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台积电将推出新CoWoS封装技术:打造手掌大小高端芯片

  • 11月28日消息,据报道,台积电(TSMC)在其欧洲开放创新平台(OIP)论坛上宣布,正在按计划对其超大版本的CoWoS封装技术进行认证。此项革新性技术核心亮点在于,它能够支持多达9个光罩尺寸(Reticle Size)的中介层集成,并配备12个高性能的HBM4内存堆栈,专为满足最严苛的性能需求而生。然而,超大版CoWoS封装技术的实现之路并非坦途。具体而言,即便是5.5个光罩尺寸的配置,也需仰赖超过100 x 100毫米的基板面积,这一尺寸已逼近OAM 2.0标准尺寸的上限(102 x 165m
  • 关键字: 台积电  新CoWoS  封装技术  手掌大小  高端芯片  SoIC  

台积电CoW-SoW 预计2027年量产

  • 随着IC设计业者透过增加芯片尺寸提高处理能力,考验芯片制造实力。英伟达达AI芯片Blackwell,被CEO黄仁勋誉为「非常非常大的GPU」,而确实也是目前业界面积最大的GPU,由两颗Blackwell芯片拼接而成,并采用台积电4纳米制程,拥有2,080亿个晶体管,然而难免遇到封装方式过于复杂之问题。CoWoS-L封装技术,使用LSI(本地硅互连)桥接RDL(硅中介层)连接晶粒,传输速度可达10/TBs左右;不过封装步骤由于桥接放置精度要求极高,稍有缺陷都可能导致价值4万美元的芯片报废,从而影响良率及获利
  • 关键字: 台积电  CoW-SoW  InFO-SoW  SoIC  

台积电2纳米、SoIC 苹果抢首批订单

  • 台积电2纳米先进制程及3D先进封装同获苹果大单!业者传出,台积电2纳米制程传本周试产,苹果将拿下2025年首波产能外,下世代3D先进封装平台SoIC(系统整合芯片)也规划于M5芯片导入该封装技术并展开量产,2026年预定SoIC产能将出现数倍以上成长。 半导体业者指出,随SoC(系统单芯片)愈做愈大,未来12吋晶圆恐仅能摆一颗芯片也不为过,但这对晶圆代工厂良率及产能均是极大挑战;因此,以台积电为首等生态系加速研发SoIC,希望透过立体堆栈芯片技术,满足SoC所需晶体管数量、接口数、传输质量及速度等要求,并
  • 关键字: 台积电  2纳米  SoIC  苹果  

苹果规划于M5芯片导入台积电SoIC先进封装制程

  • 《科创板日报》15日讯,台积电2nm制程传出将在本周试产,苹果将拿下2025年首波产能外,下世代3D先进封装平台SoIC(系统整合芯片)也规划于M5芯片导入并展开量产,2026年预计SoIC产能将出现数倍以上成长。 (台湾工商时报)
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消息称苹果继 AMD 后成为台积电 SoIC 半导体封装大客户

  • 7 月 4 日消息,根据经济日报报道,在 AMD 之后,苹果公司在 SoIC 封装方案上已经扩大和台积电的合作,预估在2025 年使用该技术。台积电正在积极提高 CoWoS 封装产能的同时,也在积极推动下一代 SoIC 封装方案落地投产。AMD 是台积电 SoIC 的首发客户,旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封装解决方案,可将不同尺寸、功能、节点的晶粒进行异质整合,目前在位于竹南的第五座封测厂 AP6 生产。台积电目前已经整合封装工艺构建 3D Fabric 系统,其中分为 3
  • 关键字: 苹果  AMD  台积电  SoIC  半导体  封装  

台积电先进封装产能被订光,一路包到明年

  • 英伟达、AMD 等冲刺高性能计算,大举下单。
  • 关键字: CoWoS  SoIC  

消息称苹果正小量试产 3D 堆叠技术 SoIC

  • IT之家 7 月 31 日消息,据台媒 MoneyDJ 援引业界消息称,继 AMD 后,苹果正小量试产最新的 3D 堆叠技术 SoIC(系统整合芯片),目前规划采用 SoIC 搭配 InFO 的封装方案,预计用在 MacBook,最快 2025~2026 年间有机会看到终端产品问世。据IT之家了解,台积电 SoIC 是业界第一个高密度 3D 堆叠技术,通过 Chip on Wafer(CoW)封装技术,可以将不同尺寸、功能、节点的晶粒进行异质整合,并于竹南六厂(AP6)进入量产。其中,AMD 是
  • 关键字: SoIC  苹果  

ANSYS获台积电SoIC先进3D晶片堆叠技术认证

  • ANSYS针对台积电 (TSMC) 创新系统整合晶片 (TSMC-SoIC) 先进3D晶片堆叠技术开发的解决方案已获台积电认证。SoIC是一种运用Through Silicon Via (TSV) 和chip-on-wafer接合制程,针对多晶粒堆叠系统层级整合的先进互连技术,对高度复杂、要求严苛的云端和资料中心应用而言,能提供更高的电源效率和效能。
  • 关键字: ANSYS  台积电  SoIC  

Ramtron推出32Kb器件扩展F-RAM串口存储器

  •   世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32,提供具高速读/写性能、低电压运行,以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存储器,工作电压为2.7V至3.6V,采用8脚SOIC封装,使用二线制 (I2C) 协议;并提供快速访问、无延迟 (NoDelay™) 写入、几乎无限的读/写次数 (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
  • 关键字: Ramtron  F-RAM  非易失性存储器  NoDelay  SOIC  

基于磁阻传感器的弱磁信号采集系统设计

  •   0引 言   通常所用的数据采集系统,其采样对象都为大信号,即有用信号幅值大于噪声信号,但在一些特殊场合采集的信号很微弱,并淹没在大量的随机噪声中。此种情况下,一般的采集系统和测量方法无法检测该信号,本采集系统硬件电路针对微弱小信号,优化设计前端调理电路,利用仪表放大器有效抑制共模信号,保证采集数据的精度要求。   磁阻传感器是感知磁性物体的存在或者磁性强度(在有效范围内)的敏感元件。这些磁性物体除永磁体外,还包括顺磁材料,也可感知通电线圈或导线周围的磁场。本文选用霍尼韦尔磁阻传感器HMC1002
  • 关键字: 传感器  磁阻效应  数据采集  SOIC  
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