台积电管理层在周四的公司财报电话会议上透露，该公司计划在美国生产其 30% 的 N2（2 纳米级）产品，并将其 Fab 21 工厂设在亚利桑那州凤凰城附近，这是一个独立的半导体制造集群。这家全球最大的芯片合同制造商还表示，打算加快构建新的 Fab 21 模块，以生产 N3（3 纳米级）、N2 和 A16（1.6 纳米级）节点上的芯片。“完成后，我们约 30% 的 2nm 和更先进的产能将位于亚利桑那州，在美国创建一个独立的领先半导体制造集群，”台积电首席执行官兼董事长 C.C. Wei 在准备好的讲话中说
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晶圆代工龙头台积电（2330）今（17）日召开线上法说会，整理以下七大重点，董事长暨总裁魏哲家回应第二季及全年财测、客户需求、关税冲击、AI市场需求、DeepSeek议题、中长期营运目标及合资公司等议题。董事长暨总裁魏哲家表示，目前客户下单未出现变化，将持续关注关税政策造成的潜在影响，仍预期2025年美元营收成长24~26%，其中AI相关营收将倍增，未来5年的年复合成长率（CAGR）达44~46%不变。魏哲家表示，第二季营收成长受惠高速运算（HPC）应用持续扩展，带动对3纳米及5纳米制程需求强劲，目前未观
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台积电 关税冲击 AI市场需求
台积电17日召开法说会，董事长暨总裁魏哲家在会上澄清台积电目前没有合资公司的讨论，也没有讨论技术转移或共享资源等议题，正面回应市场传闻台积电将与英特尔合资在美国设厂的消息，另外针对关税威胁，魏哲家表示，目前客户订单没有减少，确切影响还要再观察。 台积电第一季财报亮眼，加上法说会释出好消息，台积电ADR夜盘一度上涨超过5%。台积电2025年首季营收为8392.5亿元，税后纯益3615.6亿元，每股盈余13.94元，年增41.6%、税后纯益年增60.3%，针对第2季展望，台积电给出284亿至292亿美元的展望
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4月17日消息，博主数码闲聊站表示，明年苹果、高通、联发科确定上台积电2nm，预计成本大幅增长，新机或许还会有一轮涨价。去年10月份，因高通骁龙8 Elite、联发科天玑9400芯片切入台积电3nm工艺，国产品牌集体涨价。当时REDMI总经理王腾解释，旗舰机涨价有两个原因，一是旗舰处理器升级最新3nm制程，工艺成本大幅增加；二是内存、存储经过持续一年的涨价，已经来到了最高点，所以大内存的版本涨幅更大。展望明年，高通骁龙8 Elite 3、天玑9600等芯片都将升级为全新的台积电2nm制程，成本将会再度上涨
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4 月 17 日消息，据博主@数码闲聊站 今日爆料，明年苹果 / 高通 / 联发科确定上台积电 2nm，预计成本大幅增长，新机或许还会有一轮涨价。爆料还称，今年的旗舰处理器 A19 Pro、骁龙 8 Elite 2、天玑 9500 都还会采用台积电 N3P 工艺。对于今年的手机是否会涨价，该博主称“今年还好，子系甚至有准备降价的”。台积电预计今年下半年将开始量产 2nm 芯片。有消息称台积电 2 纳米下半年量产的首批产能已被苹果包下，将用来生产 A20 处理器，苹果今年仍将稳居台积电最大客户。分析师郭明錤
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4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC处理器「Venice」正式完成投片（tape out），成为业界首款采用台积电2nm（N2）制程技术的高效能运算（HPC）处理器，预计将于明年上市。这也是AMD首次拿下台积电最新制程工艺的首发，而以往则都是由苹果公司的芯片首发。N2是台积电首个依赖于全环绕栅极晶体管（Gate All Around，GAA）的工艺技术，预计与N3（3nm）相比，可将功耗降低24%至35%，或者在相同运行电压下的性能提高15%，同时晶体管密度是N3的1.15倍，这些提升主要得
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上个月台积电（TSMC）宣布，有意增加1000亿美元投资于美国先进半导体制造，扩大投资计划包括了三座新建晶圆厂、两座先进封装设施、以及一间主要的研发团队中心。台积电在美国亚利桑那州凤凰城的晶圆厂名为Fab
21，前后花了大概五年时间才完成第一间晶圆厂。不过随着项目的推进，台积电在当地的设施建造速度变得更快。据TrendForce报道，台积电打算将FOPLP封装技术带入美国，以满足当地客户日益增长的需求。台积电正在确定FOPLP封装的最终规格，以加快大规模生产的时间表。初代产品预计采用300mm
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值得注意的是，指南提及是根据特朗普当日签署的备忘录。然而仅隔一天，特朗普及其高级贸易官员却又对外发布了截然相反的消息。特朗普表示这些产品“不存在关税‘例外’”，称它们仍然在“不同的关税‘桶’中被征收20%的关税”。
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4月9日，美国总统特朗普在共和党全国委员会活动上自爆曾威胁台积电，若不继续在美国投资建厂，其产品进入美国将面临高达100%的关税。特朗普还批评拜登政府此前为台积电亚利桑那州工厂提供66亿美元补贴，主张通过税收威胁而非财政激励推动制造业回流。10亿美元罚款？据路透社援引知情人士透露，台积电可能面临10亿美元或更高的罚款，作为美国对其生产的芯片的出口管制调查结果。台积电被指控通过第三方为中国大陆科技企业代工生产近300万颗AI芯片，而根据美国出口管制条例，违规交易最高可被处以交易金额两倍的罚款。台积电在一份声
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复杂国际形势叠加终端需求冰火两重天的景象之下，晶圆代工产业迎来调整时期，人事变动、整合传闻屡见不鲜。与此同时，先进制程正加速冲刺，2nm芯片在今年将实现量产/试产，开启半导体技术新纪元。三星晶圆代工部门调整，加强HBM业务竞争力近期，媒体报道三星电子DS部门针对代工部门人员发布了“定期招聘”公告，三星计划把超过两位数的晶圆代工事业部人员调往存储器制造技术中心、半导体研究院以及全球制造及基础设施总部。业界透露，三星此次调整主要是为了加强HBM领域竞争实力，其中三星半导体研究所招募人员是为了“加强HBM和封装
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2nm GAA 工艺进展被传顺利，但三星的目标是通过推出自己的 1nm 工艺来突破芯片开发的技术限制。一份新报告指出，该公司已经成立了一个团队来启动这一工艺。然而，由于量产目标定于 2029 年，我们可能还需要一段时间才能看到这种光刻技术的应用。1nm 晶圆的开发需要“高 NA EUV 曝光设备”，但目前尚不清楚三星是否已订购这些机器。另一方面，台积电也正在推出
2 纳米以下芯片，据报道，这家台湾半导体巨头已于 4 月初开始接受 2 纳米晶圆订单。至于三星，在其 2 纳米 GAA
技术的试产过程中
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去年末有报道称，小米即将迎来了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步骤就是与代工合作伙伴确定订单，批量生产自己设计的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭载于小米5c，对SoC并不陌生。据Wccftech报道，虽然中国大陆的芯片设计公司或许不能采用台积电（TSMC）最新的制造工艺，但最新消息指出，相关的管制措施暂时没有影响到小米，该款SoC有望在今年晚些时候推出。不过与之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工艺，而是4nm工艺，具体来说是N4P。小米的SoC在C
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创意2日宣布，自主研发的HBM4控制器与PHY IP完成投片，采用台积电最先进N3P制程技术，并结合CoWoS-R先进封装，成为业界首个实现12 Gbps数据传输速率之HBM4解决方案，为AI与高效能运算（HPC）应用树立全新里程碑。HBM4 IP以创新中间层（Interposer）布局设计优化信号完整性（SI）与电源完整性（PI），确保在CoWoS系列封装技术下稳定运行于高速模式。 创意指出，相较前代HBM3，HBM4 PHY（实体层）效能显著提升，带宽提升2.5倍，满足巨量数据传输需求、功耗效率提升1
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4月3日消息，日前举办的Vision 2025大会上，Intel正式宣布18A工艺制程技术已进入风险生产阶段。预计今年下半年首发该工艺的Panther Lake处理器将进行大批量生产。此举为“四年五个节点（5N4Y）”计划立下关键里程碑。按照Intel的愿景，18A将是其反超台积电、重夺半导体工艺世界第一的关键节点。值得关注的是，此为新任华人CEO陈立武接棒后首度公开亮相，业界解读Intel此举在向台积电、三星等竞争对手展示技术肌肉。Intel 18A工艺将全球首次同时采用PowerVia背面供电和Rib
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4月2日消息，如今的台积电，真是把新的制程工艺变得似乎易如反掌！早在今年初，就有报道陈，台积电2nm工艺试产进度远超预期，乐观预计位于新竹宝山、高雄的两座旗舰级工厂可在年底每月产出8万块晶圆。现在，台积电已经顺利完成了2nm试产阶段，良率超过60％，从而正式进入量产准备阶段。目前，台积电2nm已经开始承接客户订单，苹果、AMD、Intel、博通等客户正在争相排队，其中宝山工厂的首批产能全部供给苹果，高雄工厂负责其他客户。紧接着，台积电就马不停蹄地投入了下一代1.4nm工艺的相关工作。台积电宝山P2(Fab
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台积电介绍
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
台湾积体电路制造股份有限公司网站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
台湾积体电路制造股份有限公司简介
台积公司于1987年在新竹科学园区成立，是全球第一家的专业集成电路制造服务公司。身为业界的创始者与领导者，台积公司是全球规模最大的专业集成电路制造 [
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