1. 电源 DDR的电源可以分为三类：a主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以PCB设计时，如果有一个完整的电源平
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DDR 内存
华邦电子新年展望——技术发展不可阻挡，内存市场趋稳求进
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华邦电子 内存
内存产业复苏明确，包括旺宏、南亚科、创见、鑫创、广颖、钰创、商丞等七家公司，去年12月营收呈现月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合约价续涨。然全球第二大内存生产商SK海力士计划阶段性扩产，为内存市况投下变量。海力士透露，公司可能于第一季缩小DRAM减产幅度，NAND Flash生产策略可能视情况在第二季或第三季跟着调整。针对内存大厂有意扩产，国内存储器厂商则认为，海力士扩厂应集中在DDR5和HBM（高带宽内存）产品为主，因为台湾目前产品主攻DDR4，不致影响产品报价。TrendForc
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DDR5 HBM 内存 TrendForce
在2024年即将到来之际，多家机构给出预测，认定生成式AI将成为2024年的增长重点之一。回顾2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI热潮，不仅仅是下游市场的AI应用，这股大火一直烧到了上游芯片领域，根据权威机构预测，2023年和2024年，AI服务器将有38%左右的增长空间。随着GPU等AI芯片走向高峰的同时，也极大带动了市场对新一代内存芯片HBM（高带宽内存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我们先来了解一下什么是HBM。HBM全称为High Bandwich Me
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HBM DDR AI GPU 美光 海力士
预计英伟达 HBM3e 验证将于 2024 Q1 完成。
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HBM 存储
处理器，无论是 CPU、GPU、FPGA，还是 NPU，要想正常运行，都离不开 RAM，特别是 DRAM（动态随机存取存储器），它已经成为各种系统（PC，手机，数据中心等）中内存的代名词。根据应用不同，系统对芯片面积和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成标准 DDR（双倍数据速率）、LPDDR、GDDR 等，当然，主要就是这三类。其中，DDR 是相对于 SDR（单数据速率）而言的，将 I/O 时钟加倍了，主要为 PC 和数据中心的 CPU 服务，目前已经发展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
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DRAM 封装技术 HBM
据韩媒，韩国SK海力士公司周四表示，将成立一个名为AI Infra的新部门，负责人工智能（AI）半导体相关业务，由现任全球销售营销部门负责人Kim Juseon管理。报道称，新部门将整合分散在公司内部的高带宽内存（HBM）能力和功能，还将主导新一代HBM芯片等人工智能技术的发展，寻找并开发新市场。
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SK海力士 AI HBM 内存
美光云计算高级业务发展经理 Eric Booth 90 岁的祖母患有严重的听力障碍，即使佩戴助听器也很难听清别人在说什么。Eric 注意到，她需要凑近讲话者，识别他们的唇语，努力理解他们的话语。而当多人进行交谈时，她常常会感到迷茫。Eric 萌生了一个想法：为何不用祖母的智能手机帮她来“倾听”呢？他打开手机的记事簿功能，按下麦克风按钮，向她展示了手机如何将他的话转录成屏幕上的文字。他表示：“我的祖母非常兴奋，笑得合不拢嘴，她现在可以参与到从前无法进行的对话中。”这也让我们看到了该技术如何切实改善了言语、语
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语音识别 生成式AI 机器学习 内存
今年以来，ChatGPT持续推动生成式AI需求上涨，加上PC与服务器领域平台不断推陈出新，HBM与DDR5等高附加值DRAM芯片备受市场青睐，存储器大厂不约而同积极布局上述产品。DDR5：美光发布新品、三星计划扩大产线当前DDR5制程已经来到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技术的DDR5内存，速率高达 7200
MT/s，现已面向数据中心及 PC 市场的所有客户出货。此外，该款DDR5内存采用先进的High-K
CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，相比上一代产品，性能提升高
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存储器 DDR5 HBM
前言从HBM存储器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市场上有许多芯片是用英文称为TSV构建的，TSV是首字母缩写，TSV（Through Silicon Via）中文为硅通孔技术。它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联，这项技术是目前唯一的垂直电互联技术，是实现3D先进封装的关键技术之一。在本文中，我们将告诉您它们是什么，它们如何工作以及它们的用途。在2000年的第一个月，Santa Clara Universi
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芯片 TSV HBM NAND 先进封装
NAND Flash现货价于8月中旬反弹，DRAM价格也在9月开始回升，内存市况确立好转，带动内存族群获利能力普遍呈现攀升。观察第三季内存族群财报，内存制造大厂包括南亚科、旺宏及华邦电仍呈小幅亏损；内存模块厂创见、威刚、广颖、品安、宇瞻单季每股税后纯益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群联单季EPS更分别有3、4元以上亮眼成绩。另从毛利率、营利率及税后纯益率三大财务指标来看，第三季财报数字呈现「三率三升」的内存厂商，则有创见、威刚、十铨、广颖、宜鼎、品安，财务成绩表现亮眼。此外，威刚14日公告10月自结财务数
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内存 NAND Flash DRAM
存储市场消费电子应用疲软的环境下，HBM成为发展新动能，备受大厂重视。近期，三星、美光传出将扩产HBM的消息。大厂积极布局HBM近期，媒体报道三星为了扩大HBM产能，已收购三星显示（Samsung Display）韩国天安厂区内部分建筑及设备，用于HBM生产。据悉，三星计划在天安厂建立一条新封装线，用于大规模生产HBM，该公司已花费105亿韩元购买上述建筑和设备等，预计追加投资7000亿-1万亿韩元。 此前，据三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊透露，三星已开发出9.8Gbps的H
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三星 美光 HBM
当地时间11月9日，存储大厂美光科技宣布推出32Gb单片芯片128GB DDR5 RDIMM内存，速度高达8000MT/s，可支持当前和未来的数据中心工作负载。据美光介绍，该产品采用美光1β(1-beta)技术，与竞争性3DS硅通孔(TSV)产品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高达24%、延迟降低高达16%、AI训练性能提升高达28%。该产品旨在满足数据中心和云环境中各种关键任务应用程序的性能和数据处理需求，包括人工智能(AI)、存储数据库(IMDB)）以及多线程、多核计数一般计算工作负载的高效处
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美光科技 内存 芯片
IT之家 11 月 13 日消息，韩国日报称，三星电子打破了 SK 海力士为 NVIDIA 独家供应 HBM 3 的局面，该公司计划从明年 1 月开始向英伟达提供 HBM3。有分析师预测称，今年以来一直低迷的三星电子半导体业务业绩将在明年迅速复苏。一些猜测认为，三星电子可能会在明年下半年在 HBM 市场份额上超过 SK 海力士。此前，三星电子已成功向美国 AMD 供应 HBM3 内存，但由于 AMD 在该市场的主导地位并不大，因此据说供应有限。市场研究公司 Trend Force 预测，SK 海
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三星 内存 NVIDIA
HBM 的未来不仅是光明的：它还具有光速、超带宽和超低功耗。 在今年的开放计算项目 (OCP) 全球峰会上，三星先进封装团队 Yan Li 向我们展示了一个比我们想象的更加集成的未来：随着高带宽内存 (HBM) 的进一步发展，热和晶体管密度问题可能会得到解决。 通过光子学来解决。 光子学基于一种可以对单个光子（光的粒子/波）信息进行编码的技术，这意味着它改善了（几乎）我们当前计算环境中我们关心的一切。 功耗大幅降低（发射的是光粒子而不是电子流），处理速度也得到提高（延迟达到飞秒级，传播速度接近光
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