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hbm 内存 文章 最新资讯

有选择的后摩尔堆叠时代

  • 台积电、英特尔等大厂近年来不断加大对异构集成制造及相关研发的投入。随着 AIGC、8K、AR/MR 等应用的不断发展,3D IC 堆叠和 chiplet 异构集成已成为满足未来高性能计算需求、延续摩尔定律的主要解决方案。不久前,华为公布了一项芯片堆叠技术的新专利,显示了该公司在芯片技术领域的创新实力。这项专利提供了一种简化芯片堆叠结构制备工艺的方法,有望解决芯片堆叠过程中的各种技术难题。堆叠技术可以提高芯片的效率,并更好地利用可用空间,进一步推动芯片技术的进步。尽管目前该专利与将两个 14nm 芯片堆叠成
  • 关键字: CPU  EDA  内存  

三星推出其首个LPCAMM内存解决方案 开启内存模组新未来

  • 三星电子宣布已开发出其首款 7.5Gbps(千兆字节每秒)低功耗压缩附加内存模组(LPCAMM)形态规格,这有望改变个人计算机和笔记本电脑的 DRAM(动态随机存取存储器) 市场,甚至改变数据中心的DRAM市场。三星的突破性研发成果已在英特尔平台上完成了系统验证。三星LPCAMM内存模组结构示意图截至目前,个人计算机和笔记本电脑都在使用传统的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的 So-DIMM(小型双重内嵌式内存模组)。然而受结构限制,LPDDR需要被直接安装在设备的主板上,导致其在维修
  • 关键字: 三星  LPCAMM  内存  内存模组  

消息称三星和 SK 海力士改进 HBM 封装工艺,即将量产 12 层产品

  • IT之家 9 月 12 日消息,根据韩国 The Elec 报道,三星电子和 SK 海力士两家公司加速推进 12 层 HBM 内存量产。生成式 AI 的爆火带动英伟达加速卡的需求之外,也带动了对高容量存储器(HBM)的需求。HBM 堆叠的层数越多,处理数据的能力就越强,目前主流 HBM 堆叠 8 层,而下一代 12 层也即将开始量产。报道称 HBM 堆叠目前主要使用正使用热压粘合(TCB)和批量回流焊(MR)工艺,而最新消息称三星和 SK 海力士正在推进名为混合键合(Hybrid Bonding
  • 关键字: 三星  海力士  内存  

要涨价?内存、闪存同时需求大涨

  • 这两年,DRAM内存芯片、NAND闪存芯片都需求疲软,导致价格持续处于地位,内存、SSD硬盘产品也越来越便宜。不过,这种好日子似乎要结束了。根据集邦咨询最新研究报告,预计在2024年,内存、闪存原厂仍然会延续减产策略,尤其是亏损严重的闪存,但与此同时,至少在2024年上半年,消费电子市场需求仍不明朗,服务器需求相对疲弱。由于内存、闪存市场在2023年已经处于低谷,价格也来到相对低点,因此 预计在2024年,内存、闪存芯片的市场需求将分别大涨13.0%、16.0%,相比今年高出大约6.5个、5.0
  • 关键字: 内存  闪存  

HBM:高带宽内存吸引各大科技巨头抢购的“魔力”到底是什么?

  • 由于各大企业对布局AI领域的兴趣激增,同时,SK海力士在用于生成式AI领域的高带宽存储器(HBM)DRAM方面处于市场领先地位,其二季度用于AI领域的高性能DRAM销售增长强劲,对高端DRAM的需求增长了一倍多。继英伟达之后,全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3,包括AMD、微软和亚马逊等等。
  • 关键字: HBM  高带宽  内存  海力士  三星  美光  

大模型市场,不止带火HBM

  • 近日,HBM 成为芯片行业的火热话题。据 TrendForce 预测,2023 年高带宽内存(HBM)比特量预计将达到 2.9 亿 GB,同比增长约 60%,2024 年预计将进一步增长 30%。2008 年被 AMD 提出的 HBM 内存概念,在 2013 年被 SK 海力士通过 TSV 技术得以实现,问世 10 年后 HBM 似乎真的来到了大规模商业化的时代。HBM 的概念的起飞与 AIGC 的火爆有直接关系。AI 服务器对带宽提出了更高的要求,与 DDR SDRAM 相比,HBM 具有更高的带宽和更
  • 关键字: HBM  ChatGPT  AI  

Intel傲腾内存死而不僵:再活3个月

  • 2022年9月底,Intel宣布彻底终结Optane傲腾业务,包括SSD固态硬盘、PMem持久内存两大产品线,但是现在,傲腾内存还要再挣扎一下。Intel原计划在今年9月30日之后停止出货傲腾持久内存100系列,但是现在,Intel将截止期限延长到了12月29日,多供货3个月。同时,Intel建议客户,按照0.44%的年故障率备足存货,以备不时之需。不过,Intel并未解释延长出货期限的原因,不知道是客户仍有需求,还是库存太多清不完?傲腾持久内存的地位介于传统DIMM内存、傲腾SSD之间,将数据比特保存在
  • 关键字: 英特尔  Intel  傲腾  SSD  PMem  内存  

AI及HPC需求带动对HBM需求容量将年增近60%

  • 为解决高速运算下,存储器传输速率受限于DDR SDRAM带宽而无法同步成长的问题,高带宽存储器(High Bandwidth Memory,HBM)应运而生,其革命性传输效率是让核心运算元件充分发挥效能的关键。据TrendForce集邦咨询研究显示,目前高端AI服务器GPU搭载HBM已成主流,预估2023年全球HBM需求量将年增近六成,来到2.9亿GB ,2024年将再成长三成。TrendForce集邦咨询预估到2025年,全球若以等同ChatGPT的超大型AIGC产品5款、Midjourney的
  • 关键字: AI  HPC  HBM  TrendForce  

三星将于今年下半年开始批量生产HBM芯片

  • AI服务器需求,带动HBM提升,继HanmiSemiconductor之后,又有一存储大厂在加速HBM布局。据韩媒《TheKoreaTimes》6月27日报道,三星电子将于今年下半年开始批量生产高带宽内存(HBM)芯片,以满足持续增长的人工智能(AI)市场。根据报道,三星将量产16GB、24GB的HBM3存储芯片,这些产品数据处理速度可达到6.4Gbps,有助于提高服务器的学习计算速度。三星执行副总裁Kim Jae-joon在4月份的电话会议上表示,该公司计划在今年下半年推出下一代HBM3P产品,以满
  • 关键字: 三星  HBM  

AI大势!GPU订单排到明年、HBM与先进封装需求大涨

  • 2023年ChatGPT引发的AI热潮仍在继续,近期媒体报道,今年拥有云端相关业务的企业,大多都向英伟达采购了大量GPU,目前该公司订单已排至2024年。同时,由于英伟达大量急单涌入,晶圆代工企业台积电也从中受益。据悉,英伟达正向台积电紧急追单,这也令台积电5纳米制程产能利用率推高至接近满载。台积电正以超级急件(superhotrun)生产英伟达H100、A100等产品,而且订单排至年底。业界认为,随着ChatGPT等AIGC(生成式人工智能)快速发展,未来市场对GPU的需求将不断上升,并将带动HBM以及
  • 关键字: AI  GPU  HBM  先进封装  

英特尔至强CPU Max系列:整合高带宽内存(HBM)和至强处理器内核

  • 治疗癌症、减缓全球变暖、保护生态健康——当今世界充满了各种挑战。因此,通过科技紧跟时代发展步伐,并充分利用不断增长的数据至关重要。这不仅涉及数据的处理速度,也涉及能够处理的海量数据,以及数据在内存和处理器之间的传输速度。 英特尔设计工程部首席工程师、英特尔®至强® CPU Max系列(代号Sapphire Rapids HBM)首席架构师Ugonna Echeruo如此描述这一挑战:究其根本,一颗CPU是从内存获取信息、对其进行处理并更新。CPU最终可以处理的信息量受限于数据传输“管道”的宽窄。
  • 关键字: 英特尔  至强CPU  高带宽内存  HBM  至强处理器内核  

RAM 是如何工作的?

  • 计算机关闭时,RAM 中存储的信息会丢失,而长期存储设备(SSD 或 HDD)中的数据会保留。
  • 关键字: RAM  内存  

2023 年全球半导体收入将下降 11%

AI服务器需求带动HBM供应

  • AI服务器出货动能强劲带动HBM(high bandwidth memory)需求提升,据TrendForce集邦咨询研究显示,2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士(SK hynix)50%、三星(Samsung)约40%、美光(Micron)约10%。此外,高阶深度学习AI GPU的规格也刺激HBM产品更迭,2023下半年伴随NVIDIA H100与AMD MI300的搭载,三大原厂也已规划相对应规格HBM3的量产。因此,在今年将有更多客户导入HBM3的预期下,SK海力士作为目
  • 关键字: AI服务器  HBM  SK海力士  

西部数据宣布进一步削减生产和投资,NAND 晶圆产量将减少至 30%

  • IT之家 2 月 7 日消息,据韩媒 Business Korea 报道,在内存半导体行业持续低迷的情况下,全球 NAND 闪存市场第四大公司西部数据宣布将进一步缩减设备投资和生产。西部数据 1 月 31 日在 2022 年第四季度业绩电话会议上表示,2023 财年设备投资总额将达到 23 亿美元(当前约 156.17 亿元人民币)。据IT之家了解,这一数字比 2022 年 10 月披露的 27 亿美元(当前约 183.33 亿元人民币)下降了 14.8%,与 2022 年 8 月公布
  • 关键字: NAND  内存  西部数据  
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hbm 内存介绍

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