2月16日消息，据调研机构Counterpoint的最新报告，全球半导体市场（包括存储产业）在2024年预计将实现强劲复苏，全年营收同比增长19%，达到6210亿美元。这一增长主要得益于人工智能技术需求的大幅增加，尤其是内存市场和GPU需求的持续推动。从厂商来看，三星电子以11.8%的市场份额位居全球第一，随后分别是SK海力士（7.7%）、高通（5.6%）、博通（5%）、英特尔（4.9%）、美光（4.8%）、英伟达（4.3%）、AMD（4.1%）、联发科（2.6%）和西部数据（2.5%）。需要注意的是，此
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据报道，NAND闪存在2025年将继续面临需求疲软和供过于求的双重压力。三星、SK海力士、美光等NAND闪存制造商都选择在2025年执行减产计划。当前，存储器市场，尤其是NAND闪存领域，似乎正步入一个低迷阶段。自2024年第三季度以来，NAND闪存价格持续下滑，这一趋势使得供应商对2025年上半年的市场需求前景持悲观态度。长期的价格疲软无疑将进一步压缩企业的利润空间，为此，三星与SK海力士均选择在2025年第一季度实施更为激进的减产措施，将NAND闪存产量削减幅度提高至10%以上。在此前的上升周期时，N
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2月13日消息，据报道，NAND闪存在2025年将继续面临需求疲软和供过于求的双重压力。三星、SK海力士、美光等NAND闪存制造商都选择在2025年执行减产计划。其中三星在去年末已经决定削减西安工厂的NAND闪存产量，减少10%以上，另外还调低了韩国华城12号和17号生产线的产量，以进一步降低整体产量。当前，存储器市场，尤其是NAND闪存领域，似乎正步入一个低迷阶段。自2024年第三季度以来，NAND闪存价格持续下滑，这一趋势使得供应商对2025年上半年的市场需求前景持悲观态度。长期的价格疲软无疑将进一步
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全球NAND闪存价格已连续四个月下跌，为应对这一不利局面，厂商开始减产以平衡供求，进而稳定价格。美光率先宣布将减产，随后三星也被曝出将调整其韩国本土的NAND产量以及中国西安工厂的开工率，韩国另一大存储芯片制造商SK海力士也计划削减产量。
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2024财年全年营收为66.1930万亿韩元，营业利润为23.4673万亿韩元，净利润为19.7969万亿韩元·2024年第四季度营收为19.7670万亿韩元，营业利润为8.0828万亿韩元，净利润为8.0065万亿韩元·随着HBM、eSSD等面向AI的存储器销售增长，营收和营业利润均创下了季度和年度历史新高·“以差别化的AI应用产品竞争力、盈利为主的经营活动，证实了稳定盈利的可能性”2025年1月23日，SK海力士发布截至2024年12月31日的2024财年及第四季度财务报告。公司2024财年营业收入为
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据韩媒报道，近日，SK海力士成功完成了1c纳米制程DRAM的批量产品认证，连续多个以25块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求，预计SK海力士将在2月初正式启动1c纳米DRAM的量产。据了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功实现1c纳米工艺的 16Gb DDR5-8000 DRAM 内存开发。SK海力士曾表示，1c工艺技术将应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进的DRAM主力产品群，进一步巩固其在内存市场的领先地位。
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1月13日消息，据媒体报道，三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产，以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌，确保公司的收入和利润。DRAMeXchange的数据显示，截至2024年10月底，用于存储卡和U盘的通用NAND闪存产品的价格较9月下降了29.18%。据行业消息，三星电子已将其西安工厂的晶圆投入量减少超过10%，每月平均产量预计将从20万片减少至约17万片。此外，三星韩国华城的12号和17号生产线也将调整其供应，导致整体产能降低。三星在2023年曾实施过类似的减产措施，当时
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1 月 3 日消息，SK 海力士今日宣布将参加于当地时间 1 月 7 日至 10 日在美国拉斯维加斯举行的“国际消费电子产品展览会（CES 2025）”，届时展示面向 AI 的存储器技术实力。据了解，SK 海力士将在 CES2025 展出 HBM、企业级固态硬盘等面向 AI 的代表性存储器产品，也将展示专为端侧 AI 优化的解决方案和下一代面向 AI 的存储器产品。目前，该公司已率先实现量产并向客户供应 12 层第五代 HBM（HBM3E），在此展会将展出公司去年 11 月宣布开发完成的 16 层第五代
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华为Mate 70系列旗舰手机12月4日正式开卖，研究公司TechInsights拆解后发现，该款手机采用南韩SK海力士制造内存芯片，主因在于美国禁止对中国大陆出口先进芯片制造设备，而大陆制造的内存芯片选择受限。《南华早报》报导，根据TechInsights的分析，华为Mate 70 Pro手机搭载SK海力士12GB低功耗行动DRAM及512GB NAND，高阶款Mate 70 Pro Plus也采用相同的NAND及SK海力士的16GB DRAM。TechInsights分析师崔贞东（Jeongdong
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12 月 20 日消息，据 TheElec 报道，韩国存储芯片巨头 SK 海力士赢得了一份向博通供应 HBM 芯片的大单，但具体额度未知。消息人士称，博通计划从 SK 海力士采购存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划明年将其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 产能扩大到 14~15 万片（IT之家注：单位是 300mm 直径的 12 英寸晶
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12 月 5 日消息，据 Businesses Korea 今日报道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和组织架构优化。本次调整任命了 1 位总裁、33 位新高管及 2 位研究员。为提升决策效率，该公司推行“C-Level”管理体系，依据核心职能分工明确责任与权限，业务单元被划分为包括 AI 基础设施（CMO）、未来技术研究院（CTO）、研发（CDO）和生产（CPO）在内的五大部门。据介绍，新设的 AI 芯片开发部门整合了 DRAM、NAND 和解决方案的开发能力，着眼于下一代 AI 内存等
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12月2日消息，据韩国媒体报道， 在全球内存市场上长期竞争的三星电子和SK海力士，近日出人意料地结成联盟，共同推动LPDDR6-PIM内存的标准化。这也意味着两家公司在面对AI内存技术商业化的共同挑战时，愿意搁置竞争，共同推动行业标准的制定。双方合作旨在加速专为人工智能优化的低功耗内存技术的标准化进程，以适应设备内AI技术的发展。随着设备内AI技术的兴起，PIM内存技术越来越受到重视。PIM技术通过将存储和计算结合，直接在存储单元进行计算，有效解决了传统芯片在运行AI算法时的“存储墙”和“功耗墙
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2024年11月21日，SK海力士宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。SK海力士表示：“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品，并供应于市场，此次又率先推出了超过300层的NAND闪存，突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供321层产品，由此应对市场需求。”公司在此次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug*”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经
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11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭鲁正今日在韩国首尔举行的 SK AI Summit 2024 上介绍了全球首款 16-High HBM3E 内存。该产品可实现 48GB 的单堆栈容量，预计明年初出样。虽然一般认为 16 层堆叠 HBM 内存直到下一世代 HBM4 才会正式商用，但参考内存领域 IP 企业 Rambus 的文章，HBM3E 也有扩展到 16 层的潜力。此外注意到，SK 海力士为今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 学术会议准备的论文中也提到了可实现 1280G
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获悉，周四，SK海力士公布了创纪录的季度利润和营收，这反映出市场对与英伟达(NVDA.US)处理器一起用于人工智能开发的存储芯片的强劲需求。作为英伟达的供应商，这家韩国存储芯片巨头第三季度的营业利润达到7.03万亿韩元(51亿美元)，上年同期为亏损1.8万亿韩元，高于分析师预期的6.9万亿韩元。营收大增94%，达到17.6万亿韩元，而市场预期为18.2万亿韩元。今年以来，SK海力士股价累计上涨逾35%，原因是该公司在设计和供应为英伟达人工智能加速器提供动力的尖端高带宽内存(HBM)方面扩大了对三星电子(S
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