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cmos.dram 文章 进入cmos.dram技术社区

合约价上涨抵消淡季效应，推升DRAM第一季营收季增5.1%

  • 根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，2024年第一季DRAM产业主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大，带动营收较前一季度成长5.1%，达183.5亿美元，推动多数业者营收延续季增趋势。出货表现上，第一季三大原厂皆出现季减，反映产业淡季效应，加上下游业者的库存水平已垫高，采购量明显减弱。平均销售单价方面，三大原厂延续着2023年第四季合约价上涨氛围，再加上库存仍处于健康水位，故涨价意愿强烈。其中，中系手机销售畅旺，带动Mobile DRAM的价格涨幅领先所有应用，而Co
  • 关键字： 淡季效应  DRAM  TrendForce  集邦咨询  

南亚科技：首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 明年初试产

  • IT之家 5 月 30 日消息，综合台媒《工商时报》《经济日报》报道，南亚科技在昨日的年度股东常会上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 颗粒将于明年初进入试产阶段。南亚科技目前已在进行 1B nm 制程的 DRAM 试产，涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。南亚科技表示其首批 DDR5 内存将在下半年少量试产，明年进一步提升产量。此外南亚科技还在 1B nm 节点规划了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 内存、16
  • 关键字： 南亚科技  内存  DRAM  

美光计划投资约300亿元在日本新建DRAM厂

  • 据日媒报道，美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆（约合人民币277-369亿元）在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片。这座新厂房将于2026年初动工，并安装极紫外光刻（EUV）设备。消息称最快2027年底便可投入营运。报道称，此前，日本政府已批准多达1920亿日圆补贴，支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。去年，日本经济产业省曾表示，将利用这笔经费协助美光科技生产芯片，这些芯片将是推动生成式AI、数据中心和自动驾驶技术发展的关键。
  • 关键字： 美光  DRAM  日本  EUV  

CMOS反相器开关功耗的仿真

  • 当CMOS反相器切换逻辑状态时，由于其充电和放电电流而消耗功率。了解如何在LTspice中模拟这些电流。本系列的第一篇文章解释了CMOS反相器中两大类功耗：动态，当反相器从一种逻辑状态变为另一种时发生。静态，由稳态运行期间流动的泄漏电流引起。我们不再进一步讨论静态功耗。相反，本文和下一篇文章将介绍SPICE仿真，以帮助您更彻底地了解逆变器的不同类型的动态功耗。本文关注的是开关功率——当输出电压变化时，由于电容充电和放电而消耗的功率。LTspice逆变器的实现图1显示了我们将要使用的基本LTspice逆变器
  • 关键字： CMOS，反相器，功耗  仿真，LTspice  

HBM火热效应 DRAM下半年 可望供不应求

  • 三星、SK海力士及美光等国际内存巨擘，皆积极投入高带宽内存（HBM）制程，法人表示，在产能排挤效应下，下半年DRAM产品恐供不应求，预期南亚科、威刚及十铨等业者受惠。据TrendForce研究，DRAM原厂提高先进制程投片，产能提升将集中今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片，至年底将占DRAM总投片比重约40％。由于HBM获利表现佳，加上需求续增，生产排序最优先。以HBM最新发展进度来看，2024年HBM3e将是市场主流，集中在2024年下半年出货。SK海力士依旧是主要供货商，与美光均采1be
  • 关键字： HBM  DRAM  TrendForce  

CMOS反相器的功耗

  • 本文解释了CMOS反相器电路中的动态和静态功耗。为集成电路提供基本功能的CMOS反相器的发展是技术史上的一个转折点。这种逻辑电路突出了使CMOS特别适合高密度、高性能数字系统的电气特性。CMOS的一个优点是它的效率。CMOS逻辑只有在改变状态时才需要电流——简单地保持逻辑高或逻辑低电压的CMOS电路消耗的功率非常小。一般来说，低功耗是一个理想的功能，当你试图将尽可能多的晶体管功能封装在一个小空间中时，这尤其有益。正如计算机CPU爱好者提醒我们的那样，充分去除集成电路中的热量可能很困难。如果没有CMOS反相
  • 关键字： CMOS，反相器，功耗  

三星和SK海力士计划今年下半年将停产DDR3

  • 近两年，DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡，此外在存储器市场经历低迷后，供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称，全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存，全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格上涨，预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3；而SK海力士则在去年
  • 关键字： 三星  SK海力士  内存  DRAM  HBM  

SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

  • IT之家 5 月 14 日消息，据韩媒 Hankyung 报道，两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。相较于通用 DRAM，HBM 内存坐拥更高单价，不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅 HBM 内存，通用 DRAM（如标准 DDR5）的价格年内也不会
  • 关键字： 海力士  三星  DRAM  

第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%；NAND Flash约15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。403地震发生前，TrendForce集邦咨询原先预估，第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%；NAND Flash为13~18%，相较第一季涨幅明显收敛，当时从合约价先行指标的现货价格就可看出，现货价已出现连续走弱，上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因，主要是除了AI以外的终端需求不振，尤其笔电、智能手机
  • 关键字： DRAM  NAND Flash  TrendForce  

Teledyne e2v宣布扩展其Flash CMOS图像传感器系列

  • Teledyne Technologies[纽交所代码：TDY]旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列，推出Flash 2K LSA，该产品专门适用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光轮廓应用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS图像传感器专为三维激光轮廓/位移应用和高速/高分辨率检测量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K传感器的衍生产品，适用于需要大沙伊姆弗勒角度的应用，其角度响应在30°角度下为四倍以上，在
  • 关键字： CMOS  图像传感器  Flash  

2025年HBM价格调涨约5~10%，占DRAM总产值预估将逾三成

  • 根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。2024年HBM
  • 关键字： HBM  DRAM  TrendForce  

SK海力士计划在清州M15X工厂新建DRAM生产基地

  • 自SK海力士官网获悉，4月24日，SK海力士宣布，为应对AI半导体需求的急剧增长，计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。SK海力士表示，若理事会批准该计划，三星电子将在忠北清州M15X工厂建立新的DRAM生产基地，并投资5.3万亿韩元用于建设新工厂。该工厂计划于4月底开始建设，目标是在2025年11月完工，并进行早期批量生产。随着设备投资的逐步增加，新生产基地的长期总投资将超过20万亿韩元。（图源：SK海力士官网）SK海力士总经理郭鲁正(Kwak Noh-Jung)称，M15X将成
  • 关键字： SK海力士  AI  DRAM  

TTL与CMOS，很基础但很多人不知道

  • 问题引入在工作中，会遇到OC门与OD门的称谓。而感性的认识一般为：OD门是采用MOS管搭建的电路，压（电压）控元器件。OC门是采用晶体管搭建的电路，流（电流）控元器件。而OD门的功率损耗一般是小于OC门，为什么？电平TTL电平：输出电平：高电平Uoh >=2.4v 低电平Uol <= 0.4v输入电平：高电平Uih >= 2.0v 低电平 Uil <= 0.8vCMOS电平：输出电平：高电平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND输入电平：高电平Uih >= 0.7*VCC U
  • 关键字： TTL电路  CMOS  

存储大厂技术之争愈演愈烈

  • AI、大数据等应用催生海量存储数据需求，也对存储技术提出了更高要求，这一背景下，存储大厂技术竞争愈演愈烈。闪存方面，大厂聚焦层数突破。近期，韩媒报道，三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存，该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存，即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构，层数将达到290层。另据业界预测，三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层，届时三星将换用三堆栈结构。而更遥远的未来，三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年
  • 关键字： 存储器  DRAM  TrendForce  

美光：预计台湾地区地震对本季度 DRAM 内存供应造成中等个位数百分比影响

  • IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美国证券交易委员会 SEC 递交 8-K 重大事项公告，预计本月初的台湾地区地震对其二季度 DRAM 内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据 TrendForce 集邦咨询此前报告，地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙，设施、基建和生产工具未遭受永久性损害，长期 DRAM 内存供应能力也没有遇到影响。直至公告发稿时，美光尚未在震后全面恢复 DRAM 生产，但得
  • 关键字： DRAM  闪存  美光  
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