随着台积电的财报电话会议即将到来（7月17日），国内外券商纷纷发表关键预测。虽然台积电第二季度的营收强劲达到319亿美元（新台币9338亿），超过了284亿至292亿美元的指引，分析师现在预计第三季度的销售额将大致持平甚至略有下降。以下是十家主要券商对台积电明天财报电话会议三个关键话题的见解。Q3 和全年营收展望摩根大通、摩根士丹利和富邦的分析师主要将台积电第二季度的强劲营收归因于晶圆价格上涨和客户在关税之前提前下单。但第三季度可能会更具挑战性，券商预计该季度将持平——从个位数低增长（中金公司、瑞银、大和
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在特朗普政府持续的关税威胁中，以台积电为中心的台湾半导体生态系统的焦虑正在上升。与三星电子和 SK 海力士不同，台积电宣布计划投资超过 1000 亿美元，以应对特朗普政府上台后的关税政策。据悉，不仅台积电，其制造合作伙伴也在增加对美国的投资，但随着特朗普的关税威胁持续存在，对这种情况的不满正在公开表达。10日据业内人士透露，包括台积电在内的中国台湾制造业决心制定应对美国关税的策略。《中国台湾经济新闻》报道称，“由于美国关税导致订单量减少、半导体关税负担以及强势新台币的压力，中国台湾制造业担心本月底将成为&
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7 月 10 日，台积电公布了 2025 年 6 月的净收入。合并营收约为 2,637.1 亿新台币，较 2025 年 5 月减少 17.7%，与 2024 年 6 月相比增加 26.9%。据工商时报援引投资者的话称，环比下跌主要是由于新台币升值。正如《商业时报》所指出的，虽然对 AI 和 HPC 的需求保持稳定，但 6 月份新台币兑美元的大幅升值导致出口收入下调。此外，报告补充说，季度末库存调整进一步压低了月收入。据《工商时报》报道，台积电第二季合并营收为新台币 9,337.9 亿元，较上季增长 11.
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虽然台积电计划到 2027 年退出氮化镓 （GaN） 晶圆代工业务，但行业巨头英飞凌正在加大努力，这标志着 GaN 领域的重大转变。哪些因素可能推动了这些不同的策略？根据《科创板日报》的报道，中国英诺赛科董事会主席罗伟伟解释说，氮化镓晶圆生产可能不太适合传统的代工模式。为什么 GaN 不适合代工模型正如报告中所引用的，Luo 解释说，传统的功率半导体器件结构相对简单，不会对代工服务产生强劲的需求。特别是对于 GaN 功率器件，这种模型没有提供足够的投资回报 （ROI），并且缺乏代工厂与其客户之间通常看到的
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台积电第二季度的收入为 31 美元。90 亿，同比增长 38.6%。6 月收入为 90 亿美元，环比下降 17.7%，同比增长 26.9%。1 月至 6 月的收入为 600 亿美元，同比增长 40%。AI 和 HPC 约占收入的 59%，同比增长 46%。台积电预计全年增长在 20% 左右。
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随着 TSMC 加速其在美国的扩张，其第三个亚利桑那州晶圆厂取得进展，但仍需将尖端芯片——例如用于 NVIDIA 的芯片——运回中国台湾地区进行先进封装。但这种情况即将改变。据 MoneyDJ 报道，这家晶圆巨头计划于 2028 年在美国建造两座先进封装工厂，采用 SoIC（系统级芯片）和 CoPoS（芯片面板基板）技术。尽管自由时报之前报道选址仍在审查中，但 MoneyDJ 表示，这些设施预计将建在第三个亚利桑那州晶圆厂（F21 P3）旁边，该晶圆厂将采用 N2 和 A16 工艺技术
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虽然台积电计划到 2027 年退出氮化镓 （GaN） 晶圆代工业务，但行业巨头英飞凌正在加大努力。根据其新闻稿，英飞凌利用其强大的 IDM 模型，正在推进其 300 毫米晶圆的可扩展 GaN 生产，首批客户样品计划于 2025 年第四季度发布。据《商业时报》报道，台积电计划在 2027 年 7 月 31 日之前结束其 GaN 晶圆代工服务，理由是来自中国竞争对手不断上升的价格压力是关键驱动因素。Liberty Times 补充说，由于对 GaN 的低利润率前景持怀疑态度，台积电已决定逐步退出其
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全球半导体巨头台积电正式披露其欧洲战略布局，首站锁定德国科技重镇慕尼黑。台积电欧洲业务负责人保罗·德博特在新闻发布会上确认，这座具有里程碑意义的芯片设计中心将于今年三季度正式启用。这将是台积电在欧洲的首个芯片设计中心，标志着其传统战略的转变，重点服务欧洲市场在智能汽车、工业4.0、AI运算及物联网设备的尖端芯片需求。巴伐利亚州经济事务负责人休伯特·艾万格在欢迎致辞中强调：“这一战略投资印证了本地区作为欧洲科技心脏的独特优势。从宝马、西门子等终端用户到ASML等设备供应商，我们构建了完整的半导体产业生态链。
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根据两份新报告，台积电和三星电子正在将其在美国的晶圆厂业务转向不同的方向。《华尔街日报》今天援引消息人士的话说，台积电正在加速对其亚利桑那州晶圆厂的投资。与此同时，据报道，三星正在推迟德克萨斯州一家芯片工厂的竣工。两家公司的建设项目预计耗资超过 1800 亿美元。 据《华尔街日报》报道，台积电正在放慢在日本的晶圆厂建设项目，以便为其在亚利桑那州的加速投资计划提供更多资源。后一项计划将使该公司在凤凰城附近建造一个庞大的制造中心，该中心将容纳九个不同的设施。该中心预计将满负荷雇用 6,000 名专业
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根据 ZDNet 的数据，虽然英特尔已将重点从 14A 转移到 18A，但据报道，三星通过优先考虑 2nm 和 4nm 而不是 1.4nm 做出了妥协。与此同时，Chosun Biz 透露，这家陷入困境的半导体巨头还计划通过使节点定价比台积电低约 30% 来增加对 7nm 以下工艺的需求——中国竞争对手仍然无法企及。Chosun Biz 表示，对于其 4nm 工艺，三星的目标是通过 SF4U 将能效提高约 20% 来赢得订单。据三星称，SF4U 是一种优质的 4nm 变体，使
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台积电昨日在一份声明中表示，将在未来两年内逐步淘汰其化合物半导体氮化镓 （GaN） 业务，并援引市场动态。这家全球最大的合同芯片制造商表示，这一决定不会影响其之前宣布的财务目标。“我们正在与客户密切合作，以确保平稳过渡，并在此期间继续致力于满足他们的需求，”它说。“我们的重点仍然是为我们的合作伙伴和市场提供持续的价值。”台积电的最新举措出乎意料，因为这家芯片制造商在其年度报告中表示，它已经开发了第二代 650 伏和 100 伏 GaN 芯片，预计将于今年开始生产，同时它正在开发 8 英寸 650 伏增强型
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国际功率半导体厂纳微半导体于提交美国证券交易委员会（SEC）消息指出，台积电将于2027年7月31日结束氮化镓（GaN）晶圆代工业务，拟向力积电寻求产能支持。 对此，台积电回应表示，经过完整评估后，决定在未来两年内逐步退出氮化镓（GaN）业务。台积电透露，该决定是基于市场与台积电公司的长期业务策略; 公司正与客户紧密合作确保在过渡期间保持顺利衔接，并致力在此期间继续满足客户需求。同时，台积电也指出，仍将着重为合作伙伴及市场持续创造价值; 而该项决定将不会影响之前公布的财务目标。业界认为，台积电此举凸显中国
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自 2017 年宣布退出 10 纳米及更先进的制程后，台湾地区y第二大的晶圆代工厂台积电，可能正准备重返它曾经放弃的尖端领域。根据日经报道，该公司现在正着眼于 6 纳米生产，专注于用于 Wi-Fi、射频、蓝牙、人工智能加速器和电视及汽车处理器的芯片。尽管这样的举措通常需要巨额资本支出，但日经新闻报道称，台积电正考虑扩大与英特尔的合作关系以帮助抵消成本——可能会在亚利桑那州计划于2027年开始的12纳米合作中增加6纳米芯片。值得注意的是，台积电此前宣布其 2025 年的资本支出将降至约 18 亿美元——与前
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据台媒《工商时报》报道，台积电为满足客户对美国制造需求的增长，正在加速推进其亚利桑那州晶圆厂的建设。供应链透露，台积电亚利桑那州二厂（P2）已完成基建，预计将在2027年实现3nm制程的量产。目前，台积电正根据客户对AI芯片的强劲需求，加快量产进度，整体时间表较原计划有所提前。供应链分析指出，台积电此举旨在回应客户需求，并应对美国政府关税政策的影响。据悉，亚利桑那州二厂的机台最快将在明年9月进场安装，首批晶圆预计在2027年下线。通常情况下，晶圆厂在完成基建后，还需要约两年时间进行内部厂务调整，台积电的推
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台积电 3nm 晶圆厂
全球新兴记忆体与储存技术市场正快速扩张，而台积电、三星、美光、英特尔等半导体巨头正与专业IP供应商合作，积极推动先进非挥发性存储器解决方案的商业化。过去两年，相变内存（PCM）、电阻式随机存取内存 （RRAM） 和 自旋转移矩磁阻式随忆式内存 （STT-MRAM） 已从实验室走向次22纳米节点的试产阶段，并运用3D堆叠技术实现高密度，以解决传统DRAM和NAND闪存在延迟、耐用性和能源效率方面的限制。在台积电、三星、美光、英特尔等业界领导者的合作下，每年超过50亿美元的研发投入加速新材料与制程的成熟。 这
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台积电介绍
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
台湾积体电路制造股份有限公司网站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
台湾积体电路制造股份有限公司简介
台积公司于1987年在新竹科学园区成立，是全球第一家的专业集成电路制造服务公司。身为业界的创始者与领导者，台积公司是全球规模最大的专业集成电路制造 [
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