三星DS事业部拟重启下一代半导体研发投资

据韩媒ETNews报道，三星电子设备解决方案（DS）事业部正商讨恢复下一代半导体技术的研发与设施投资，核心聚焦下一代NAND闪存、化合物半导体、先进封装及基板三大前沿领域，此举标志着三星在存储业务企稳后，正式重启中长期技术布局。

此次讨论核心围绕研发方向敲定与设施投资时间规划两大关键议题，相关方案正处于内部细化阶段。此前三星因优先修复DRAM与HBM业务竞争力，暂缓了部分新业务推进；随着2024年下半年起存储业务持续改善，DRAM良率、HBM产能利用率稳步提升，叠加市场需求回暖，核心存储业务已重回稳定轨道，为新业务研发释放内部资源。

在下一代NAND闪存领域，三星重点推进V10NAND研发，目标堆叠层数突破400层，较当前量产的286层V9NAND实现大幅跃升，以此提升单晶圆存储容量，适配AI时代高密度存储需求。自2024年4月V9NAND的TLC版本量产后，三星NAND量产制程已停滞超两年，此次V10研发重启将补齐其闪存技术迭代节奏。

化合物半导体方面，三星将加速氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）产线落地。其中8英寸GaN产线计划2026年第二季度投产，SiC产线目标2028年实现量产，目前已启动供应链搭建与设备采购筹备，计划投入1000-2000亿韩元采购MOCVD等核心设备，抢占新能源汽车、储能等功率半导体市场机遇。

先进封装及基板业务也被纳入重启重点，三星正同步推进封装技术研发与配套基板产能规划，以适配HBM与逻辑芯片整合需求，强化在AI芯片封装领域的竞争力。