在英伟达一步步站稳万亿市值脚根的道路上，少不了两项关键技术支持，其中之一是由台积电主导的 CoWoS 先进封装，另一个便是席卷当下的 HBM（高带宽存储）。英伟达 H200 是首次采用 HBM3E 存储器规格的 AI 加速卡。借助内存速度更快、容量更大的 HBM3e，英伟达 H200 以每秒 4.8TB 的速度提供 141GB 的内存，与 A100 相比，容量几乎是其两倍，带宽也提升了 43%，从而加速生成式 AI 和大语言模型，提高高性能计算（HPC）的工作负载。随着人工智能的兴起，HBM 成为巨头们抢
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HBM
《科创板日报》17日讯，SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合，目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂，用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱，并直接键合焊盘，这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠，并增加带宽。
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SK 海力士 HBM 混合键合技术
在半导体存储领域，参与HBM市场竞争的存储厂商主要为SK海力士、三星和美光，三者的竞争已经延续到HBM3e。而近日，行业标准制定组织固态技术协会JEDEC宣布HBM4即将完成的消息引发了业界关注，这似乎也预示着HBM领域新的战场已经开启...◀堆栈通道数较HBM3翻倍▶据悉，JEDEC于7月10日表示，备受期待的高带宽存储器 (HBM) DRAM标准的下一个版本：HBM4标准即将完成定稿。图片来源：JEDEC官网截图HBM4是目前发布的HBM3标准的进化版，旨在进一步提高数据处理速率，同时保持更高的带宽、
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HBM 半导体 存储
7 月 13 日消息，韩媒 businesskorea 报道，英伟达、台积电和 SK 海力士将组建“三角联盟”，为迎接 AI 时代共同推进 HBM4 等下一代技术。SEMI 计划今年 9 月 4 日举办 SEMICON 活动（其影响力可以认为是半导体行业的 CES 大展），包括台积电在内的 1000 多家公司将展示最新的半导体设备和技术，促进了合作与创新。预计这次会议的主要焦点是下一代 HBM，特别是革命性的 HBM4 内存，它将开启市场的新纪元。IT之家援引该媒体报道，SK 海力士总裁 Kim Joo-
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英伟达 台积电 SK 海力士深 HBM4 内存
IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化学 6 月 12 日宣布开发出新型半导体后端制造设备，可直接在封装基板上构建符合 2.5D 先进封装集成需求的电路图案。▲ 蚀刻图案这意味着可在 HBM 内存集成工艺中完全省略昂贵的中介层（Interposer），在大大降低生产成本的同时也缩短了先进封装流程。▲ 2.5D 集成结构对比信越表示，该新型后端设备采用准分子激光器蚀刻布线，无需光刻工艺就能批量形成大面积的复杂电路图案，达到了传统制造路线无法企及的精细度。结合信越化学开发的光
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信越化学 HBM 先进封装
在不同AI运算领域中，依照市场等级的需要，大致上可以分成三种，一种是作为高性能运算中心的人工智能、机器学习与图形处理的超高速运算与传输需求；一种是一般企业的AI服务器、一般计算机与笔电的演算应用；另一种是一般消费电子如手机、特殊应用装置或其它边缘运算的应用。现阶段三种等级的应用，所搭配的内存也会有所不同，等级越高内存的性能要求越高，业者要进入的门坎也越高。不过因为各类AI应用的市场需求庞大，各种内存的竞争也异常的激烈，不断地开发更新产品，降低成本，企图向上向下扩大应用，所以只有随时保持容量、速度与可靠度的
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高速运算平台 内存 AI 内存需求
内存是现代电子产品不可或缺的组件，随着科技的进步，内存的容量、速度、功耗等特性也不断提升，为各种应用带来了新的机遇和挑战。本文将从应用端出发，探讨各类内存的机会与挑战。动态随机存取内存（DRAM）DRAM是当前计算器系统中最常见的主存储器技术，具备高速读写和相对较低的成本。它广泛应用于PC、服务器、移动设备和游戏机中。随着人工智能和大数据应用的兴起，DRAM的需求持续增长，尤其是在需要高速数据处理和低延迟的应用场景。DRAM的主要挑战在于其挥发性和功耗问题。DRAM需要持续供电以维持数据，这限制了其在移动
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应用端 内存
AI应用热！SK海力士、三星及美光等全球前三大内存厂，积极投入高带宽内存（HBM）产能扩充计划，市场人士估计，2025年新增投片量约27.6万片，总产能拉高至54万片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零组件，根据外媒拆解，英伟达H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超过生产封装。HBM经历多次迭代发展，进入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相继采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是垄断HBM3市场，而2024年HBM3与HBM3E订单都满载。美光2
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韩国三星电子表示，因人工智能AI需求畅旺，内存芯片的售价因此也水涨船高，上季营业利益可望飙升约15倍，比路透社4日报导的预估值13倍还要多。这家全球最大内存芯片制造商预估，集团整体第2季营利为10.4兆韩元，约75亿美元，年增1,452.2%。同时，营收也大增23.3%，达74兆韩元。不过，三星这次并没有揭露净利数字。 4到6月这1季，是三星自2022年第3季曾创下营业利益高达10.8兆韩元以后，全集团营利再次冲高到10兆韩元以上。另外，三星第2季的营利，也比自己2023年一整年的6.5兆韩元要高出不少。
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三星 内存
财联社7月4日电，韩国媒体NewDaily报道称，三星电子的HBM3e芯片通过了英伟达的产品测试，三星将很快就大规模生产HBM并供应给英伟达一事展开谈判。
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三星 HBM 芯片 英伟达 测试
随着人工智能技术快速发展，AI芯片需求正急剧上升，推动先进封装以及HBM技术不断提升，硅晶圆产业有望从中受益。近期，环球晶董事长徐秀兰对外透露，AI所需的HBM内存芯片，比如HBM3以及未来的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆叠，层数从12层到16层增加，同时结构下面还需要有一层基底的晶圆，这增加了硅晶圆的使用量。此前，媒体报道，AI浪潮之下全球HBM严重供不应求，原厂今明两年HBM产能售罄，正持续增加资本投资，扩产HBM。据业界透露，相较于同容量、同制程的DDR5等内存技术，HBM高带宽存储芯片晶圆
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HBM 先进封装 硅晶圆
什么是 GDDR7 内存？它是用于 GPU 的下一代图形内存，例如即将推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它将在未来几年内用于各种产品，为现有的 GDDR6 和 GDDR6X 解决方案提供代际升级，从而提高游戏和其他类型的工作负载的性能。但这个名字下面还有很多事情要做。自从第二代GDDR内存（用于“图形双倍数据速率”）推出以来，这种模式就非常清晰。GDDR（前身为 DDR SGRAM）早在 1998 年就问世了，每隔几年就会有新的迭代到来，拥有更高的速度和带宽。当前一代
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IT之家 6 月 28 日消息，美光在业绩演示文稿中表示，其位于美国爱达荷州博伊西总部和纽约州克莱的新 DRAM 内存晶圆厂将分别于 2027、2028 财年正式投运：译文：爱达荷州晶圆厂要到 2027 财年才会带来有意义的位元供应，而纽约（州）的建设资本支出预计要到 2028 财年或更晚才会带来位元供应的增长。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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据韩媒报导，随着AI应用热度不减，三星电子日前告知戴尔、慧与（HPE）等主要客户，将在第三季提高服务器用的DRAM和企业级NAND闪存的价格15～20％。 台系内存模块大厂闻讯分析，三星此举主要趁着第三季电子产业旺季来临前率先喊涨，以期拉抬目前略显疲软的现货价行情，但合约价实际成交价格，仍需视市场供需而定。以位产出市占率来看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分别是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根据外电报导指出，三星电子第二季已将供应给企业的NAND闪存价格，调
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