4 月 1 日消息，三星电子 DS 部门负责人庆桂显近日在社交媒体上表示三星内部正采取双轨 AI 半导体策略，同步提高在 AI 用存储芯片和 AI 算力芯片领域的竞争力。在 AI 用存储芯片部分，三星组建了由 DRAM 产品与技术负责人 Hwang Sang-joon 领导 HBM 内存产能与质量提升团队，这是其今年建立的第二个 HBM 专门团队。三星近期在 HBM 内存上进行了大规模的人才投入，旨在赢回因策略失误而被 SK 海力士拿下的 HBM 内存市场领军地位：2019 年，三星因对未来市场的错误预测
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三星 HBM AI Mach-2
HBM 即高带宽内存，是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片。如果说传统的 DDR 就是采用的"平房设计"方式，那么 HBM 则是采用"楼房设计"方式。目前，HBM 产品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。可以看到，HBM 每一次更新迭代都会伴随着处理速度的提高。HBM3 自 2022 年 1 月诞生，便凭借其独特的 2.5D/3D 内存架构，迅速成为高性能计算领域的翘楚。HBM3 不仅
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HBM
美光目前在高带宽内存市场上处于劣势，但看起来情况正在迅速变化，因为该公司表示其 HBM3E 内存供应已售罄，并分配到 2025 年的大部分时间。目前，美光表示其HBM3E将出现在英伟达的H200 GPU中，用于人工智能和高性能计算，因此美光似乎准备抢占相当大的HBM市场份额。图片来源：美光“我们的 HBM 在 2024 日历上已经售罄，我们 2025 年的绝大部分供应已经分配完毕，”美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 在本周为公司财报电话会议准备的讲话中表示。“我们继续预计 HBM
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美光 存储 AI HBM
3 月 20 日消息，本周二在美国加州圣何塞举办的媒体吹风会上，英伟达首席执行官黄仁勋表示：“HBM 内存不仅生产难度高，而且成本非常高，我们在 HBM 上可谓是一掷千金”。黄仁勋将 HBM 称为“技术奇迹”（technological miracle），相比较传统 DRAM，不仅可以提高数据中心的性能，功耗方面明显更低。在本次吹风会之前，网络上有不少消息称英伟达会从三星采购 HBM3 或 HBM3E 等内存，而在本次吹风会上，黄仁勋正面表示：“三星是一家非常非常优秀的公司”（Samsung is a v
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黄仁勋 三星 英伟达 HBM 内存
3 月 20 日消息，三星电子 DS（设备解决方案）部门负责人庆桂显（Kye Hyun Kyung）在今日的三星电子股东大会上宣布，三星电子计划今年底明年初推出采用 LPDDR 内存的 AI 芯片 Mach-1。庆桂显表示，Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技术验证，正处于 SoC 设计阶段。该 AI 芯片将于今年底完成制造过程，明年初推出基于其的 AI 系统。韩媒 Sedaily 报道指，Mach-1 芯片基于非传统结构，可将片外内存与计算芯片间的瓶颈降低至现有 AI 芯片的 1/8。此外，该芯
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三星 AI 芯片 LPDDR 内存
近日，存储大厂美光科技在GTC 2024活动，展示一系列存储解决方案。该公司此前刚宣布8层堆叠HBM3E已量产，并预计2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出货。美光展示的解决方案，分别包括8层堆叠24GB HBM3E解决方案与后续12层36GB HBM3E解决方案；使用单片晶粒具低延迟与低功耗优势的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存储解决方案与LPCAMM2模组；可提供AI与存储器工作负载所需的容量、频宽、弹性的CXL存储器模组，并携手MemVerg
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DDR 美光科技 HBM
迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR
SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不
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存储 DDR HBM
迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不同的
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DDR GDDR6 HBM
IT之家 3 月 14 日消息，据韩媒 NEWSIS 报道，三星电子否认了近日路透社的说法，表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。HBM 由多层 DRAM 堆叠而成，目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通过回流焊一次性粘合，然后同时用模塑料填充间隙；而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜，是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜（NCF）的热压键合方式。随着 HBM
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三星 MR-RUF DRAM HBM
服务器作为网络的节点，存储、处理网络上80％的数据、信息，被称为互联网的灵魂。它不仅是一个简单的机器，更像是一个精密的工程，由多个关键组件相互配合，以实现高效的数据处理和存储。01 什么是服务器服务器是在网络中为其他客户机提供服务的高性能计算机：具有高速的CPU运算能力，能够长时间的可靠运行，有强大的I/O外部数据吞吐能力以及更好的扩展性。服务器的内部结构与普通计算机内部结构类似（CPU、硬盘、内存、系统总线等）。服务器Server：间接服务于多人；个人计算机PC：直接服务于个人。02 服务器的
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服务器 CPU 内存 硬盘
SK海力士负责封装开发的李康旭副社长认为，半导体行业前50年都在专注芯片本身的设计和制造，但是，下一个 50 年，一切将围绕芯片封装展开。据彭博社报道，SK海力士（SK
Hynix）今年将在韩国投资超过10亿美元，用于扩大和改进其芯片制造的最后步骤，即先进封装。前三星电子工程师、现任 SK Hynix
封装开发主管的李康旭表示，推进封装工艺创新是提高HBM性能、降低功耗的关键所在，也是SK海力士巩固HBM市场领先地位的必由之路。高度聚焦先进封装SK海力士HBM不断扩产SK海力士在最近的财报中表示，
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存储 HBM 先进封装
近期，存储厂商南亚科总经理李培瑛对外表示，HBM目前产品溢价较高，确实会对存储器厂商营收有所贡献，但其占全球DRAM位元数仅约2%。因此，以当前南亚科在DRAM市场的市占率而言，现阶段不适合公司投入大量资源争夺HBM市场。存储市场正掀起AI狂欢热潮，HBM技术也从幕后走向台前，并成为推动存储器产业发展的强劲动能。不过，HBM技术含量高、在DRAM占比小，因此决定了该技术是属于三星、SK海力士、美光等大厂的“游戏”，而非全部存储厂商的“狂欢”。如今，存储大厂的HBM战局已然打响，并瞄准了最新的HBM3E技术
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HBM 存储
大家好，我是蜗牛兄。本文主要介绍DDR常用的三种频率，以及梳理内存频率是怎样提升的。可能这篇文章对于电路设计用处不大，但多了解一点总是没坏处的。图1 文章框图通过下面这张表，我们一起来了解一下内存DDR的频率。图2 内存频率表格从表中可以看出内存有三种频率，分别是核心频率，工作频率和等效频率。而我们平时所说的频率就是等效频率。从表格中我们可以得出以下信息：1、核心频率，指真正读写内存颗粒的频率，它是固定不变的，一般是133，166，和200MHz三类，这个频率提升很难。2、工作频率，DDR工作频率是颗粒核
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内存 DDR频率
全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位，并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为人工智能（AI）解决方案赋能。HBM3E：推动人工智能革命随着人工智能需求的持续激增，内存解决方案对于满足工作负载需求
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AI服务器浪潮席卷全球，带动AI加速芯片需求。DRAM关键性产品HBM异军突起，成为了半导体下行周期中逆势增长的风景线。业界认为，HBM是加速未来AI技术发展的关键科技之一。近期，HBM市场动静不断。先是SK海力士、美光科技存储两大厂释出2024年HBM产能售罄。与此同时，HBM技术再突破、大客户发生变动、被划进国家战略技术之一...一时间全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全称为High Bandwidth Memory），是高带宽存储器，是属于图形DDR内存的一种。从技术原理上讲，HB
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三星 半导体存储器 HBM
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