2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。SK海力士强调“公司继去年6月全球首次量产HBM3 DRAM后，又成功开发出容量提升50%的24GB套装产品。”,“最近随着人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业的发展，高端存储器需求也随之增长，公司将从今年下半年起将其推向市场，以满足
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SK海力士 堆叠HBM3 DRAM
AI服务器出货动能强劲带动HBM（high bandwidth
memory）需求提升，据TrendForce集邦咨询研究显示，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士（SK
hynix）50%、三星（Samsung）约40%、美光（Micron）约10%。此外，高阶深度学习AI
GPU的规格也刺激HBM产品更迭，2023下半年伴随NVIDIA H100与AMD
MI300的搭载，三大原厂也已规划相对应规格HBM3的量产。因此，在今年将有更多客户导入HBM3的预期下，SK海力士作为目
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AI服务器 HBM SK海力士
当地时间4月4日，Rambus宣布，与SK海力士的全面专利许可协议延长10年。据悉，该延长的协议将于2024年7月1日生效，保持类似的财务条款，在2034年中期之前SK海力士可以广泛使用完整的Rambus专利组合。资料显示，Rambus是一家知名的芯片IP和芯片提供商，成立于1990年。Rambus创建之初便致力于高端存储产品的研究与开发，拥有数千项专利。2013年，SK海力士和Rambus签订了一个为期5年的专利授权协议，SK海力士向Rambus支付2.4亿美元的专利授权费，按照每季度1200万美元的方
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SK海力士 Rambus 专利许可
韩国贸易部周三表示，即使在华盛顿提议的旨在防止美国补贴在中国使用的规则实施之后，但三星电子和 SK 海力士将能够维护和升级其在中国的制造设施——尽管幅度很小。美国商务部周二宣布，将限制《芯片与科学法案》资金的接受者在包括中国和俄罗斯在内的“相关国家”投资扩大半导体制造。 但该限制并非完全禁止在中国投资，因为该部门允许接受公司将先进芯片的产能扩大 5%，将采用相对较旧制造工艺生产的芯片产能扩大 10%。 贸易、工业和能源部在审查了所谓的芯片护栏细节和去年通过的
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韩国 三星 SK海力士 芯片法案
近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。外媒报导，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND
Flash开发，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s，较上一代238层堆叠和164MB/
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300层 NAND Flash SK海力士
由于存储芯片价格暴跌，韩国芯片制造巨头、苹果供应商SK海力士（SK Hynix Inc.）周三公布了有史以来最大的季度亏损。该公司仍坚持将今年资本支出减半的计划。财联社2月1日讯（编辑 卞纯）由于存储芯片价格暴跌，韩国芯片制造巨头、苹果供应商SK海力士（SK Hynix Inc.）周三公布了有史以来最大的季度亏损。该公司仍坚持将今年资本支出减半的计划。海力士公布，在截至去年12月的三个月，营收下降38%，运营亏损1.7万亿韩元（合14亿美元）。分析师的平均预期是亏损1.1万亿韩元。存储芯片价格已经较202
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SK海力士 存储芯片 亏损 价格
· 副会长朴正浩会见高通公司高层，广泛探讨合作机会· SK海力士将继续寻求与全球科技企业跨地域、跨行业展开合作 韩国首尔，2023年1月6日 – SK海力士今日宣布，SK海力士副会长兼联合CEO朴正浩在美国拉斯维加斯CES 2023开幕前一天与高通公司举行会谈探讨加强合作。1月4日（美国时间），朴正浩副会长与SK海力士社长兼联合CEO郭鲁正及其他高层领导，与高通公司总裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon)在拉斯维加斯举行了会谈。双方高层就众多话题展开讨
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SK海力士 高通 CES 2023
2022年内存及闪存两种存储芯片的价格一直在下滑，以致于SSD硬盘跌成白菜价了，2TB不到700元，但是这样的价格也让闪存厂商很难受，三星已经开始出手逆转价格，12月份闪存涨价10%。据电子时报援引供应链消息，虽然市场需求低迷，但三星12月上半月依旧选择上调NAND闪存价格，其中3D NAND闪存价格涨幅高达10%。三星是全球第一大闪存供应商，Q2季度的销售额59.8亿美元，环比下滑5.4%，所占的份额也由上一季度的35.3%降至33%，依然遥遥领先其他厂商。a收购Intel闪存业务之后，SK海力士成立了
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SK海力士宣布，已经研发出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM内存， 起步速率就可以达到8Gbps，相比于标准的DDR5-4800快了多达80％ ，也追平了DDR5内存条的最高纪录—— 芝奇刚刚发售DDR5-8000。这种新内存由SK海力士联合Intel、瑞萨共同研发，面向服务器领域。MCR全称“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路复用器组合列的意思。它采用了Intel MCR技术，通过在DRAM内存模组、CPU处理器之间加入特殊的
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SK海力士 DDR5 DIMM 内存
IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官网宣布，成功开发出 DDR5 多路合并阵列双列直插内存模组样品，这是目前业界最快的服务器 DRAM 产品。该产品的最低数据传输速率也高达 8Gbps，较之目前 DDR5 产品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方称，该 MCR DIMM 产品采用了全新的方法来以提高 DDR5 的传输速度。虽然普遍认为 DDR5 的运行速度取决于单个 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程师在开发该产品时另辟蹊径，提高了模块的速度而非单个 DRAM 芯
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SK海力士 DRAM
很显然内存市场的需求依然很淡，不少消费者依然没有出手，当然还是觉得厂商能继续降价。调研机构TrendForce现发布了最新的研究报告，表明目前DRAM现货报价仍在保持下跌的趋势，主要买家对未来皆抱持跌价心态，整体市况仍因大环境因素影响价格难以止跌。具体来说：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交价在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE报价下调至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即将到货而降至 2.00~2.03 美元。
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内存 DRAM，三星 SK海力士
高带宽存储器（HBM, High Bandwidth
Memory）是一种可以实现高带宽的高附加值DRAM产品，适用于超级计算机、AI加速器等对性能要求较高的计算系统。随着计算技术的发展，机器学习的应用日渐广泛，而机器学习的基础是自20世纪80年代以来一直作为研究热点的神经网络模型。作为速度最快的DRAM产品，HBM在克服计算技术的局限性方面发挥着关键的作用。HBM的高带宽离不开各种基础技术和先进设计工艺的支持。由于HBM是在3D结构中将一个逻辑die与4-16个DRAM die堆叠在一起，因此开发过
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速度 HBM SK海力士
作为韩国的重要支柱，芯片出口的多少，直接关系着几大财团的营收，比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道，消费电子产品需求下滑，导致对芯片的需求下滑，尤其是存储芯片，需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示，在11月份的前20天，韩国芯片出口52.8亿美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备，但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额，也同比下滑20.6%，降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是，全球智能手机老大已经在不停的砍单了，至少在3000万部，这也
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三星 SK海力士 DRAM NAND
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SK海力士 移动端 DRAM HKMG
Intel把闪存业务卖给SK海力士后，后者孵化出名为Solidigm的消费级/企业级品牌，关系类似于美光和英睿达。日前在Tech Field Day 2022技术峰会上，Solidigm预览了旗下第4代192层3D闪存芯片，不过是QLC颗粒（4bits/cell）。看来Intel此前的QLC技术积累被SK海力士完全保留，后者还指出，虽然当前出货的闪存芯片80%都是TLC，但QLC迟早会取代它。显然最重要的原因还是成本效应，QLC颗粒存储密度更高，也更容易做到大容量。
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sk海力士介绍
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