- 4月26日消息，在近日举办的北美技术论坛上，台积电首次公开了N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。台积电没有给出具体数据，只是比较了几个工艺缺陷率随时间变化的趋势。台积电N2首次引入了GAAFET全环绕晶体管，目前距离大规模量产还有2个季度，也就是要等到年底。N2试产近2个月来，缺陷率和同期的N5/N4差不多，还稍微低一点，同时显著优于N7/N6、N3/N3P。从试产到量产半年的时间周期内，N7/N6的综合缺陷率是最高的，N3/N3P从量产开始就低得多了，
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台积电 N2 2nm 缺陷率 3nm 5nm 7nm
- 4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC处理器「Venice」正式完成投片（tape out），成为业界首款采用台积电2nm（N2）制程技术的高效能运算（HPC）处理器，预计将于明年上市。这也是AMD首次拿下台积电最新制程工艺的首发，而以往则都是由苹果公司的芯片首发。N2是台积电首个依赖于全环绕栅极晶体管（Gate All Around，GAA）的工艺技术，预计与N3（3nm）相比，可将功耗降低24%至35%，或者在相同运行电压下的性能提高15%，同时晶体管密度是N3的1.15倍，这些提升主要得
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AMD N2 制程 台积电
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