随着第二季即将结束，多家内存原厂已展开第三季合约报价谈判。 原厂持续执行减产、并调整产品组合，市场供需变化牵动价格走势分歧，尤以高带宽记忆体（HBM）、LPDDR4X与DDR4等关键产品为观察重点。根据TrendForce调查，2025年DRAM整体位元产出将年增约25%，但若排除HBM产品，一般型DRAM位年增幅约20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原厂成长幅度仅15%，反映产能资源向HBM倾斜。HBM成为AI服务器核心零组件，供应持续吃紧，特别是HBM3e更面临严重短缺，推升报价动能。在一般型DR
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内存 供应链 TrendForce
美光在 2025 财年第三季度的创纪录收入是由 HBM 销售额激增近 50%推动的——而且势头仍在继续。这家美国内存巨头现在目标是到年底占据约 25%的 HBM 市场份额，正如 ZDNet 所报道的那样。虽然其乐观的展望吸引了市场关注，但焦点也集中在其全球产能扩张能否跟上。以下是美光最新制造动向的简要回顾，包括国内和海外。美国生产时间表指向2027年开始2022 年 9 月，美光公司公布了一项 150 亿美元的扩张计划，计划在其爱达荷州博伊西总部建设一个尖端研发和半导体制造设施——这是
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美光 HBM 内存
在 2025 财年第三季度 HBM 销售额增长近 50% 的推动下，美光公布了创纪录的收入，现在正着眼于另一个里程碑。据 ZDNet 称，这家美国内存巨头的目标是到 2025 年底将其 HBM 市场份额提高到 23-24%。值得注意的是，美光在其新闻稿中表示，它现在正在向 GPU 和 ASIC 平台上的四个客户交付大批量 HBM。因此，该公司预计到 2025 年下半年，其 HBM 市场份额将达到与其整体 DRAM 份额持平。据路透社报道，美光的强劲业绩反映了 NVIDIA 和 AMD
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Micron HBM GPU ASIC
美光在 2025 财年第三季度创纪录的收入是由 HBM 销售额增长近 50% 推动的，而且这种势头并没有放缓。正如 ZDNet 所指出的那样，这家美国存储器巨头现在的目标是到年底在 HBM 市场占据大约 25% 的份额。虽然其乐观的前景吸引了市场的关注，但人们也关注其全球产能扩张能否跟上步伐。以下是美光在国内外的最新制造举措。美国生产时间表指向 2027 年开始根据其新闻稿，2022 年 9 月，美光公布了一项价值 150 亿美元的计划，以扩建其位于爱达荷州博伊西的总部，该总部将拥有尖
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晶圆厂 美光 HBM
随着将 HBM4 时代的希望寄托在其 1c DRAM 的进展上，据报道三星在良率方面取得了重大突破。据 sedaily 报道，该公司最近在其第六代 10nm 级 DRAM（1c DRAM）晶圆测试中实现了 50-70%的良率——这一数字较去年的 30%以下水平有了显著提升。值得注意的是，与 SK 海力士和美光等坚持使用更成熟的 1b DRAM 生产 HBM4 不同，三星正大胆押注下一代 1c DRAM。随着良率稳步提高，该公司计划在其华城和平泽工厂加大 1c DRAM 的生产规模，根据
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三星 HBM 存储
NewSpace 是指私营公司和初创公司将太空探索商业化，与传统太空计划相比，政府的监督通常较少。在对全球连接（直接到蜂窝）的需求不断增长的推动下，NewSpace 计划旨在将 LEO 卫星星座与物联网相结合。这些任务通常依赖于较小的卫星，从纳米卫星到 250 公斤卫星，并且任务持续时间更短，成本更低，能够部署大规模 LEO 星座。由于 LEO 的发射成本较低且辐射暴露较少，许多 NewSpace 应用可以从 COTS 组件中受益，这些组件无需传统的军事或航空航天认证即可提供强大的性能。Infineon
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近日有消息称，微信正在优化聊天记录备份的功能，支持U盘等多种存储设备。对此，微信方面回应称正在小范围测试聊天记录备份功能优化。微信表示，和当前仅支持备份到电脑相比，优化后的功能支持用户通过手机微信，将聊天记录备份到外部存储设备（如U盘、移动硬盘），且可创建及管理多份备份文件，并支持自动备份。目前，该功能更新在持续扩大测试范围。聊天记录备份的具体路径是“微信设置-通用-聊天记录与迁移-备份与恢复”，如果你的微信在该功能的灰度测试范围，那么就会看到现在备份与恢复可以选择“备份到电脑、U盘等多种存储设备”或“支
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微信 内存
据台媒《经济日报》报道，由于DDR4供应减少，再加上市场神秘买家大举出手扫货，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM现货价等规格单日都暴涨近8%。本季以来报价已翻涨一倍以上，不仅跨过DRAM厂损益平衡点，更达到让厂商暴赚的水平。如今DDR4不仅报价大涨，甚至比更高规格的DDR5报价更高，呈现“价格倒挂”，业界直言：“至少十年没看过现货价单日涨幅这么大。”根据DRAM专业报价网站DRAMeXchange最新报价显示，6月13日晚间DDR4现货价全面暴涨，DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7.8%，
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DDR4 DRAM 三星 美光 南亚科技 华邦电子 HBM
韩国顶尖国家级研究机构 KAIST 发布了一份 371 页的论文，详细介绍了到 2038 年高带宽内存（HBM）技术的演进，展示了带宽、容量、I/O 宽度以及热量的增加。该路线图涵盖了从 HBM4 到 HBM8 的发展，包括封装、3D 堆叠、以内存为中心的架构以及嵌入 NAND 存储，甚至基于机器学习的方法来控制功耗。 请记住，该文件是关于 HBM 技术假设演进的，基于当前行业和研究方向，而不是任何商业公司的实际路线图。（图片来源：KAIST）每堆叠的 HBM 容量将从 288GB 增加到 34
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HBM.NAND
作为 Micron——在赢得 NVIDIA HBM 订单的竞争中关键对手——宣布已交付其首批 12 层 HBM4 样品，据报道三星在 6 月份第三次尝试通过 NVIDIA 的 HBM3E 12 层验证时遇到了挫折。根据 Business Post引用的证券分析师，该公司现在计划在 9 月份进行重测。尽管 Deal Site 之前表示三星的 12 层 HBM3E 在 5 月份通过了 NVIDIA 的裸片认证，但该产品仍需进行完整封装验证。另一方面，SR Times 建
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三星 HBM 英伟达
美国芯片巨头英特尔已与日本科技和投资巨头软银携手，合作开发一种堆叠式DRAM解决方案，以替代高带宽存储器（HBM）。据报道，双方已合资成立新公司Saimemory共同打造原型产品，该项目将利用英特尔的芯片堆叠技术以及东京大学持有的数据传输专利，软银则以30亿日元注资成为最大股东（总投资约100亿日元）。该合作计划于2027年完成原型开发并评估量产可行性，目标是在2030年前实现商业化。Saimemory将主要专注于芯片的设计工作以及专利管理，而芯片的制造环节则将交由外部代工厂负责这种分工模式有助于充分发挥
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英特尔 软银 HBM DRAM 三星 SK海力士
据韩媒SEDaily报道，三星半导体部门（即DS设备解决方案部）正对系统LSI业务的组织运作方式的调整计划进行最终审议，相关决定将在不久后公布。预计在由副董事长郑铉镐和DS部门负责人全永铉做出最终决定之前，还将进行更多高层讨论，并听取董事长李在镕的意见。系统LSI业务主要负责芯片设计，在三星半导体体系中承担着为移动业务（MX）部门开发Exynos手机SoC的核心任务。然而，近年来Exynos 2x00系列应用处理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手机中的采用率明显下降，不仅削弱了MX部门的利润空间，
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据路透社报道，英伟达即将针对中国市场推出一款新的AI芯片，预计售价在6500美元至8000美元之间，远低于H20芯片的10000至12000美元，较低的价格反映了其较弱的规格和更简单的制造要求，避开了受美国出口规则限制的先进技术。知情人士称，这款新的专供中国市场的GPU将会是基于英伟达的服务器级图形处理器RTX Pro 6000D来进行构建，采用传统的GDDR7显存，而不是HBM3e，也没有使用台积电的先进封装技术CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），这也使得这款芯片成本大幅
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英伟达 芯片 Cowos 封装 HBM
据报道，在 NVIDIA 的 H20 受到最新的美国 AI 芯片出口限制后，这家美国芯片巨头一直在开发一款针对市场的新芯片组。据路透社报道，这款基于 Blackwell 的芯片最早可能在 6 月首次亮相，成本比 H30 低 20% 以上。路透社指出，NVIDIA 对内存和封装的选择是该芯片价格较低的关键原因。值得注意的是，据报道，新型号将放弃台积电先进的 CoWoS 封装。此外，该报告补充说，预计它将基于 RTX Pro 6000D（服务器级 GPU）与标准 GDDR7 内存配对，而不是更昂贵的 HBM。
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NVIDIA 中国版 AI芯片 CoWoS HBM
根据 TrendForce 集邦咨询最新的内存现货价格趋势报告，关于 DRAM，现货市场显示，由于预期未来供应趋紧，DDR4 产品的价格相比 DDR5 产品的价格上涨幅度更大。至于 NAND 闪存，买家放慢了询价和交易的速度。详情如下：DRAM 现货价格：与合约市场的情况类似，现货市场显示，由于预期未来供应趋紧，DDR4 产品的价格与 DDR5 产品的价格相比上涨幅度更大。DDR5 产品的价格也继续逐步上涨，因为模块公司急于增加库存。TrendForce 集邦咨询相信，整体而言，现货价格在整个 2Q25
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