存储至关重要：2025非易失性存储器（NVM）调研的关键启示

随着片上系统（SoC）向先进制程节点迈进，加之人工智能、新型传感器技术带来的全新需求以及严苛的质量标准要求，非易失性存储器的选型难度正不断加大。

2025 年第二届非易失性存储器行业年度调研于去年 12 月完成，调研结果显示，当前市场仍以成熟技术为主导，但为应对这些新的设计与生产约束，行业正愈发积极地测试各类替代技术。

超 80% 的受访者表示正在使用或评估嵌入式非易失性存储器技术，20% 的受访者目前正寻求合适的非易失性存储器方案，近 30% 的受访者计划在未来一年内选定非易失性存储器知识产权（IP）方案。综合来看，这一市场的从业者不仅具备丰富经验，且市场活跃度较高。仍有相当一部分近期待决的选型决策，意味着各类竞争技术仍有较大的市场争夺空间。

图表：受访者计划选定非易失性存储器的时间节点

嵌入式闪存依旧是认知度最高的技术，超 80% 的受访者表示了解该技术，这也反映出其长期作为默认选型的行业地位。但调研同时显示，行业对闪存之外其他技术的认知度正不断提升：铁电随机存取存储器（FRAM）、磁阻随机存取存储器（MRAM）和阻变存储器（ReRAM）的认知度均超四分之一，这表明非易失性存储器替代技术已进入行业主流视野。

厂商的认知度分布也呈现出相似趋势：少数几家供应商凭借较高的行业认知度脱颖而出，按排名依次为主营嵌入式闪存的超捷半导体（SST）、主营硅 - 氧化物 - 氮化物 - 氧化物 - 硅存储器（SONOS）的英飞凌，以及主营阻变存储器的微位纳米公司（Weebit Nano）。

当被问及嵌入式非易失性存储器选型标准的重要性时，受访者的回答凸显了实用性导向。可靠性、耐久性和数据保持能力的加权平均分均远高于 4 分制的 3.0 分，位列所有标准首位，这证实了三者仍是嵌入式非易失性存储器选型的核心要求。工艺可扩展性紧随其后，得分同样超过 3.0 分，反映出传统嵌入式闪存在向先进制程延伸时面临的难度日益加大 —— 嵌入式闪存已无法适配更先进的制程工艺。电源效率的得分也突破 3.0 分，集成风险和长期可预测性的得分仅略低一筹，这表明制造成熟度和产品生命周期稳定性，如今已被视作与核心技术性能几乎同等重要的考量因素。这一结果印证了市场的成熟：行业从业者普遍认可新型非易失性存储器的核心技术能力，但集成过程中的风险与成本正成为切实的顾虑，在嵌入式闪存已无集成可能的先进制程节点，这一问题尤为突出。

调研中关于行业风险与痛点的数据进一步印证了这一观点。可扩展性限制和功耗 - 性能权衡成为最突出的两大问题，加权平均分均超 4 分制的 3.0 分，这表明二者是当前非易失性存储器部署过程中，尤其是在先进制程节点中面临的关键制约因素。可靠性顾虑和成本不确定性紧随其后，得分同样处于高位，意味着对许多设计而言，技术的长期可预测性和经济层面的风险仍是尚未解决的难题。综合来看，这些行业压力也解释了为何即便市场对替代技术的采用仍持谨慎态度，其认知度却在持续提升。

图表：各类痛点的重要性排名

设计端的需求压力增长速度，已超过传统存储器技术的适配能力。与去年的调研结果相比，行业并非对嵌入式闪存失去信心，而是其面临的市场压力明显加剧。如今，越来越多的研发团队评估替代技术并非出于好奇，而是因为可扩展性、功耗和长期可预测性，正成为制约未来产品设计的硬性因素。

总体而言，2025 年的调研结果并未显示出行业会突然放弃嵌入式闪存，但表明传统存储器技术的替代进程已进入更关键的阶段；且随着产品设计向先进制程节点转型 —— 这些节点因技术要求必须采用新型非易失性存储器，这一替代进程或将进一步加快。目前，行业对非易失性存储器替代技术的认知度持续提升、评估范围不断扩大，还有相当一部分研发团队计划在未来一年内敲定具体的知识产权方案。

图表：各制程节点的计划设计启动情况

外部市场预测也得出了相同的结论：法国市场研究机构 Yole 集团的展望显示，在磁阻随机存取存储器、相变存储器（PCM）和阻变存储器等技术被广泛应用于下一代微控制器（MCU）和片上系统的推动下，2030 年嵌入式新兴非易失性存储器市场规模有望达到 33 亿美元。

与去年的调研结果相比，行业的发展方向愈发清晰：如今的问题已不再是嵌入式闪存能否进一步延伸适配更先进制程，而是其还能在多长时间内同时满足可扩展性、电源效率、可靠性和成本可预测性的综合需求。

核心结论

对于众多片上系统研发团队而言，非易失性存储器的选型已从以往默认的基础环节，转变为影响下一代产品市场竞争力的紧急架构决策。