首页　 资讯　 商机 　 下载　 拆解 　 高校　 招聘 　 杂志　 会展　 EETV　 百科 　 问答　 电路图　 工程师手册 　 Datasheet　 100例 　 活动中心　 E周刊阅读 　 样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> cmos.dram

cmos.dram 文章 进入cmos.dram技术社区

业内首颗！国产 1.8 亿像素相机全画幅 CMOS 图像传感器成功试产

  • 8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，该公司与思特威联合推出业内首颗 1.8 亿像素全画幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 图像传感器），为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择。▲ 产品图，图源晶合集成，下同据介绍，为满足 8K 高清化的产业要求，高性能 CIS 的需求与日俱增。晶合集成基于自主研发的 55 纳米工艺平台，携手思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上，所能覆盖一个常规光罩的极限，同时确保在纳米级的制造工艺中，拼接后的芯片依
  • 关键字： CMOS  图像传感器  CIS  

第二季DRAM产业营收季增24.8%，预期第三季合约价将上调

  • 根据TrendForce集邦咨询调查，受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长，2024年第二季整体DRAM（内存）产业营收达229亿美元，季增24.8%。价格方面，合约价于第二季维持上涨，第三季因国际形势等因素，预估Conventional DRAM（一般型内存）合约价涨幅将高于先前预期。观察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出货表现，均较前一季有所增加，平均销售单价方面，三大厂延续第一季合约价上涨情势，加上台湾地区四月初地震影响，以及HBM
  • 关键字： DRAM  TrendForce  集邦咨询  

imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构

  • 比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后，9纳米和5纳米（间距19纳米）的随机逻辑结构、中心间距为30纳米的随机通孔、间距为22纳米的二维特征，以及间距为32纳米的动态随机存取内存（DRAM）专用布局全部成功成形，采用的是由imec与其先进图形化研究计划伙伴所优化的材料和基线制程。透过这些研究成果，imec证实该微影技术的生态系
  • 关键字： imec  High-NA  EUV  DRAM  

外媒：三星推出超薄型手机芯片LPDDR5X DRAM

  • 8月7日消息，随着移动设备功能的不断增强，对内存性能和容量的要求也日益提高。据外媒gsmarena报道，三星电子近日宣布，公司推出了业界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。这款12纳米级别的芯片拥有12GB和16GB两种封装选项，专为低功耗RAM市场设计，主要面向具备设备端AI能力的智能手机。gsmarena这款新型芯片的厚度仅为0.65毫米，比上一代产品薄了9%。三星估计，这一改进将使其散热性能提高21.2%。gsmarena三星通过优化印刷电路板（PCB）和环氧树脂封装技术，将LPDDR5X的厚度
  • 关键字： 三星  手机芯片  LPDDR5X DRAM  

HBM排挤效应 DRAM涨势可期

  • 近期在智慧手机、PC、数据中心服务器上，用于暂时储存数据的DRAM价格涨势停歇，买家拉货不积极，影响DRAM报价涨势。 业者期待，SK海力士、三星及美光前三大厂HBM产能增开，对一般型DRAM产生的排挤效应，加上产业旺季来临，可带动DRAM重启涨势。 据了解，6月指针性产品DDR4 8GB合约价约2.10美元、容量较小的4GB合约价1.62美元左右，表现持平，主要是供需双方对价格谈判，呈现拉锯状况。而另一方面，三星新一代HBM3E，据传有望通过辉达（NVIDIA）认证，辉达GB200将于2025年放量，其
  • 关键字： HBM  DRAM  美光  

圆满收官！紫光国芯慕尼黑上海电子展2024展现科技创新实力

  • 圆满收官！紫光国芯慕尼黑上海电子展2024展现科技创新实力2024年7月8日至10日，西安紫光国芯半导体股份有限公司（简称：紫光国芯，证券代码：874451）精彩亮相慕尼黑上海电子展。紫光国芯聚焦人工智能、高性能计算、汽车电子、工业控制、消费电子等重点领域，为客户提供全方面的存储产品及相关技术解决方案。展会现场重点展示了DRAM存储系列产品、SeDRAM®技术和CXL技术、新品牌云彣（UniWhen®）和SSD产品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD产品系列DRAM KGD展区首次展示了紫
  • 关键字： 紫光国芯  慕尼黑电子展  DRAM  SeDRAM  CXL  

内存制造技术再创新，大厂新招数呼之欲出

  • 制造HBM难，制造3D DRAM更难。
  • 关键字： HBM  3D DRAM  

服务器支撑下半年需求，预估DRAM价格第三季涨幅达8-13%

  • 根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示，由于通用型服务器(general server)需求复苏，加上DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度，第三季DRAM均价将持续上扬。DRAM价格涨幅达8~13%，其中Conventional DRAM涨幅为5-10%，较第二季涨幅略有收缩。TrendForce集邦咨询指出，第二季买方补库存意愿渐趋保守，供应商及买方端的库存水平未有显著变化。观察第三季，智能手机及CSPs仍具补库存的空间，且将进入生产旺季，因此预计智能手机
  • 关键字： 服务器  DRAM  TrendForce  

SK海力士5层堆叠3D DRAM新突破：良品率已达56.1%

  • 6月25日消息，据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展，并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3D DRAM单元，其中超过一半（即561个）为良
  • 关键字： SK海力士  3D DRAM  

云端CSPs将扩大边缘AI发展，带动2025年NB DRAM 平均搭载容量增幅至少达7%

  • 全球市场研究机构TrendForce集邦咨询观察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等厂商，将仍为采购高阶主打训练用AI server的主力客群，以作为LLM及AI建模基础。待2024年CSPs逐步完成建置一定数量AI训练用server基础设施后，2025年将更积极从云端往边缘AI拓展，包含发展较为小型LLM模型，以及建置边缘AI server，促其企业客户在制造、金融、医疗、商务等各领域应用落地。此外，因AI PC或NB在计算机设备基本架构组成与
  • 关键字： 云端  CSPs  边缘AI  DRAM  TrendForce  

HBM供应吃紧催生DRAM涨价 美光股价飙涨

  • 内存大厂美光预计6月26日公布季报，自美光的高带宽内存（HBM）开始供货给辉达后，已化身为AI明星股，年初至今，美光股价大涨近七成，市值大增636.26亿美元，至1,545.22亿美元。 市场分析师预期，美光经营层将大谈需求改善、行业供应紧张、价格进一步上扬，以及他们供应给辉达和其他AI芯片厂商的HBM，下一世代的发展，提出对后市正向的看法。由于AI应用的需求，人们对DRAM、HBM的兴趣与日俱增，且内存市场通常存在「FOMO」（Fear of missing out）现象，意思是「害怕错失机会」，在美光
  • 关键字： HBM  DRAM  美光  

美光后里厂火灾 公司声明营运未受任何影响

  • 中国台湾美光内存后里厂20日下午5点34分发生火警，火势快速扑灭，无人伤亡，美光昨深夜发出声明指出，台中厂火警厂区营运未受任何影响。 台中市消防局昨日傍晚5时34分获报，中国台湾美光位在后里区三丰路的厂房发生火灾，消防局抵达时厂区人员已将火势扑灭，无人受伤，原因有待厘清。根据经济日报报导，美光针对台中厂火警一事发出声明，经查证所有员工与承包商安全无虞，且厂区营运未受任何影响。美光是国际三大DRAM厂商，市占约19.2％，与前两大三星及SK海力士合计市占达96％。美光高达65％的DRAM产品在中国台湾生产，
  • 关键字： 美光  DRAM  

通用 DRAM 内存仍供大于求，消息称三星、SK 海力士相关产线开工率维持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息，韩媒 ETNews 援引业内人士的话称，韩国两大存储巨头三星电子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 内存产能利用率维持在 80~90% 水平。韩媒宣称，这一情况同主要企业已实现生产正常化的 NAND 闪存产业形成鲜明对比：除铠侠外，三星电子和 SK 海力士也已于本季度实现 NAND 产线满负荷运行。报道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常规 DDR、LPDDR）需求整体萎靡，市场仍呈现供大于求的局面，是下游传统服务器、智能手机和 PC 产业复苏缓慢导致的
  • 关键字： DRAM  闪存  三星  海力士  

使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管

  • 为特定CMOS工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路晶体管的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。我最近写了一系列关于CMOS反相器功耗的文章。该系列中的模拟采用了LTspice库中预加载的nmos4和pmos4模型。虽然这种方法完全适合这些文章，但如果我们的主要目标是准确模拟集成电路MOSFET的电学行为，那么结合一些外部SPICE模型是有意义的。在本文中，我将介绍下载用于IC设计的高级SPICE模型并在LTspice原理图中使用它们的过程。然后，我们将使用下载的模型对NMOS晶体管进
  • 关键字： CMOS，MOSFET  晶体管，Spice模型  

合约价劲涨护身 DRAM不怕淡季 Q1营收季增

  • 2024年第一季DRAM产业，受到主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大，带动营收较前一季度成长5.1％，达183.5亿美元，推动多数业者营收呈季增趋势。TrendForce指出，第一季三大原厂出货皆季减，反映产业淡季效应，加上下游业者的库存水平垫高，采购量明显衰退。三大原厂延续着2023年第四季合约价上涨氛围，再加上库存仍处于健康水位，涨价意图强烈。其中，中系手机销售畅旺，带动mobile DRAM的价格涨幅领先所有应用，而consumer DRAM的原厂库存仍待去化，拖累价格涨幅居所有应用之
  • 关键字： 存储器  DRAM  TrendForce  
共2779条 3/186 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

cmos.dram介绍

您好，目前还没有人创建词条cmos.dram!
欢迎您创建该词条，阐述对cmos.dram的理解，并与今后在此搜索cmos.dram的朋友们分享。    创建词条

cmos.dram电路

更多

cmos.dram相关帖子

更多

cmos.dram资料下载

更多

cmos.dram专栏文章

更多

热门主题

CMOS.DRAM    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052    京公网安备11010802012473