三星冲破900层NAND门槛 技术大反攻剑指SK海力士

三星电子在存储器堆叠技术上再度写下里程碑。 据韩国业界消息，公司已成功打造出全球首个 900 层级 V-NAND（垂直型闪存）整合系统原型。 这项突破不仅象征三星正式跨入千层NAND时代门槛，也在竞争激烈的次世代内存战局中，重新巩固其技术领先地位。

三星冲破900层NAND门槛 技术大反攻剑指海力士。 （图：shutterstock）

随着生成式 AI 服务器、智能手机与数据中心固态硬盘（SSD）对大容量、高能效储存元件的需求呈爆发式成长，NAND 闪存的堆叠层数已成为检视元件效能的关键指标。

三星此次研发出的900层V-NAND，并非单纯依靠物理层数的递增，而是导入革命性的单元多重键合（CMB，Cell Multi Bonding）技术，将两片各450层的单元晶圆（Cell Wafer）完美接合为一体。

三星官方强调，目前已成功验证该原型系统的单元正常运作特性，证明此项技术具备超越理论限制的实际应用可行性。

回顾制程发展，传统3D NAND多采用一次性完成微孔钻孔与堆叠的「单层堆叠」工艺。 然而，随着层数不断往上攀升，晶圆变形翘曲（Warpage）与对准偏差（Misalignment）等物理极限逐渐成为良率提升的巨大瓶颈。

为此，三星开发出创新的上卡盘设计，顺利克服阻碍 900 层堆叠的最大硬件障碍——晶圆翘曲，并透过独家专利的「新型套刻校正（Overlay Correction）」技术精准解决晶圆键合过程中的微小错位。

此外，得益于全新设计的位线（BL）与字线（WL）结构，该款原型芯片在缩减芯片尺寸的同时，更显著降低了功耗。

在当前的商用量产市场中，三星最新推出的第九代V9 NAND（286层）在层数上落后于竞争对手SK海力士（SK Hynix）已进入量产的321层4D NAND。

此外，以长江存储（YMTC）为首的中国存储器厂正同步扩充产能并加速追赶，近期即将实现300层以上NAND的量产，恐对南韩大厂带来中长期的价格竞争压力。

面对市场挑战，三星一方面积极推进跳过300层、直接导入晶圆对晶圆（W2W）键合与低温蚀刻技术的第十代「V10（400 层以上）」V-NAND 量产投资; 另一方面，则借由在研发端突破900层技术瓶颈，筑起中长期难以跨越的技术壁垒。

半导体业内人士分析，900层NAND技术的诞生，背后代表的是堆叠工艺范式的颠覆性变革。

此举除了向全球科技大厂与云端客户宣告三星在内存技术的龙头地位未曾动摇外，更可望在中长期防堵对手与中国阵营在产能和价格上的攻势，主导未来的AI高性能存储器市场。