三星Galaxy S25系列可能会选择美光作为第一内存供应商，而非自家的产品。这一决定标志着三星在旗舰智能手机中首次没有优先使用自家的内存解决方案，这也让外界对三星内存技术的竞争力产生了质疑。美光此前多年一直是三星旗舰Galaxy智能手机中的第二内存供应商，这次却打败三星成为了第一供应商，似乎折射出内部部门竞争的微妙行情。2024年9月就有报道指出因良率问题，三星DS（设备解决方案）部门未能按时足量向三星MX（移动体验）部门交付Galaxy S25系列手机开发所需的LPDDR5X内存样品，导致MX部门的手
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三星 Galaxy S25 内存 美光 DRAM LPDDR5X
HBM（高带宽内存）技术是即将到来的“内存内计算/处理”时代的一种“近内存计算（Near Memory Computing）/处理”阶段。由于人工智能/机器学习的高需求，三星、SK海力士和美光这三大内存制造商正在HBM技术的开发上竞相角逐。HBM是一种具有高带宽和宽通道的3D堆叠DRAM器件，这意味着它非常适合高性能计算（HPC）、高性能图形处理单元（GPU）、人工智能和数据中心应用所需的高能效、高性能、大容量和低延迟内存。因此，对于内存制造商而言，硅通孔（TSV）工艺集成和3D HBM DRAM芯片堆叠
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HBM 高带宽内存
12 月 20 日消息，据 TheElec 报道，韩国存储芯片巨头 SK 海力士赢得了一份向博通供应 HBM 芯片的大单，但具体额度未知。消息人士称，博通计划从 SK 海力士采购存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划明年将其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 产能扩大到 14~15 万片（IT之家注：单位是 300mm 直径的 12 英寸晶
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存储芯片 SK海力士 HBM
随着人工智能技术的广泛应用，移动产品对内存性能的需求日益增长，尤其需要相较LPDDR5X更为高效的数据处理能力以支撑端侧AI模型的运行。一直悬而未决的LPDDR6标准也进入最终的敲定期，预计到2025年下半年我们有望看到采用新一代LPDDR6的产品上市。此前有报道称，高通第四代骁龙8平台将支持LPDDR6，以进一步提升定制Oryon内核的性能。LPDDR6带来了哪些变化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月发布。之后，业界又陆续发布了小幅更新、改进版的LPDDR
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12 月 11 日消息，Marvell 美满电子美国加州当地时间 10 日宣布推出“定制 HBM 计算架构”（Custom HBM Compute Architecture），可令各种 XPU 处理器实现更高的计算和内存密度。Marvell 表示这项可提升性能、能效、成本表现的新技术对其所有定制芯片客户开放，并得到了三大 HBM 内存原厂 SK 海力士、三星电子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 计算架构”采用了非行业标准的 HBM I/O 接口设计，可带来更优秀性能和最多 70% 的接口
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Marvell HBM XPU
12 月 10 日消息，2024 IEEE IEDM 国际电子设备会议目前正在美国加州旧金山举行。据分析师 Ian Cutress 的 X 平台动态，英伟达在本次学术会议上分享了有关未来 AI 加速器的构想。英伟达认为未来整个 AI 加速器复合体将位于大面积先进封装基板之上，采用垂直供电，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模块设计，3D 垂直堆叠 DRAM 内存，并在模块内直接整合冷板。IT之家注：Ian Cutress 还提到了硅光子中介层，但相关内容不在其分享的图片中。在英伟达给出的模型中，每个
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英伟达 硅光子 内存
12 月 5 日消息，据 Businesses Korea 今日报道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和组织架构优化。本次调整任命了 1 位总裁、33 位新高管及 2 位研究员。为提升决策效率，该公司推行“C-Level”管理体系，依据核心职能分工明确责任与权限，业务单元被划分为包括 AI 基础设施（CMO）、未来技术研究院（CTO）、研发（CDO）和生产（CPO）在内的五大部门。据介绍，新设的 AI 芯片开发部门整合了 DRAM、NAND 和解决方案的开发能力，着眼于下一代 AI 内存等
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SK海力士 内存 NAND
12 月 3 日消息，据韩媒 Business Korea 昨日报道，三星电子和 SK 海力士正在合作标准化 LPDDR6-PIM 内存产品。该合作伙伴关系旨在加快专门用于人工智能（AI）的低功耗存储器标准化。报道提到，两家公司已经确定，有必要建立联盟，以使下一代存储器符合这一趋势。报道还称，三星电子和 SK 海力士之间的合作尚处于早期阶段，正在进行向联合电子设备工程委员会（JEDEC）注册标准化的初步工作。目前正在讨论每一个需要标准化项目的适当规格。▲ 图源三星PIM 内存技术是一种将存储和计
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三星电子 SK 海力士 内存
12月2日消息，据韩国媒体报道， 在全球内存市场上长期竞争的三星电子和SK海力士，近日出人意料地结成联盟，共同推动LPDDR6-PIM内存的标准化。这也意味着两家公司在面对AI内存技术商业化的共同挑战时，愿意搁置竞争，共同推动行业标准的制定。双方合作旨在加速专为人工智能优化的低功耗内存技术的标准化进程，以适应设备内AI技术的发展。随着设备内AI技术的兴起，PIM内存技术越来越受到重视。PIM技术通过将存储和计算结合，直接在存储单元进行计算，有效解决了传统芯片在运行AI算法时的“存储墙”和“功耗墙
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据外媒报道，三星正在扩大韩国和其他国家芯片封装工厂的产能，主要是苏州工厂和韩国忠清南道天安基地。由于人工智能领域激增的需求，下一代高带宽存储器封装（HBM）的重要性日益重要，三星希望通过提升封装能力，确保他们未来的技术竞争力，并缩小与SK海力士在这一领域的差距。· 苏州工厂是三星目前在韩国之外仅有的封装工厂，业内人士透露他们在三季度已同相关厂商签署了设备采购协议，合同接近200亿韩元，目的是扩大工厂的产能。· 另外，三星近期已同忠清南道和天安市签署了扩大芯片封装产能的投资协议，计划在韩国天安市新建一座专门
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三星 高带宽存储器 封装 HBM
任何新的内存方法都必须具备可制造性与成本效益，方能被采用。
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11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭鲁正今日在韩国首尔举行的 SK AI Summit 2024 上介绍了全球首款 16-High HBM3E 内存。该产品可实现 48GB 的单堆栈容量，预计明年初出样。虽然一般认为 16 层堆叠 HBM 内存直到下一世代 HBM4 才会正式商用，但参考内存领域 IP 企业 Rambus 的文章，HBM3E 也有扩展到 16 层的潜力。此外注意到，SK 海力士为今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 学术会议准备的论文中也提到了可实现 1280G
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10 月 30 日消息，芝奇国际今日宣布再度刷新内存频率超频世界纪录，由华硕 ROG 极限超频者 SAFEDISK 上传的成绩，通过液态氮极限超频技术，创下 DDR5-12112 的超频纪录。该纪录使用的是芝奇 Trident Z5 旗舰系列 DDR5 内存，搭配最新英特尔酷睿 Ultra 9 285K 处理器及华硕 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附图如下：此成绩已上传至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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获悉，周四，SK海力士公布了创纪录的季度利润和营收，这反映出市场对与英伟达(NVDA.US)处理器一起用于人工智能开发的存储芯片的强劲需求。作为英伟达的供应商，这家韩国存储芯片巨头第三季度的营业利润达到7.03万亿韩元(51亿美元)，上年同期为亏损1.8万亿韩元，高于分析师预期的6.9万亿韩元。营收大增94%，达到17.6万亿韩元，而市场预期为18.2万亿韩元。今年以来，SK海力士股价累计上涨逾35%，原因是该公司在设计和供应为英伟达人工智能加速器提供动力的尖端高带宽内存(HBM)方面扩大了对三星电子(S
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10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道，SK 海力士正缩减 CIS （注：即 CMOS 图像传感器）等次要业务规模，全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL 内存、PIM、AI SSD 等新兴增长点。SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资，同时月产能已低于 7000 片 12 英寸晶圆，不足去年一半水平。而这背后是 2023 年 CIS 市场三大巨头索尼、三星、豪威共占据 3/4 市场份额，SK 海力士仅以 4% 排在第六位，远远落后于竞争对手。同时，SK 海力
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