1864亿！SK海力士达营业利润率高达72%，碾压台积电

2026年4月23日，SK海力士今日发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告。 

SK海力士2026年第一季度主要数据：营收52.58万亿韩元（2429.2亿元人民币），较上一季度的32.83万亿韩元增长60%，同比增长198%；营业利润 37.61万亿韩元（1737.6亿元人民币），同比增长405.5%；净利润40.34万亿韩元（1863.7亿元人民币），同比增长397.6%。

从季度业绩来看，销售额首次突破50万亿韩元大关，营业利润为37.6万亿韩元，营业利润率达到72% ，创下SK海力士成立以来的最高纪录 —— 不仅在其公司历史上前所未有，在全球半导体行业中也处于绝对领先地位。营业利润环比激增约两倍，显著展现了盈利能力的强劲改善趋势。

作为对比，台积电2026年第一季度营业利润率约为58%，美光约为67.6%，三星电子整体营业利润率约为43%（其存储业务预计在60%-70%区间）。SK海力士与台积电之间的利润率差距，已从去年第四季度的4个百分点扩大至第一季度的14个百分点。

需要指出的是，在2023年第一季度，SK海力士的营业利润率曾跌至-67%的历史低谷。此后，随着存储市场供需关系的逆转和AI需求的爆发，公司营业利润率在2023年第四季度转正为3%，随后每个季度持续攀升，到2026年第一季度已达到72%。强劲的盈利能力也带来了资产负债表的显著改善。截至第一季度末，SK海力士现金及现金等价物达54.3万亿韩元，较上季度末增加19.4万亿韩元；有息债务降至19.3万亿韩元，较上季度减少2.9万亿韩元。

这季度净利润的大幅增长，并不完全来自主营业务。当期实现非经营性利润14.01万亿韩元，其中包括1.57万亿韩元的汇兑收益，以及以投资资产估值收益为主的12.44万亿韩元其他收益（其中估值收益达9.94万亿韩元）。接近三分之一的利润增量来自非经营项目，这在一定程度上放大了净利润表现，使其达到40.34万亿韩元的高位。

分产品看，DRAM位元出货量环比基本持平，但平均销售价格ASP环比上涨60%多；NAND位元出货量环比下降约10%，但ASP环比上涨70%多。据TrendForce数据，第一季度部分DRAM产品合约价格环比上涨近83%，部分NAND产品价格更是暴涨约160%。

对于未来市场走势，SK海力士在财报中表达了乐观预期。公司表示，随着AI从大模型训练阶段演进到Agentic AI，DRAM和NAND两大存储品类的需求基础都在持续扩大。据韩媒报道，SK海力士正在从一年期短期合同向三至五年的长期供应协议（LTA）模式转型，已与微软、谷歌等全球AI巨头就DRAM长期供应进行谈判。同时，公司正在积极扩大对英伟达HBM4的供应。

从业务结构来看，DRAM贡献了公司总营收的78%，NAND贡献了21%。业绩大幅增长的核心驱动力来自两方面：一是HBM、高容量服务器DRAM模块、企业级SSD等高附加值产品销量持续扩大；二是大宗DRAM和NAND合约价格在第一季度出现了史无前例的暴涨。

“尽管第一季度通常是季节性淡季，但在AI基础设施投资扩大的推动下，市场需求依然持续强劲。”SK海力士在财报中表示，预计DRAM和NAND都将维持有利的价格环境。这也意味着，SK海力士认为当前存储芯片供不应求、价格上涨的市场现状将会持续。TrendForce也在最新预测中指出，尽管终端市场需求可能存在波动，但预计第二季度大宗DRAM合约价格仍将环比上涨58-63%，NAND合约价格预计上涨70-75%。

作为英伟达的供应商，SK海力士在财报电话会议上还透露，客户未来三年的HBM需求已经远超现有供给能力，公司正在现有约束条件下最大化HBM产出，并谨慎平衡HBM与标准DRAM之间的产能分配。

为应对持续增长的需求，SK海力士正在加速产能扩张：今年将显著增加资本支出，重点用于清州M15X新厂的量产爬坡，以及龙仁半导体集群的基础设施建设。值得注意的是，清州M15X工厂是SK海力士最新的DRAM生产基地，将主要用于HBM等尖端产品的生产；龙仁集群则是韩国政府推动的全球最大半导体产业集群项目的一部分，SK海力士计划投资19万亿韩元在该区域建设新工厂。