动态随机存取内存(DRAM)_技术资讯

移动版
电子产品世界杂志
《设计100例》

2014年
2013年
2012年
2011年
2010年
2009年
2008年
2007年
2006年
2005年
2004年

技术社区

技术
厂商

动态随机存取内存(DRAM)

内存现货价格更新：DDR4 价格下滑放缓，韩国内存制造商引发大幅涨价

网络与存储存储 DRAM DDR4 |2025-07-23
DDR6 预计将于 2027 年大规模应用，据报道内存巨头已最终完成原型设计

网络与存储 DDR6 DRAM 存储 |2025-07-23
中国CXMT和YMTC推动DRAM和NAND生产

网络与存储 CXMT YMTC DRAM NAND |2025-07-21
SK 海力士据报道将 DDR4/ LPDDR4X 合同价格上调 20%，因 Q3 需求保持强劲

网络与存储 DDR4 DRAM 存储 |2025-07-11
内存现货价格更新：16Gb DDR4 消费者内存价格上升，而 PC 内存失去动力

网络与存储内存 DDR4 DRAM |2025-07-02
历史性 DDR4 现货价格飙升，据报道使 DDR5 翻倍，推动南亚科技的库存暴利

网络与存储 DDR4 DRAM 存储 |2025-06-24
适用于DRAM和处理器的3D堆栈集成

EDA/PCB DRAM 处理器 3D堆栈集成 |2025-06-24
台湾地区的 DRAM 供应商南亚科技据报道暂停 DDR4 现货价格报价，库存紧张

网络与存储 DRAM 存储市场分析 |2025-06-18
DDR4疯狂涨价，DRAM厂商爆赚

DDR4 DRAM 三星美光南亚科技华邦电子 HBM |2025-06-17
英特尔+软银联手剑指HBM

英特尔软银 HBM DRAM 三星 SK海力士 |2025-06-03
三星考虑进行大规模内部重组

三星 HBM LSI DRAM 半导体晶圆代工 |2025-05-29
DDR5上升趋势放缓;DRAM价格在第三季度将适度上涨

网络与存储 DDR5 DRAM |2025-05-29
Neo Semiconductor将IGZO添加到3D DRAM设计中

网络与存储 Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM |2025-05-14
三星因关税前囤积而提高DRAM价格，DDR4上涨20%

网络与存储三星 DRAM DDR4 |2025-05-12
撑不住, SK海力士DRAM涨12%

网络与存储 SK海力士 DRAM |2025-05-06
三星电子将引入VCT技术，未来2到3年推出新型DRAM产品

网络与存储三星电子 VCT DRAM |2025-04-29
高速数据中心蓬勃发展，DRAM内存接口功不可没

网络与存储数据中心 DRAM |2025-04-11
SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度营收第一：HBM市占率高达70%

网络与存储 SK海力士三星 DRAM |2025-04-10
美光、SK海力士跟随中！三星对内存、闪存产品提价3-5%：客户已开始谈判新合同

网络与存储内存 DRAM NAND HBM 三星美光 SK海力士 |2025-04-07
下游客户库存去化顺利，预计2Q25 DRAM价格跌幅将收敛

网络与存储 TrendForce 集邦咨询 DRAM |2025-03-26
美光1γ DRAM开始出货，用上了EUV

网络与存储美光1γ DRAM |2025-03-04
新型高密度、高带宽3D DRAM问世

网络与存储 3D DRAM |2025-03-04
美光宣布1γ DRAM开始出货：引领内存技术突破，满足未来计算需求

网络与存储美光 1γ DRAM DRAM |2025-02-27
消息称三星芯片部门负责人携1b DRAM样品访问英伟达

网络与存储三星芯片 1b DRAM 样品英伟达 |2025-02-18
SK海力士实现1c nm制程DRAM内存量产

网络与存储 SK海力士 1c纳米 DRAM |2025-01-22
三星旗舰Galaxy S25系列放弃自家内存，美光成为首要供应商

三星 Galaxy S25 内存美光 DRAM LPDDR5X |2025-01-07
买方采购策略调整，1Q25 DRAM合约价走跌

网络与存储 DRAM TrendForce 集邦咨询 |2024-12-30
美国商务部向美光科技提供 61 亿美元资金，用于在该国生产芯片

EDA/PCB 美国美光科技生产芯片半导体 DRAM 内存芯片存储芯片 |2024-12-11
提高下一代DRAM器件的寄生电容性能

电源与新能源泛林集团 DRAM |2024-11-21
在2025年DRAM位元产出增长下，供应商需谨慎规划产能以保持盈利

网络与存储 DRAM TrendForce 集邦咨询 |2024-11-14
北京君正：21nm DRAM新工艺预计年底推出

网络与存储北京君正 21nm DRAM |2024-11-14
郭明錤剖析英特尔 Lunar Lake 失败原因

EDA/PCB 郭明錤英特尔 Lunar Lake DRAM CPU 封装 AI PC LNL |2024-11-06
铠侠即将发布三大创新研究成果

网络与存储铠侠存储技术 DRAM MRAM 3D堆叠 |2024-10-24
HBM对DRAM厂的贡献逐季攀升

网络与存储 HBM DRAM TrendForce |2024-10-17
三星开发出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能计算

网络与存储三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能计算 |2024-10-17
TrendForce：内存下半年价格恐摔

网络与存储 TrendForce 内存 DRAM |2024-08-30
SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM

网络与存储 SK海力士第六代 10纳米级 DDR5 DRAM |2024-08-29
第二季DRAM产业营收季增24.8%，预期第三季合约价将上调

网络与存储 DRAM TrendForce 集邦咨询 |2024-08-16
imec采用High-NA EUV技术展示逻辑与DRAM架构

EDA/PCB imec High-NA EUV DRAM |2024-08-13
外媒：三星推出超薄型手机芯片LPDDR5X DRAM

手机与无线通信三星手机芯片 LPDDR5X DRAM |2024-08-07

热门文章

IEEE会员人物专访：Subodha Charles、Chad Kidder、Aishwarya Bandla

2025-07-31
英伟达被国家网信办约谈！H20芯片存在漏洞后门安全风险问题

H20 算力芯片英伟达

2025-07-31
用于量子计算的Sub-1 K冷却：第3部分

量子计算 Sub-1 K 冷却

2025-07-31
涛涛车业与宇树科技达成战略合作

涛涛车业，宇树科技达

2025-07-31
边缘光子集成电路有哪些应用？

边缘光子集成电路

2025-07-31
如何在边缘人工智能计算中利用神经形态设备？

边缘人工智能神经形态

2025-07-31
如何在物联网设备中选择和放置天线

物联网天线

2025-07-31
康宁显示科技献礼在华二十周年，以跨界非遗艺术彰显科技温度

2025-07-31

热门视频

尼吉康的事业介绍

热门下载

电子测量与仪器.pdf

wenliang37

2025-07-31

4316802K
单片机综合应用技术

wenliang37

2025-07-31

27021525K
实用！开关电源原理图精讲

wenliang37

2025-07-31

2478026K
数控电源-BUCK降压-恒压恒流-同步整流-2025-7-29

STC32位8051

2025-07-31

1516113K
电磁继电器工作性能参数变化测试及研究

wenliang37

2025-07-30

603692K
电子设备的可靠性设计知识大全--实际产品开发非常重要

wenliang37

2025-07-30

1800520K
面向复杂工业的高精度热电偶测温电路

wenliang37

2025-07-30

2024868K
电动车组线路布置与线缆测试仪方案综述

wenliang37

2025-07-30

312585K

相关标签

动态随机存取内存(DRAM)

Copyright © 电子产品世界关于我们联系我们广告服务人才招聘友情链接网站地图