三星电子此前酝酿的罢工已正式取消。其半导体部门7.8 万名员工中，74% 投票同意接受平均 34 万美元奖金的方案。不过奖金差异引发不满：存储业务员工奖金 40 万美元，晶圆代工业务员工仅 11 万美元。半导体部门以外的三星员工（如消费电子部门）同样心生不满，他们的奖金仅4000 美元。薪酬协议详情协议规定：所有芯片部门员工加薪 6.2%；发放 ** 相当于年薪 50%** 的常规现金奖金；三星将划出芯片部门营业利润的 10.5%，作为股票形式的特别奖金。股票发放规则：三分之一可立即出售；三分之一一年后可
关键字：
三星
罢工
最新消息显示，日前进行的三星电子内部投票结果于今天公布。此前劳资双方达成的暂定协议在内部投票中获73.7%赞成通过，三星电子劳工大罢工风险暂时平息。自去年底以来，三星电子内部围绕绩效奖金制度的争议不断升级。原本超4.5万员工从5月21日开始发起为期18天的罢工。就在罢工启动前夕，韩国政府紧急介入调解，三星电子劳资双方于本月20日深夜，经过多轮马拉松式谈判后宣布达成劳资协议暂定方案，工会表示将进行内部投票决定是否接受该方案。随着方案获通过，大罢工风险至此暂时平息。但外界分析指出，由于三星电子内部不同业务部门
关键字：
三星
存储
美光在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂正式启动1α DRAM工艺的量产，该生产基地的DDR4晶圆供货规模将提升四倍，预计于2026年底完成全面量产。这一超20亿美元的投资，专为汽车、国防、航空航天及工业客户而设，旨在保障关键领域的DDR4长周期供给。随着整体芯片供应量放大，消费级市场上的炒货行情当即感到寒意，本周DDR4内存条跌幅迅速扩大直接印证了市场对“供应增加”的反应；另一方面，专业机构研判结构性短缺不改。TrendForce的最新存储器产业研究指出，Fab 6扩产主要反映美光内部产能配置调整，而非重启对消费性
关键字：
美光
DDR4
DDR5
HBM
三星
SK海力士
DRAM
2026年5月25日，据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正常工作特性，标志着三星在高端存储技术领域实现跨代式领先。传统3D NAND采用单次连续刻蚀堆叠工艺，受晶圆翘曲、层间对准误差等物理限制，难以突破500层门槛。三星创新的CMB技术，先独立制造两片450层3D NAND晶圆，再通过高精度键合工艺合二为一，直接将堆叠层数翻倍至900层，打破传统工艺的物理瓶颈。为保障原型良率与稳定性，三星同步攻克多
关键字：
三星
3D NAND闪存
三星电子在存储器堆叠技术上再度写下里程碑。 据韩国业界消息，公司已成功打造出全球首个 900 层级 V-NAND（垂直型闪存）整合系统原型。 这项突破不仅象征三星正式跨入千层NAND时代门槛，也在竞争激烈的次世代内存战局中，重新巩固其技术领先地位。三星冲破900层NAND门槛 技术大反攻剑指海力士。 （图：shutterstock）随着生成式 AI 服务器、智能手机与数据中心固态硬盘（SSD）对大容量、高能效储存元件的需求呈爆发式成长，NAND 闪存的堆叠层数已成为检视元件效能的关键指标。三星此次研发出的
关键字：
三星
900层
NAND
SK海力士
备受瞩目的三星半导体罢工危机在最终期限前90分钟按下了暂停键，三星和工会代表在韩国多位政要的“关切下”暂时达成了共识，三星半导体可能涉及5万名员工长达18天的罢工终于没有成为现实。从三星工会3月18日敲定总罢工计划开始，持续63天的罢工风波不仅牵扯了全球半导体供应链的神经，更是让韩国总统和总理双双下场敦促双方达成协议。不过这次妥协并没有实际解决罢工背后的根本矛盾，双方的临时协议更多是迫于政府压力下的权宜之计。 这次罢工的本质就是三星借助AI对HBM的需求，业绩迎来大爆发后奖金分配不均引发的，尤其
关键字：
三星
罢工
存储
被存储业务带飞的三星营收和利润双双大涨，三星在解决罢工问题后底气大增，开始意图瓜分台积电的市场份额，联发科相关代工业务成为其首要觊觎目标。有最新消息称，三星会长正于台积电大本营中国台湾地区拉拢联发科进行代工合作。 三星近年来跟联发科的合作日渐加深，多款三星手机和平板产品选择搭载联发科的处理器，最新的爆料是Galaxy Tab S12系列将搭载联发科的天玑9500作为核心处理器。真正引发业界关注的是，三星有意将联发科发展为自家晶圆代工客户，甚至不惜抛出优厚的存储芯片合作条件促成此事。据中国台湾媒体
关键字：
三星
联发科
代工
5月20日，韩国三星电子的劳资谈判再度宣告破裂，明天起将举行大罢工，这也将是该公司史上最大规模罢工。据韩联社报道，三星电子作为全球重要的存储芯片制造商，一旦发生罢工，可能进一步加剧由全球人工智能数据中心建设持续升温带来的全球半导体供应趋紧局面，其影响或波及汽车、计算机及智能手机等多个行业。今年3月中旬，由超过6.6万名三星电子工会成员参与表决的投票结果显示，93.1%的工会成员赞成罢工。全面罢工将于5月21日至6月7日举行。不过，韩国水原地方法院5月18日批准了三星电子公司提出的部分禁令请求，责令该公司工
关键字：
三星
存储
DRAM
NAND
HBM
集邦咨询（TrendForce）表示，2026 年第二季度移动 DRAM 价格仍在大幅上涨，本已因整体内存供应紧张而削减生产计划的智能手机厂商，如今又面临新的成本压力。该机构最新的内存市场研究显示，LPDDR4X 解决方案的平均售价（ASP）预计在 2026 年第二季度环比至少上涨 70%–75%；LPDDR5X 涨幅更快，预计环比上涨 78%–83%。此前数个季度价格已连续大幅攀升，如今正直接影响手机产品规划。移动 DRAM 价格分化，供应商策略各异集邦咨询称，三星与 SK 海力士定价路线似乎不同：三星
关键字：
SK海力士
DRAM
三星
LPDDR
日本野村证券认为，AI推论与AI代理将推动记忆体需求进入超级周期，未来五年供需缺口恐持续扩大，因此大幅上调三星与SK海力士目标价，并认为两者估值模式未来有望逐步向台积电靠拢，而非继续被视为受存储传统周期循环影响的股票。野村狂调三星、SK海力士目标价：估值正向台积电靠拢。野村证券于上周五（15日）发布最新研究报告，大幅上调三星电子与SK海力士目标价，分别从34万韩元、234万韩元调升至59万韩元、400万韩元，两者隐含涨幅均逾118%，并同步维持买入评级。野村证券指出，AI推论需求爆发所带动的结构性供需失衡
关键字：
存储器
三星
SK海力士
估值
台积电
台积电正式推进 1 纳米芯片量产规划,人工智能热潮倒逼台积电全速扩产首批 2 纳米芯片组定于今年正式面世，目前多数企业均选择采用台积电 N2、N2P 先进制程，但这仅是精密芯片制造进程的开端。据悉，这家中国台湾半导体巨头已突破 2 纳米以下制程壁垒，全面启动1 纳米工艺的前期筹备工作，这也意味着三星及其高端先进制程业务将迎来巨大竞争压力。台积电共计 12 座晶圆厂同步动工建设，同步筹备 1 纳米技术研发，提前布局应对长期爆发式市场需求尽管当下晶圆代工行业整体面临供货紧张问题，台积电仍持续调整扩充产能，力求
关键字：
台积电
超先进制程
1纳米
三星
市场研究机构集邦咨询（TrendForce）最新发布的存储调查报告显示，2026年第二季度移动端DRAM合约价格继续大幅走高，智能手机厂商的成本压力正持续加剧。值得注意的是，韩国两大内存原厂在本轮涨价中采取了不同策略：三星倾向于一次性上调到位，涨幅较为明显；而SK海力士目前给出的临时报价涨幅相对缓和，采取逐级推高的节奏，预计到五月下旬才能完成最终定价。综合来看，集邦咨询预估，第二季度LPDDR4X的平均售价（ASP）环比涨幅至少为70%–75%，LPDDR5X则达到78%–83%。连续多个季度的高额涨价已
关键字：
DRAM
SK海力士
三星
存储
以往高带宽内存（HBM）仅应用于服务器领域，最新消息显示，三星正研发一款独创封装技术，让智能手机与平板电脑也能搭载这款超高速动态随机存取内存芯片。这家韩国巨头此举旨在大幅提升移动设备性能，使其成为强悍的端侧 AI 算力终端。眼下全球内存供不应求，三星借此斩获高额利润，自然不愿错失任何新兴市场机遇。三星计划专为手机、平板定制适配版 HBM 技术，规避传统方案带来的空间占用过大、功耗过高等各类弊端。传统移动设备内存采用铜线键合工艺，其输入输出引脚数量仅维持在 128 至 256 个区间，不仅信号损耗严重，也难
关键字：
三星
先进封装工艺
HBM
端侧AI
超强算力终端
受全球 DRAM 内存缺货潮波及，三星正和整个行业一同陷入被动，即将于 2027 年初登场的Galaxy S27系列，多项硬件规格将被迫缩水。此前有消息称，为控制售价，标准版机型将改用京东方（BOE）供应的 OLED 屏幕；如今又有爆料：部分机型搭载的Exynos 2700 尽管采用三星最新第二代 2 纳米 GAA 工艺，却砍掉了一项关键技术特性。Exynos 2700 或将舍弃三星新一代芯片封装，性能留有冗余损耗据行业媒体 Sisajournal 消息，三星针对 Exynos 2700 最大的
关键字：
三星
内存危机
Exynos 2700
三星工会主导的罢工原定于下周末才正式开启，但劳资双方已于周三谈判彻底破裂，后续协商基本无望。受此影响，各类内存规格现货价格应声走高，全球最大电子交易市场 —— 深圳华强北的涨价行情尤为明显。全球最大电子市场已提前显现动荡苗头；下周三星一旦全面停工，全球内存行业将陷入严重混乱。据中国台湾媒体报道，本周深圳华强北市场主流 8GB DDR4 内存模组价格涨幅约 20%。该数据与中国闪存市场（CFM）最新报价一致：8GB DDR4 模组现货价格单周大涨 20%，报收 18 美元，终结了谷歌发布 TurboQuan
关键字：
三星
DDR4
据韩媒TheElec报道，三星电子计划于2026年第三季度，向全球主要服务器及数据中心厂商批量交付支持CXL 3.1标准的下一代内存模块（CMM-D）样品，待通过客户质量认证后，最快于第四季度启动量产，敲定生产规模与出货计划。TheElec原文援引业内消息称，三星电子拟最快在第四季度，启动CXL 3.1 标准内存产品量产工作；同时计划于第三季度，率先对外送样旗下新一代 CMM-D 内存模块，该产品原生支持 CXL 3.1 规范。CXL是基于PCIe的高速互连技术，可实现CPU、内存与GPU间的高速数据传输
关键字：
三星
CXL
GPU
工会负责人表示，三星电子与旗下韩国工会于周三未能达成薪资协议，预计超 5 万名员工将发起全面罢工，恐扰乱人工智能及其他芯片的生产节奏。在政府居中调解下，双方于周一、周二历经马拉松式多小时谈判，但最终陷入僵局。韩国社会舆论与政府均施压三星员工，希望双方在薪资议题上妥协、避免罢工。韩国工会代表崔承浩在当地时间周三凌晨 3 时左右对记者表示：“工会提出的所有诉求议题无一得到回应，对此我们深表遗憾。”他指出，公司并未回应工会全面改革薪酬体系的诉求，包括取消当前年终奖上限（年薪基本工资的 50%）、改为
关键字：
存储
三星
罢工
据韩媒ETNews报道，三星电子设备解决方案（DS）事业部正商讨恢复下一代半导体技术的研发与设施投资，核心聚焦下一代NAND闪存、化合物半导体、先进封装及基板三大前沿领域，此举标志着三星在存储业务企稳后，正式重启中长期技术布局。此次讨论核心围绕研发方向敲定与设施投资时间规划两大关键议题，相关方案正处于内部细化阶段。此前三星因优先修复DRAM与HBM业务竞争力，暂缓了部分新业务推进；随着2024年下半年起存储业务持续改善，DRAM良率、HBM产能利用率稳步提升，叠加市场需求回暖，核心存储业务已重回稳定轨道，
关键字：
三星
核心要点前沿制程产能日益向超大型科技企业倾斜，中小芯片设计厂商空间被持续挤压。芯粒（Chiplet）与先进封装开辟替代路径，但推高成本、设计复杂度与供应链风险，对小型团队挑战尤为突出。如今芯片架构设计不仅由技术目标驱动，更受产能、良率与经济效益深度约束。器件微缩带来的性能红利正在递减，但行业奔赴下一代制程的竞赛并未止步。然而短期内，真正有能力享用最先进工艺节点的企业寥寥无几 —— 大型系统厂商几乎包揽了全部可用前沿产能。对晶圆代工厂而言，先进制程拥有最高利润率，当前需求远超供给。2nm 及以下纳米片架构可
关键字：
先进封装
英特尔
英伟达
三星
三星就可能造成 200 亿美元损失的 18 天芯片厂罢工，展开紧急最终谈判 —— 政府调解峰会力求避免影响 HBM 生产的产业行动，达成协议可能使三星年度营业利润最多减少 12%。据《韩国先驱报》报道，三星与其最大工会联盟将在未来两天，由韩国政府出面调解展开谈判。此时距离计划中的全面罢工仅剩 10 天，此次罢工可能导致全球最大内存芯片生产基地停产超过两周。在今年 2 月和 3 月的多轮调解均以失败告终后，双方经由韩国国家劳动关系委员会重启会谈。工会警告称，如果谈判破裂，将在 5 月 21 日至 6 月 7
关键字：
芯片厂
罢工
三星
工会
据韩国媒体报道，三星的4nm FinFET制程良率已提升至80%以上，标志着该技术正式进入成熟阶段。这一进展显著增强了三星在晶圆代工领域的竞争力，使其能够与中国台湾半导体厂商台积电展开正面对决，同时更好地满足全球科技巨头尤其是AI领域对高性能芯片的需求。三星平泽园区是此次技术突破的核心阵地。该园区目前不仅生产5nm和7nm芯片，还已具备供应4nm芯片的能力。这些芯片可广泛应用于AI加速器、汽车电子及移动设备领域，甚至可用作第六代HBM4内存芯片的基底芯片。业内人士分析，此次良率的提升将帮助三星晶圆代工业务
关键字：
三星
4nm
制程良率
谷歌将在韩国首尔建设全球首座人工智能园区，并计划与三星、SK海力士、LG集团等深化合作。据韩媒报道，4月27日，韩国总统政策顾问金容范表示，韩国与谷歌已达成协议，将在首尔建设全球首座人工智能（AI）园区，以促进其与韩国本土工程师及初创企业之间的合作。另有消息称，谷歌DeepMind联合创始人兼首席执行官（CEO）戴密斯·哈萨比斯于28日接连会见三星、SK海力士、LG集团掌门人，并就谷歌在人工智能和半导体领域的深化合作进行讨论。据悉，谷歌DeepMind负责制造谷歌的人工智能模型Gemini。三星同时拥有晶
关键字：
谷歌
三星
SK海力士
LG
据报道，随着AI芯片需求的持续增长，全球晶圆代工两大巨头台积电与三星电子在先进制程领域的竞争愈发激烈。双方围绕1纳米、2纳米制程展开的战略布局，展现出截然不同的发展节奏。据台积电近期发布的发展蓝图显示，公司计划在2027年实现1纳米等级制程的量产，首发为A16（即1.6纳米）制程，随后在2028年推出A14制程，并于2029年进一步升级至A13和A12制程。其中，A13制程相较于A14能够缩减6%的芯片面积，同时通过设计技术协同优化（DTCO）提升能源效率与性能表现。而A12制程作为A14的强化版，将专为
关键字：
台积电
三星
1纳米
制程
台积电并没有急着把High-NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻技术放进2029年前的量产节点。作为对比，英特尔则更早导入High-NA设备。两家公司真正的差异，不只是设备选择，而是量产节奏、成本和良率风险的取舍。
关键字：
台积电
英特尔
High-NA
EUV
先进制程
3nm
三星
综合韩媒报道，SK海力士2026年第一季度营业利润率逼近72%；营收达52万亿韩元（约2,413亿元人民币），营业利润突破37万亿韩元（约1,717亿元人民币）。SK海力士的营业利润率不仅高于英伟达约65%的水平，也超出台积电约58%的利润率，更是大幅领先苹果、谷歌约30%的盈利表现。这一成绩得益于全球AI基础设施建设热潮，特别是在生成式AI和大型语言模型需求的推动下，带动DRAM、HBM、NAND等存储芯片价格全面走高。技术研发与产品落地层面，SK海力士预计在2026年下半年向客户提供第七代HBM4E样
关键字：
AI存储
三星
SK海力士
据韩国媒体报道，三星电子的新一代1d DRAM（第七代10nm工艺）因良率未达标，短期内可能无法实现量产，进而影响其下一代HBM内存的推进节奏。这一技术问题直接波及三星计划中的HBM5E产品大规模生产。一位接近三星内部的人士透露，三星电子决定在D1d良率达到预期目标之前无限期推迟量产计划，且尚未明确重启时间。公司正重新审视工艺路线图，以寻求良率提升的解决方案。尽管D1d DRAM技术此前已通过预生产批准（PRA），但因良率低于预期，三星对其试产和量产的投资回报率（ROI）表示担忧。D1d DRAM技术对三
关键字：
三星
1d DRAM
良率问题
HBM5E
据科技媒体Wccftech报道，下一代标准版iPhone的屏幕可能要退回四年前的水平。随着内存成本不断上涨，苹果似乎不得不在产品策略上做出取舍。iPhone 18标准版可能会采用M14或M12+面板，其中M12+目前被认为是最可能的选择。分析人士Schrödinger Intel预测，苹果可能将在iPhone 18基础款的屏幕上严重减配，将采用M12+基材，而这还是多年前iPhone 14 Pro上的屏幕基材。他表示，苹果将不会在发布会中提到M12+发光基材。Schrödinger Intel：“Appl
关键字：
iPhone
屏幕
内存
三星
据报道，高通 CEO 安蒙（Cristiano Amon）于2026 年 4 月 21 日抵达韩国，计划陆续与三星电子、SK 海力士高管会面。《韩经》消息显示，此行核心议题之一是与三星晶圆代工展开潜在合作。安蒙预计与三星代工总裁韩镇满等高层会谈，讨论由三星2nm 工艺（SF2） 生产高通下一代旗舰应用处理器骁龙 8 Elite 2。安蒙此前已释放与三星代工合作的信号。2026 年 1 月 CES 展上，他曾表示高通已就 2nm 芯片制造与三星启动磋商，且芯片设计已完成。若合作达成，高通最先进的芯片订单将时
关键字：
高通
三星
2nm代工骁龙 8 Elite 2，与 SK 海力士洽谈内存合作
三星电子与内部工会的劳资冲突正在加剧。一场潜在的罢工，可能让三星付出极其昂贵的代价。即使三星启动备用产能，一天造成的营业损失仍可能达1万亿韩元，最终累计损失恐达20万亿甚至30万亿韩元（约合人民币926亿元至1389亿元）。作为参照，2024年三星全年的营业利润约为32.7万亿韩元。此次发出巨额损失警告，被外界解读为工会试图在谈判中加大筹码。这一估算可能涵盖了生产中断的直接损失、客户订单流失的间接影响，以及重启产线所需的额外成本。对于一家高度依赖连续生产的半导体巨头而言，即使是短期的停摆，其连锁反应也可能
关键字：
三星
HBM
SK海力士
随着英特尔持续打造半导体业务王牌核心团队，英特尔晶圆代工部门迎来新晋高管 —— 来自三星晶圆代工的韩承勋（音译，Shawn Han）。三星晶圆代工资深高管韩承勋加盟英特尔晶圆代工，坐拥数十年半导体行业资深经验英特尔执行副总裁Naga Chandrasekaran（纳加・钱德拉塞卡兰）在领英发布这一人事消息，英特尔晶圆代工官方社交账号也在 X 平台同步转发。纳加在动态中宣布，韩承勋正式加入英特尔，出任晶圆代工业务高级副总裁兼总经理，担任核心管理职务。相关资讯：英特尔将全面披露马斯克划时代 TeraFab 项
关键字：
英特尔
三星
代工
三星介绍
您好，目前还没有人创建词条三星!
欢迎您创建该词条，阐述对三星的理解，并与今后在此搜索三星的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473