气体是生产3D
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三星 SK海力士 大半导体原材料
近日，SK海力士考虑“撤出中国”、“转移中国工厂设备”等消息引发业界高度关注，对此，SK海力士于10月26日就中国工厂运营作出澄清说明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度业绩发表会上，针对由于地缘政治问题及多种因素导致中国工厂运营受困的各种假想情境，作出了可能会考虑应急方案(Contingency Plan)的原则性回复。其中，“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，SK海力士澄清并未研究过与此相关的具体计划。另外，针对美国对芯片设备出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士 DRAM NAND
SK海力士今日发布截至2022年9月30日的2022财年第三季度财务报告。公司2022财年第三季度结合并收入为10.9829万亿韩元，营业利润为1.6556万亿韩元，净利润为1.1027万亿韩元。2022财年第三季度营业利润率为15%，净利润率为10%。2022财年第三季度结合并收入环比减少20.5%，营业利润环比减少60.5%。 *公司2022财年第二季度结合并收入为13.811万亿韩元，营业利润为4.193万亿韩元，净利润为2.877万亿韩元。SK海力士分析称，由于全球宏观经济环境下行，DR
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SK海力士
韩国芯片制造商SK海力士10月26日表示，公司将把明年的资本支出削减一半。公司财报显示，受存储芯片需求滑坡拖累，第三季度利润下降60%。 SK海力士第三季度营业利润降至1.66万亿韩元（12亿美元），低于分析师预估的2.5万亿韩元。当季营业收入为10.98万亿韩元，低于预估的12.2万亿韩元。 受此影响，SK海力士宣布将在2023年削减投资50%以上。同时公司将降低低利润产品的产量，通过在一定时期内保持投资和减产的趋势，使市场的供需平衡正常化。
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SK海力士 韩国 芯片
IT之家 10 月 19 日消息，据 SK 海力士官方消息，继今年 8 月推出公司首款 CXL 存储器样品后，SK 海力士此次成功开发行业首款将计算功能与 CXL 存储器相结合的 CMS（Computational Memory Solution）。据介绍，该解决方案拟搭载于下一代服务器平台上，有望提升系统性能和能源效率。美国时间 10 月 18 日，SK 海力士在美国圣何塞召开的 OCP（Open Compute Project）全球峰会上同时公开 CMS 及应用该方案的软件平台，进而证明了面向下一代高
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存算一体 CXL存储器 SK海力士
SK海力士于10月12日通过声明表示，公司完成与美国商务部进行协商，确保在接下来一年内不获取个别许可的前提下为中国工厂供应所需的半导体生产设备。借此，SK海力士预期将能够在接下来一年内不获取美方个别许可的前提下为中国工厂保障生产设备的供应，进而维持在中国的生产经营。SK海力士表示：“公司与美方圆满完成了就在中国持续生产半导体产品的协商。SK海力士将继续与韩国政府及美国商务部紧密合作，在遵循国际原则的前提下为保障中国工厂的运营尽最大的努力。”美国商务部先前于10月7日发布称，将限制用于在中国生产18纳米以下
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SK海力士 DRAM NAND
SK海力士宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。拥有当前业界最佳性能的 HBM3 DRAM 内存芯片，从开发成功到量产仅用七 个月HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以实现加速计算（accelerated computing）SK海力士旨在进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位* HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器)：是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存
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SK海力士 英伟达 HBM3 DRAM
是德科技宣布SK海力士（SK hynix）选用是德科技的整合式高速外围组件互连协议（PCIe）5.0测试平台，以加速内存开发，进而设计出可支持高速数据传输与大量数据管理的先进产品。SK海力士是内存芯片领导厂商，为满足下一代移动电话、计算机、数据服务器和汽车，对效能和容量的需求，致力于开发采用Compute Express Link（CXL）技术的内存半导体解决方案。透过是德科技整合式解决方案，SK海力士可对PCIe 5.0组件进行物理层仿真、特性分析和验证，并透过CXL高速内存互连技术，加速测试和开发下一
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SK海力士 是德 PCIe 5.0 内存开发
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