据最新消息，三星电子已制定明确的技术路线图，计划在第7代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后引入VCT垂直通道晶体管技术。相关产品预计将在未来2到3年内问世。在规划下一代DRAM工艺时，三星电子曾面临两种选择：1e nm工艺和VCT DRAM技术。经过深入研究和对比，三星最终选择了VCT DRAM技术。相较于1e nm，VCT技术在性能和效率方面表现更优。为加快研发进度，三星电子还将原1e nm的先行研究团队并入1d nm研发团队，集中力量推进1d nm工艺的开发。VCT DRAM技术是一种新型存储
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三星电子 VCT DRAM
高性能人工智能（AI）数据中心正在以前所未有的方式重塑半导体设计版图和投资方向。早在2022年，AI基础设施方面的支出规模就已接近150亿美元。而今年这一数字可能轻松突破600亿美元大关。没错，“吸金”，各种资金正从各种投资计划中向数据中心涌入。显然，我们正处在一个人工智能资本支出空前高涨的时代——尽管DeepSeek等新入局者的潜在影响尚难以被准确估量。但不可否认的是，就在英伟达（Nvidia）、AMD等公司的高性能计算（HPC）处理器成为行业焦点的同时，用于存储训练和推理模型的高带宽内存同样迎来了属于
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数据中心 DRAM
4月9日消息，根据Counterpoint Research的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM营收市占率达到36%，而三星电子紧随其后，市占率为34%，美光则以25%的市占率位列第三，其他厂商合计占据剩余的5%。SK海力士预期，营收与市占率的增长至少会持续到下一季度，其还表示，公司在关键的HBM市场占有率高达70%。Counterpoint Research资深分析师Jeongku Choi
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在半导体领域，随着技术的不断演进，对CMOS（互补金属氧化物半导体）可靠性的要求日益提高。特别是在人工智能（AI）、5G通信和高性能计算（HPC）等前沿技术的推动下，传统的可靠性测试方法已难以满足需求。本文将探讨脉冲技术在CMOS可靠性测试中的应用，以及它如何助力这些新兴技术的发展。引言对于研究半导体电荷捕获和退化行为而言，交流或脉冲应力是传统直流应力测试的有力补充。在NBTI（负偏置温度不稳定性）和TDDB（随时间变化的介电击穿）试验中，应力/测量循环通常采用直流信号，因其易于映射到器件模型中。然而，结
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4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
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摄像头CMOS传感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像设备的核心部件，广泛应用于智能手机、安防监控、汽车电子、工业检测等领域。以下是国内外主流的CMOS传感器厂家及其主要特点和代表性型号：从智能手机到自动驾驶，从安防监控到工业检测，CIS的身影无处不在。随着技术不断演进，CIS市场格局也在悄然变化。今天，我们就来一次全景扫描，盘点国内外主流CMOS传感器厂商，以及那些正在崛起的新兴势力。当年最缺芯片的时候，我别的不担心，最担心买不到索尼的Sensor，结果一开始我们用中国台湾的可以替代
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根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，此举有助供应链中DRAM的库存去化。展望第二季，预估Conventional
DRAM（一般型DRAM）价格跌幅将收敛至季减0%至5%，若纳入HBM计算，受惠于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM价格皆持平上季因应国际形势变化，各主要PC OEM要求ODM提高整机组装量，将加速去化OEM手中的DRAM库存。为确保2025年下半年产线供料稳定，库存水
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当涉及到技术创新时，图像传感器的选择是设计和开发各种设备过程中一个至关重要的环节，这些设备包括专业或家庭安防系统、机器人、条形码扫描仪、工厂自动化、设备检测、汽车等。选择最合适的图像传感器需要对众多标准进行复杂的评估，每个标准都会影响最终产品的性能和功能。从光学格式和、动态范围到色彩滤波阵列（CFA）、像素类型、功耗和特性集成，这些标准的考虑因素多种多样，错综复杂。在各类半导体器件中，图像传感器可以说是最复杂的。这些传感器将光子转换为电信号，通过一系列微透镜、CFA、像素和模数转换器（ADC）产生数字输出
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3月7日消息，近日，综合韩联社、ZDNet Korea、MK等多家韩媒报道，SK海力士在内部宣布将关闭其CIS（CMOS图像传感器）部门，该团队的员工将转岗至AI存储器领域。SK海力士称其CIS团队拥有仅靠存储芯片业务无法获得的逻辑制程技术和定制业务能力。存储和逻辑半导体高度融合的趋势下，将CIS团队和存储部门聚合为一个整体，才能进一步提升企业的AI存储器竞争力。
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美光经过多代验证的 DRAM 技术和制造策略促成了这一优化的 1γ节点的诞生。
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3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
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3D DRAM
美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的 1γ（1-gamma）第六代（10 纳米级）DRAM 节点 DDR5 内存样品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 节点的领先优势，1γ DRAM 节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧 AI 设备（如 AI PC、智能手
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异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一，正引起整个半导体行业的广泛关注，但这种方法要真正实现商业化，仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而，以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技术，在非尺寸依赖追求应用多样性、多功能特点的现实需求，正在推动不同半导体材料的异质集成研究。为此，复旦大学微电子学院张卫教授、江南大学集成电路学院黄伟教授合作开展了Si CMOS+GaN单片异质集成的创新研究，并在近期国内重要会议上进行报道。复旦大学微电子学院研究生杜文张、何汉钊、范文琪等
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2 月 18 日消息，据 TheElec 报道，三星芯片部门的负责人上周亲自前往美国英伟达总部进行访问。此次访问的目的是向英伟达展示三星最新研发的 1b DRAM 芯片样品，该芯片主要用于高带宽内存（HBM）。消息人士透露，英伟达曾在去年要求三星改进其 1b DRAM 的设计，此次展示的样品正是基于英伟达的要求而改进后的成果。通常情况下，三星设备解决方案（DS）部门的负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见。IT之家注意到，三星在去年曾计划使用
1b DRAM 生产 HBM，但遭遇了良品率和过热问题。该
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据韩媒报道，近日，SK海力士成功完成了1c纳米制程DRAM的批量产品认证，连续多个以25块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求，预计SK海力士将在2月初正式启动1c纳米DRAM的量产。据了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功实现1c纳米工艺的 16Gb DDR5-8000 DRAM 内存开发。SK海力士曾表示，1c工艺技术将应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进的DRAM主力产品群，进一步巩固其在内存市场的领先地位。
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