三星4nm制程良率突破80%

据韩国媒体报道，三星的4nm FinFET制程良率已提升至80%以上，标志着该技术正式进入成熟阶段。这一进展显著增强了三星在晶圆代工领域的竞争力，使其能够与中国台湾半导体厂商台积电展开正面对决，同时更好地满足全球科技巨头尤其是AI领域对高性能芯片的需求。

三星平泽园区是此次技术突破的核心阵地。该园区目前不仅生产5nm和7nm芯片，还已具备供应4nm芯片的能力。这些芯片可广泛应用于AI加速器、汽车电子及移动设备领域，甚至可用作第六代HBM4内存芯片的基底芯片。业内人士分析，此次良率的提升将帮助三星晶圆代工业务减轻存储芯片价格波动带来的冲击，并有望在2026年下半年实现盈利。