证监会官网IPO辅导公示系统显示，紫光国芯与辅导券商中信建投已正式向陕西证监局提交辅导工作完成报告。该公司于2026年1月6日提交辅导备案，整个辅导周期约5个月。作为新紫光集团存储板块的重要企业，紫光国芯成立于2006年，前身为英飞凌西安存储事业部，截至2026年已积累20年的DRAM技术经验。从业务布局看，紫光国芯是国内少有的能够提供全系列、全品类DRAM存储产品，并具备完整芯片设计能力的企业。其核心业务覆盖存储颗粒、KGD芯片、模组系统、堆叠大带宽DRAM以及CXL主控芯片，同时还提供集成电路设计服务
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紫光国芯
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北交所
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国产替代
紫光集团
三维堆叠DRAM
TrendForce指出，随着一般型DRAM（Conventional DRAM）价格自2025年下半年以来大幅上涨，存储器市场供不应求情况持续恶化，三大DRAM原厂可望在2027年HBM议价中取得更强的定价主导权，预估HBM合约价格将出现倍数成长。TrendForce表示，由于HBM采年度议价机制，价格调整速度明显落后于现货及季度合约市场。 进入2026年第二季后，供应商与客户已开始针对2027年主流产品HBM4展开谈判。考量DRAM供给持续吃紧、HBM制造难度及成本大幅提高，三星、SK海力士及美光等原
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TrendForce
DRAM
HBM
美光在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂正式启动1α DRAM工艺的量产，该生产基地的DDR4晶圆供货规模将提升四倍，预计于2026年底完成全面量产。这一超20亿美元的投资，专为汽车、国防、航空航天及工业客户而设，旨在保障关键领域的DDR4长周期供给。随着整体芯片供应量放大，消费级市场上的炒货行情当即感到寒意，本周DDR4内存条跌幅迅速扩大直接印证了市场对“供应增加”的反应；另一方面，专业机构研判结构性短缺不改。TrendForce的最新存储器产业研究指出，Fab 6扩产主要反映美光内部产能配置调整，而非重启对消费性
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美光
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三星
SK海力士
DRAM
据Tom’s Hardware引述美光声明报道，美光科技位于美国弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂已完成扩建并正式量产1α DRAM。这一技术成为美国本土最先进的存储器制造工艺。扩建完成后，该厂DDR4晶圆的供应量将提升4倍，标志着美国正加速推进本土存储器供应链的重建，以应对人工智能（AI）浪潮下传统DRAM供应紧张的局面。马纳萨斯厂主要生产DDR4与LPDDR4等长生命周期存储器，广泛应用于汽车、国防与航天、工业、网络通信及医疗设备等领域。随着全球三大DRAM厂商近年来将产能转向DDR5、LPDDR5X及高带宽
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美光科技
1α DRAM
DDR4
高速成像技术已经成为现代工业、科学研究、医疗诊断以及消费电子等多个领域不可或缺的核心技术。随着应用需求向更高帧率、更高分辨率以及更低延迟的方向发展，高速成像技术正经历快速演进。传统成像技术在速度和灵敏度上存在一定的瓶颈，而高速CMOS图像传感器的出现，为实现高精度、高效率的成像提供了新的可能。 CMOS 图像传感器（互补金属氧化物半导体图像传感器）凭借制造工艺成熟、集成度高、功耗低、成本可控等优势，逐步取代 CCD 传感器，成为高速成像系统的核心组件。近年来，高速 CMOS 传感器通过背照式设计
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CMOS
传感器
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本周，比利时纳米技术权威研究机构 Imec 在年度技术论坛（ITF）上发布最新半导体技术路线图，为芯片制造业勾勒出充满挑战的前行方向。目前几乎所有芯片通用的互补式金属氧化物半导体（CMOS）晶体管，其下一代核心形态为互补场效应晶体管（CFET）。Imec 预测，该器件将于2033 年左右正式实现商用落地。Imec 核心路线图名词释义新版路线图显示，2033 年前后 A7 工艺节点将迎来晶体管结构革新，各项参数释义如下：A7：业内所称 7 埃工艺节点，仅为制程命名，不代表晶体管实际存在 7 埃尺寸结构。CP
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CMOS
摩尔定律
CFET
Imec
5月20日，韩国三星电子的劳资谈判再度宣告破裂，明天起将举行大罢工，这也将是该公司史上最大规模罢工。据韩联社报道，三星电子作为全球重要的存储芯片制造商，一旦发生罢工，可能进一步加剧由全球人工智能数据中心建设持续升温带来的全球半导体供应趋紧局面，其影响或波及汽车、计算机及智能手机等多个行业。今年3月中旬，由超过6.6万名三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。全面罢工将于5月21日至6月7日举行。不过，韩国水原地方法院5月18日批准了三星电子公司提出的部分禁令请求，责令该公司工
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三星
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DRAM
NAND
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集邦咨询（TrendForce）表示，2026 年第二季度移动 DRAM 价格仍在大幅上涨，本已因整体内存供应紧张而削减生产计划的智能手机厂商，如今又面临新的成本压力。该机构最新的内存市场研究显示，LPDDR4X 解决方案的平均售价（ASP）预计在 2026 年第二季度环比至少上涨 70%–75%；LPDDR5X 涨幅更快，预计环比上涨 78%–83%。此前数个季度价格已连续大幅攀升，如今正直接影响手机产品规划。移动 DRAM 价格分化，供应商策略各异集邦咨询称，三星与 SK 海力士定价路线似乎不同：三星
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SK海力士
DRAM
三星
LPDDR
市场研究机构集邦咨询（TrendForce）最新发布的存储调查报告显示，2026年第二季度移动端DRAM合约价格继续大幅走高，智能手机厂商的成本压力正持续加剧。值得注意的是，韩国两大内存原厂在本轮涨价中采取了不同策略：三星倾向于一次性上调到位，涨幅较为明显；而SK海力士目前给出的临时报价涨幅相对缓和，采取逐级推高的节奏，预计到五月下旬才能完成最终定价。综合来看，集邦咨询预估，第二季度LPDDR4X的平均售价（ASP）环比涨幅至少为70%–75%，LPDDR5X则达到78%–83%。连续多个季度的高额涨价已
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DRAM
SK海力士
三星
存储
索尼半导体解决方案公司与台积电就下一代图像传感器战略合作签署初步协议索尼与台积电今日宣布，双方已签署一份无约束力谅解备忘录（MOU），拟在下一代图像传感器的研发与制造领域建立战略合作关系。根据合作规划，索尼与台积电拟设立合资公司（JV），由索尼担任控股股东并负责运营管理，并在索尼位于日本熊本县越市的新建晶圆厂内搭建研发与产线。双方将通过合资公司，结合索尼在图像传感器设计领域的技术积累，以及台积电在先进工艺与制造方面的核心优势，全面提升图像传感器性能。谅解备忘录签署后，双方正就合资公司的潜在投资事宜展开磋商
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索尼
台积电
图像传感器
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2026年全球半导体市场将迎来爆发式行情，市场研究机构Omdia上调行业收入增速预期至62.7%。此次预期上调，源于人工智能算力需求持续重塑基础设施建设格局，带动DRAM、NAND等存储芯片需求暴涨。这预示着整条供应链机遇与风险并存：既有元器件短缺隐忧，也面临系统成本上涨、产品设计优先级重构等变化。存储供需缺口进一步加剧本轮行业暴涨的核心，是存储芯片供需紧张局面持续加深。Omdia预计，2026年DRAM市场规模近乎翻倍，NAND市场规模较2025年最高有望增长四倍。关键诱因是行业集体转向高带宽内存HBM
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半导体
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据韩国媒体报道，三星电子的新一代1d DRAM（第七代10nm工艺）因良率未达标，短期内可能无法实现量产，进而影响其下一代HBM内存的推进节奏。这一技术问题直接波及三星计划中的HBM5E产品大规模生产。一位接近三星内部的人士透露，三星电子决定在D1d良率达到预期目标之前无限期推迟量产计划，且尚未明确重启时间。公司正重新审视工艺路线图，以寻求良率提升的解决方案。尽管D1d DRAM技术此前已通过预生产批准（PRA），但因良率低于预期，三星对其试产和量产的投资回报率（ROI）表示担忧。D1d DRAM技术对三
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三星
1d DRAM
良率问题
HBM5E
2026年4月23日，SK海力士今日发布截至2026年3月31日的2026财年第一季度财务报告。 SK海力士2026年第一季度主要数据：营收52.58万亿韩元（2429.2亿元人民币），较上一季度的32.83万亿韩元增长60%，同比增长198%；营业利润 37.61 万亿韩元（1737.6 亿元人民币），同比增长 405.5%；净利润 40.34 万亿韩元（1863.7 亿元人民币），同比增长 397.6%。从季度业绩来看，销售额首次突破50万亿韩元大关，营业利润为37.6万亿韩元，营业利润率达
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SK海力士
DRAM
NAND
闪存
AI
本轮半导体行业复苏的核心引擎，当属NAND闪存的价格暴涨。据摩根士丹利证券预测，MLC（及成熟制程TLC）产品价格从今年首季到第四季涨幅将超过200%，下半年供需失衡幅度或达40%，缺口持续扩大助推价格飙升。DRAM涨幅逐步收敛，反观NAND价格动能转强，甚至超越DRAM：预估一般型DRAM在第二季度合约价格将上涨约58%-63%，NAND闪存则上涨约70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND产能几近消失，终端客户库存普遍仅剩六至九个月，供需结构转趋紧绷。大摩科技产业分析师在最新释出的报告中指
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NAND
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存储器
闪存
DRAM
AI
闪迪
核心要点Rowhammer（行锤） 仍是 DRAM 的主要安全威胁，Rowpress（行压） 正成为新的相关威胁。内存控制器发出的新型刷新指令可缓解问题，但并非完美解决方案。更小的垂直结构 DRAM 单元有望从根本上消除问题，但距离量产仍需数年。Rowhammer 已经困扰了数代 DRAM 产品，并且随着制程进步愈发严重。与之相关的新型漏洞 Rowpress 也随之出现。新的刷新指令可以减轻不良影响，但要彻底根除问题，可能只能依靠新一代 DRAM 存储单元结构。新思科技（Synopsys）应用工程执行董事
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DRAM
安全危机
如今的内存市场，简直像维多利亚时代那位被焦虑裹挟的贵妇一样歇斯底里。最典型的例子就是通用 DRAM 领域：现货价格小幅回调，就引发了 “行业末日” 的唱衰论调，甚至连带股价大跌。但三星这类真正的行业巨头却始终淡定，并且铁了心按计划持续提价。三星 2026 年一季度 DRAM 价格翻倍后，二季度内存产品再平均涨价 30%据韩国《ETNews》报道，三星已对其 DRAM 产品执行 ** 季度环比约 30%的提价供货。关键在于，此次涨价是在2026 年一季度 DRAM 均价同比大涨 100%** 的基础上继续上
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三星
DRAM
TrendForce最新存储器产业研究指出，大厂逐步退出成熟DDR4以下产品制造的策略不变，在市场供给结构持续收敛下，过去几个月，整体价格已累积惊人涨幅。 由于目前市场供需仍未平衡，市场普遍看好，内存报价涨势，至少将延伸到今年下半年。TrendForce考量供给持续缩减，以及订单转移，但台厂产能扩张不及等因素，预估2026年第二季consumer DRAM合约价格，仍将持续季增45~50%。内存业者则更乐观的预期，今年全年价格都将维持向上趋势。TrendForce表示，2026年3月consumer DR
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内存
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DRAM
韩国媒体ETnews报道，三星在一季度将DRAM合约价上涨了100%之后，二季度的DRAM合约价将再度上涨30%。由于随着对AI基础设施投资的扩展，包括三星在内的主要内存制造商将产能集中在HBM上，通用DRAM的供应变得不足，导致价格急剧上涨。据悉，三星已确认于3月底与主要客户完成价格谈判，并签署了供应合同。DRAM合约价30%的涨幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手机所需的通用DRAM。而三星此前在第一季度已经将DRAM的平均价格提高了100%。这意味着，如果2025年DRAM价格为10000韩元
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SK海力士
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4月2日，据外资投行摩根士丹利针对美光科技（Micron）的跟踪报告显示，美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投资人会议中透露，尽管美光正在加速扩产DRAM，但新产能最快要到2027年底才能出货。因此，DRAM供不应求的局面将持续至2027年。此外，部分关键半导体设备的产能不足也是导致这一现象的重要原因。 目前，人工智能芯片对高带宽内存（HBM）的强劲需求，成为DRAM市场供不应求的核心瓶颈。美光计划在2025年第三季度将其HBM市场份额提升至与整体DRAM市场份额持平的水平
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美光
DRAM
根据上交所官网披露的信息显示，国产DRAM巨头长鑫科技科创板IPO审核状态变更为“中止”，引起市场关注。关于此次“中止”，上交所给出的说明为“长鑫科技集团股份有限公司因发行上市申请文件中记载的财务资料已过有效期，需要补充提交。”需要指出的是，目前的“中止”状态并非“终止”。本次“中止”属于IPO审核过程中的技术性暂停，而非审核终止，不妨碍企业IPO的正常审核，通常在企业补充披露审计材料并提交更新稿后，审核程序将恢复，上市进程未受实质性影响。针对此次IPO中止，长鑫科技相关消息人士明确回应，此次状态调整属于
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长鑫科技
IPO
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中东冲突的蔓延正通过氦气短缺影响半导体供应链。伊朗对全球主要氦气生产国卡塔尔的设施发动袭击，导致现货价格翻番，并加剧了合同压力。氦气在晶圆刻蚀中不可替代，这对芯片生产构成重大风险，尤其对三星电子和SK海力士等韩国企业造成严重影响 —— 市值蒸发超过2000亿美元。最新报告显示，伊朗对卡塔尔能源设施的袭击严重影响了氦气（被誉为“黄金气体”）的供应。这种看似“小众”的工业气体正逐渐成为全球芯片产业的关键风险因素。据报道，卡塔尔占全球氦气供应量的30%以上，其核心生产设施受损导致全球供应骤减。短短两周内，氦气现
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据彭博社报道，存储芯片巨头闪迪（Sandisk）旗下子公司闪迪科技（Sandisk Technology）近日通过私募配售方式，以10亿美元收购南亚科技1.39亿股股份，占其流通普通股比例约3.9%。 南亚科技是中国台湾地区的一家领先DRAM芯片制造商，专注于消费电子、计算机及服务器等领域的DRAM产品研发与生产。根据双方达成的多年战略供应协议，南亚科技将向闪迪科技持续供应DRAM产品。这标志着双方的合作从单纯的买卖关系升级为资本纽带下的深度绑定。 此次交易价格较南亚科技30日均价折让
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闪迪
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供应链合作
最新消息，由超过6.6万名韩国三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。若无重大变化，三星电子工会成员将于5月21日至6月7日全面罢工。据悉，本次罢工将是三星史上最大规模的罢工计划。关键诉求：取消绩效奖金上限三星劳资双方此前就2026年薪资问题进行了多轮谈判，但双方就部分议题的分歧持续扩大，谈判最终破裂。如果此次罢工得以实施，这将是三星自1969年成立以来遭遇的第二次大罢工，距离上一次2024年7月的25天总罢工仅不到两年。三星工会要求提高绩效奖金计算标准的透明度，取消绩效奖金
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三星
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HBM
据韩媒Chosun Biz、韩联社等援引市调机构Counterpoint Research数据显示，2026年第一季度，64GB服务器级DRAM模块（RDIMM）DDR5价格较2025年第四季度上涨150%，移动终端用12GB LPDDR5X上涨130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，价格也暴涨180%。不仅是DRAM价格出现130%~180%的大幅上涨，NAND产品线也上涨约130%~150%，涨幅远超此前预期的季度增长100%。业界预测，存储供应短缺状况预计将持续至2027年下半年。A
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SK 海力士宣布，已成功开发基于第六代 10 奈米级（1c）制程技术的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，该产品已完成全球首度 1c LPDDR6 验证，预计今年上半年完成量产准备，并于下半年开始供货。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一种主要应用于智能手机与平板等行动装置的低功耗 DRAM 标准，通过低电压运作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要锁定 On-device AI 应用，例如智能手机、平板电脑等终端设备。与
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LPDDR6 DRAM
今天思特威（SmartSens，股票代码：688213）宣布，全新推出1200万像素AI眼镜应用CMOS图像传感器——SC1220IOT。SC1220IOT基于思特威SmartClarity®-XL技术平台打造，采用55nm Stacked BSI工艺制程，搭载思特威先进的SFCPixel®-2及ColGain HDR®技术，支持低功耗常开Always-On功能，具备低功耗、高动态范围、低噪声等多项核心性能优势。SC1220IOT出色的综合成像性能，可充分满足AI眼镜及AR/VR等智能可穿戴设备的高质量影
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