曾经只有台积电、三星、英特尔、SK海力士和美光五家巨头才用得起的EUV，如今开始出现在二线存储厂商的采购清单上。这标志着DRAM产业正进入一个全新的阶段：EUV不再是头部玩家的专属武器，而是整个DRAM行业迈向下一代制程的必经之路。中国台湾DRAM产业接连投下两颗重磅炸弹。8月5日，南亚科宣布将2026年资本支出由520亿元新台币上调至697亿元，调幅达34%，并批准2026年至2029年5A新厂资本支出上限为3466亿元新台币，成为南亚科历史上规模最大的单一投资计划。次日，华邦电正式启动高雄第二座12英
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DRAM
EUV
混合键合
长鑫存储
SK hynix 8 月 7 日批准约 54 万亿韩元的新投资，在韩国龙仁与清州新建两座面向 AI 内存的晶圆厂。其中龙仁"Y2"约 35.2 万亿韩元、清州"M17"约 19.1 万亿韩元，两座工厂的首个洁净室分别计划于 2029 年 6 月和 2028 年 12 月启用。这不是一轮单纯的产品扩产，而是把竞争从当季 HBM 供货，提前到数年后的 DRAM、NAND、先进封装与配套制造能力。 图源：SK hynix NewsroomY2 是龙仁半导体集群规
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SKhynix
晶圆厂
HBM
DRAM
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先进封装
日经新闻报道，惠普、华硕、宏碁已开始采用长鑫存储（CXMT）内存产品。搭载长鑫存储芯片的笔记本电脑不会在美国市场销售。原因是长鑫存储被列入美国国防部涉军企业清单，尽管美国企业采购该厂商芯片本身并不违法，但此举会带来政治风险与品牌声誉风险。此前有消息称，苹果已向美国政府申请采购长鑫存储内存的许可。业内消息表示，内存采购商若大批量采购长鑫存储产品，还担心会得罪三星、美光、海力士这三大 DRAM 原厂。据悉，各家企业向长鑫采购内存的拿货价与三星报价持平。长鑫存储透露，其 2026 年上半年净利润将超 77 亿美
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惠普
长鑫存储
DRAM
8月4日消息，根据市场研究机构Counterpoint Research最新发布的《全球存储追踪报告》，2026年第二季度全球DRAM市场格局发生显著变化，三星份额重回第一，美光份额接近SK海力士，长鑫存储份额升至7%。三星重回第一，SK海力士份额遭挤压三星电子以39%的市场份额环比增加了1个百分点至39%，重返全球DRAM市场榜首，恢复至2024年水平，展现出其在通用DRAM供应和定价方面的压倒性优势。Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi指出：“三星克服了所有障碍
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长鑫存储
DRAM
SK海力士
三星
美光
长鑫科技
内存短缺将持续到2027年。 业内人士指出，原厂商已完成2027年全年容量分配谈判，三大制造商已提前售罄其DRAM和高带宽内存（HBM）容量。 尽管NAND闪存供应不如DRAM紧张，但预计容量将在2026年8月底前全部预订。无论是否签订长期LTA合同，所有买家都将配合制造商的预付款模式，这将证实2027年将成为“内存短缺最严重之年”的观点，但随后的价格涨幅预计将放缓。业内人士透露，一些企业可能仍然被蒙在鼓里，没意识到7月~8月是分销的关键时期：“没人推广，因为担心太多人进来，最终获得的份额更少。”最近我还
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内存墙
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HBM
Counterpoint Research的最新报告指出，人工智能已彻底改变了内存的供需结构，甚至显示“每克DRAM的价格高于每克黄金”，反映出记忆正从传统的周期性产品转变为AI时代最重要的核心组成部分之一。报告认为，AI基础设施的快速扩展使内存市场不再仅仅是HBM供应短缺的问题，而是推动了DDR5、DDR4和企业级SSD等产品的同步需求。 三大存储器制造商正优先考虑更多晶圆、先进工艺和封装资源以生产HBM。传统DRAM供应被压缩，市场供应紧张，需求无止息迹象。Counterpoint指出，每台AI服务器
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DRAM
存储
据公开信息显示，长鑫科技集团股份有限公司（CXMT）计划于7月27日在上海证券交易所挂牌上市。本次IPO预计募集资金约579.2亿元人民币，若超额配售选择权（绿鞋机制）全部行使，募集规模最高可达约666亿元人民币。公司主要布局DRAM产品，覆盖计算机、移动终端、服务器等应用领域，并持续探索AI时代存储需求带来的市场机会。在AI需求持续增长的背景下，存储产业正在呈现新的发展特征。过去，DRAM市场高度依赖周期波动，而随着AI服务器、智能终端和数据基础设施快速发展，DRAM、HBM、高性能SSD以及端侧AI存
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长鑫存储
CXMT
DRAM
国产存储
AI
IPO
半导体供应链
ASML 上调 2026 年销售预期并规划扩大产能，显示 AI 芯片扩张压力正在从晶圆厂传导到上游设备环节。先进逻辑、DRAM、HBM 和先进封装的扩产，都离不开光刻、量测和工艺设备的交付节奏。在 AI 芯片需求持续增长的背景下，ASML 公布第二季度业绩后上调全年销售预期。据公开报道，ASML 第二季度收入达到 93.3 亿欧元，并将 2026 年净销售额预期上调至 430 亿—450 亿欧元。公司同时计划在未来两年继续扩大产能，以缓解先进芯片制造环节的设备约束。ASML 通常被视为先进制程的关键设备供
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ASML
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半导体设备
AI芯片制造
先进制程
DRAM
HBM
AI
汽车究竟需要多大容量存储器？全球存储器紧缺、价格暴涨问题愈发严峻，苹果甚至因此上调部分 Mac 电脑售价。而在智能手机、个人电脑、AI 数据中心之外，汽车行业正悄然成长为存储器核心消耗大户。那么一台现代化汽车实际需要配置多大容量存储？美光此前曾预测，四级自动驾驶车辆存储总容量将突破 300GB。而纵观当下最顶尖车型配置不难发现，300GB 的预估并不算夸张，甚至偏保守。据 TechNews 报道，特斯拉 HW4.0 自动驾驶平台搭载 32GB GDDR6/LPDDR 内存，今年全新 AI 4 + 平台直接
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智能汽车
DRAM
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闪存
据科技媒体Wccftech援引X平台业内账号Semiconductor Insider报道，华为正联合昇维旭在深圳启动一座12英寸DRAM晶圆制造项目。该工厂规划月产能14万片，先期采用28nm成熟工艺布局。报道称，项目一方面意在降低国内存储产品对外依存度，更关键的是为华为锁定长期稳定的DRAM供货渠道。对华为而言，布局DRAM早已超越手机终端零部件保供范畴，成为其AI全栈战略的核心一环。该工厂初期主攻成熟制程通用DRAM，暂不具备HBM量产能力。为压缩技术攻关周期、缩短工厂爬坡量产时间，合作项目团队正大
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DRAM
一则重磅行业消息显示相关进程推进速度远超预期：苹果现已开始测试长鑫存储（CXMT）生产的 DRAM 内存芯片，不排除未来将其纳入全品类产品供应链。苹果一边开展长鑫 DRAM 芯片测试，一边持续游说美国华盛顿当局，希望美方放宽针对中国产存储芯片的管控政策。据《金融时报》报道，苹果目前正在对中国长鑫存储的 DRAM 产品进行验证测试，这一动作预示，这家国内存储龙头短期内进入苹果庞大供应链的可能性大幅提升。此前《金融时报》已有报道，苹果一直在游说特朗普政府，希望获得采购长鑫 DRAM 芯片的许可。随后彭博社记者
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苹果
长鑫存储
DRAM
苹果寻求采购长鑫存储产品一事，正在重塑市场对这家DRAM厂商的定位。花旗认为，无论最终能否获得美国政府批准，苹果的这一举动本身已是对长鑫存储技术实力的有力背书。据中新经纬援引英国《金融时报》6月27日报道，六位知情人士透露，苹果正向美国政府游说，寻求获准采购长鑫存储的内存芯片，以缓解内存价格飙涨带来的成本压力。花旗在随后发布的研报中指出，苹果此举将长鑫存储的市场形象从"中国国产替代"重新定义为"可信赖的全球第四大DRAM制造商"。这一消息对长鑫存储及其供应链构成积极
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苹果
长鑫存储
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DRAM
LPDDR
6月29日，韩国政府宣布预计将在西南部建设四座芯片厂，投资约800万亿韩元，未来15年将在新一代存储、边缘人工智能、国防等芯片领域投资至少30万亿韩元。三星电子和SK海力士当天也将发布大规模投资计划，预计这两大存储企业今后十年的投资金额有望超过1000万亿韩元（约4.4243万亿元人民币）。韩国官员表示，预计五年内将DRAM生产能力翻倍，预计全球内存市场将在5年内增长四倍。从企业动向看，SK海力士计划7月10日在纳斯达克上市美国存托凭证（ADR），其6月24日公告称将发行规模最高达45.45万亿韩元（约2
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韩国
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DRAM
内存
三星
SK海力士
SK海力士今年一季度营业利润率72%，超过英伟达和台积电，是当下全球最赚钱的半导体公司。但这家公司最近在做一件出人意料的事：放缓HBM4量产扩张，把更多产能留给通用DRAM。据业内人士透露，SK海力士计划略微推迟部分原定向HBM4过渡的第五代HBM3E生产线的改造，计划通过提升目前利润率高于HBM的通用DRAM市场的响应速度来获取额外收入。截至目前SK海力士尚未正式确认相关安排。人工智能需求正拉动全球半导体行业整体上行，存储产业步入业内普遍期待的超级景气周期。不过，本轮盈利大涨的核心驱动力并非HBM，更多
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DRAM
HBM
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SK海力士
三星
据业内人士透露，SK海力士计划略微推迟部分原定向HBM4过渡的第五代HBM3E生产线的改造，计划通过提升目前利润率高于HBM的通用DRAM市场的响应速度来获取额外收入。SK海力士正加大力度开拓通用DRAM市场，同时调整第六代高带宽内存（HBM4）的量产步伐。该公司表示，由于HBM4的营收已占比超过40%，并占据绝对优势，因此正在重新分配资源，以确保从供应严重短缺的通用DRAM市场获得更多营收，而不是盲目地进行产能扩张。这一战略转型背后是普通DRAM和HBM盈利能力的逆转。截至今年第一季度，普通DRAM的每
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DRAM
HBM
SK海力士
三星电子、SK 海力士和美光科技三大巨头垄断 DRAM 内存芯片市场。当下，它们大部分产能都供给需求爆发的人工智能产业，挤压消费电子企业的芯片供货份额。
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存储芯片
DRAM
人工智能算力负载持续逼近传统存储系统性能极限，科研人员正跳出 DRAM、静态随机存储器（SRAM）传统技术路线，寻找可同步提升存储容量、带宽与能效的全新方案。比利时微电子研究中心 imec 近日公布两项铁电存储领域核心技术突破，有望破解上述行业难题。相关成果于 2026 年国际电子器件与半导体电路研讨会（IEEE / JSAP VLSI）发布，本次研发聚焦低压铁电电容与垂直堆叠铁电场效应晶体管（FeFET） 两大核心技术，二者可支撑未来超高密度存储架构落地。本次技术进展意义重大：它直击 AI 时代半导体产
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imec
铁电存储
人工智能
DRAM
韩国政府将加码布局下一代功率半导体，计划通过“超级创新经济项目”投放5000亿韩元（约22.3亿元人民币）财政资金用于技术研发，吸纳民间资本后项目总规模达7500亿韩元（约4.94亿美元）。《首尔经济日报》指出，韩国正将功率半导体定位为堪比存储芯片的核心战略产业。韩国业界担忧，倘若无法在这一领域建立核心竞争力，未来对海外企业及相关国家的技术依赖，或将成为自身一大短板。为此，韩国政府牵头启动专项研发，并推动下游应用企业深度参与技术攻关。韩国政府计划于本月内最终确定下一代功率半导体的商业化技术路线图，并要求产
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DRAM
功率半导体
证监会官网IPO辅导公示系统显示，紫光国芯与辅导券商中信建投已正式向陕西证监局提交辅导工作完成报告。该公司于2026年1月6日提交辅导备案，整个辅导周期约5个月。作为新紫光集团存储板块的重要企业，紫光国芯成立于2006年，前身为英飞凌西安存储事业部，截至2026年已积累20年的DRAM技术经验。从业务布局看，紫光国芯是国内少有的能够提供全系列、全品类DRAM存储产品，并具备完整芯片设计能力的企业。其核心业务覆盖存储颗粒、KGD芯片、模组系统、堆叠大带宽DRAM以及CXL主控芯片，同时还提供集成电路设计服务
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紫光国芯
IPO辅导
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存储芯片
国产替代
紫光集团
三维堆叠DRAM
TrendForce指出，随着一般型DRAM（Conventional DRAM）价格自2025年下半年以来大幅上涨，存储器市场供不应求情况持续恶化，三大DRAM原厂可望在2027年HBM议价中取得更强的定价主导权，预估HBM合约价格将出现倍数成长。TrendForce表示，由于HBM采年度议价机制，价格调整速度明显落后于现货及季度合约市场。 进入2026年第二季后，供应商与客户已开始针对2027年主流产品HBM4展开谈判。考量DRAM供给持续吃紧、HBM制造难度及成本大幅提高，三星、SK海力士及美光等原
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TrendForce
DRAM
HBM
美光在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂正式启动1α DRAM工艺的量产，该生产基地的DDR4晶圆供货规模将提升四倍，预计于2026年底完成全面量产。这一超20亿美元的投资，专为汽车、国防、航空航天及工业客户而设，旨在保障关键领域的DDR4长周期供给。随着整体芯片供应量放大，消费级市场上的炒货行情当即感到寒意，本周DDR4内存条跌幅迅速扩大直接印证了市场对“供应增加”的反应；另一方面，专业机构研判结构性短缺不改。TrendForce的最新存储器产业研究指出，Fab 6扩产主要反映美光内部产能配置调整，而非重启对消费性
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美光
DDR4
DDR5
HBM
三星
SK海力士
DRAM
据Tom’s Hardware引述美光声明报道，美光科技位于美国弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂已完成扩建并正式量产1α DRAM。这一技术成为美国本土最先进的存储器制造工艺。扩建完成后，该厂DDR4晶圆的供应量将提升4倍，标志着美国正加速推进本土存储器供应链的重建，以应对人工智能（AI）浪潮下传统DRAM供应紧张的局面。马纳萨斯厂主要生产DDR4与LPDDR4等长生命周期存储器，广泛应用于汽车、国防与航天、工业、网络通信及医疗设备等领域。随着全球三大DRAM厂商近年来将产能转向DDR5、LPDDR5X及高带宽
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美光科技
1α DRAM
DDR4
5月20日，韩国三星电子的劳资谈判再度宣告破裂，明天起将举行大罢工，这也将是该公司史上最大规模罢工。据韩联社报道，三星电子作为全球重要的存储芯片制造商，一旦发生罢工，可能进一步加剧由全球人工智能数据中心建设持续升温带来的全球半导体供应趋紧局面，其影响或波及汽车、计算机及智能手机等多个行业。今年3月中旬，由超过6.6万名三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。全面罢工将于5月21日至6月7日举行。不过，韩国水原地方法院5月18日批准了三星电子公司提出的部分禁令请求，责令该公司工
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三星
存储
DRAM
NAND
HBM
集邦咨询（TrendForce）表示，2026 年第二季度移动 DRAM 价格仍在大幅上涨，本已因整体内存供应紧张而削减生产计划的智能手机厂商，如今又面临新的成本压力。该机构最新的内存市场研究显示，LPDDR4X 解决方案的平均售价（ASP）预计在 2026 年第二季度环比至少上涨 70%–75%；LPDDR5X 涨幅更快，预计环比上涨 78%–83%。此前数个季度价格已连续大幅攀升，如今正直接影响手机产品规划。移动 DRAM 价格分化，供应商策略各异集邦咨询称，三星与 SK 海力士定价路线似乎不同：三星
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SK海力士
DRAM
三星
LPDDR
市场研究机构集邦咨询（TrendForce）最新发布的存储调查报告显示，2026年第二季度移动端DRAM合约价格继续大幅走高，智能手机厂商的成本压力正持续加剧。值得注意的是，韩国两大内存原厂在本轮涨价中采取了不同策略：三星倾向于一次性上调到位，涨幅较为明显；而SK海力士目前给出的临时报价涨幅相对缓和，采取逐级推高的节奏，预计到五月下旬才能完成最终定价。综合来看，集邦咨询预估，第二季度LPDDR4X的平均售价（ASP）环比涨幅至少为70%–75%，LPDDR5X则达到78%–83%。连续多个季度的高额涨价已
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DRAM
SK海力士
三星
存储
2026年全球半导体市场将迎来爆发式行情，市场研究机构Omdia上调行业收入增速预期至62.7%。此次预期上调，源于人工智能算力需求持续重塑基础设施建设格局，带动DRAM、NAND等存储芯片需求暴涨。这预示着整条供应链机遇与风险并存：既有元器件短缺隐忧，也面临系统成本上涨、产品设计优先级重构等变化。存储供需缺口进一步加剧本轮行业暴涨的核心，是存储芯片供需紧张局面持续加深。Omdia预计，2026年DRAM市场规模近乎翻倍，NAND市场规模较2025年最高有望增长四倍。关键诱因是行业集体转向高带宽内存HBM
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人工智能
DRAM
据韩国媒体报道，三星电子的新一代1d DRAM（第七代10nm工艺）因良率未达标，短期内可能无法实现量产，进而影响其下一代HBM内存的推进节奏。这一技术问题直接波及三星计划中的HBM5E产品大规模生产。一位接近三星内部的人士透露，三星电子决定在D1d良率达到预期目标之前无限期推迟量产计划，且尚未明确重启时间。公司正重新审视工艺路线图，以寻求良率提升的解决方案。尽管D1d DRAM技术此前已通过预生产批准（PRA），但因良率低于预期，三星对其试产和量产的投资回报率（ROI）表示担忧。D1d DRAM技术对三
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1d DRAM
良率问题
HBM5E
2026年4月23日，SK海力士今日发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告。 SK海力士2026年第一季度主要数据：营收52.58万亿韩元（2429.2亿元人民币），较上一季度的32.83万亿韩元增长60%，同比增长198%；营业利润 37.61 万亿韩元（1737.6 亿元人民币），同比增长 405.5%；净利润 40.34 万亿韩元（1863.7 亿元人民币），同比增长 397.6%。从季度业绩来看，销售额首次突破50万亿韩元大关，营业利润为37.6万亿韩元，营业利润率达
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SK海力士
DRAM
NAND
闪存
AI
本轮半导体行业复苏的核心引擎，当属NAND闪存的价格暴涨。据摩根士丹利证券预测，MLC（及成熟制程TLC）产品价格从今年首季到第四季涨幅将超过200%，下半年供需失衡幅度或达40%，缺口持续扩大助推价格飙升。DRAM涨幅逐步收敛，反观NAND价格动能转强，甚至超越DRAM：预估一般型DRAM在第二季度合约价格将上涨约58%-63%，NAND闪存则上涨约70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND产能几近消失，终端客户库存普遍仅剩六至九个月，供需结构转趋紧绷。大摩科技产业分析师在最新释出的报告中指
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LTA
存储器
闪存
DRAM
AI
闪迪
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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