2022年末，ChatGPT的面世无疑成为了引领AI浪潮的标志性事件，宣告着新一轮科技革命的到来。从ChatGPT掀起的一片浪花，到无数大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高过一浪。 在这波浪潮中，伴随着人才、数据、算力的不断升级，AI产业正展现出巨大的潜力和应用前景，并在多个领域展现出重要作用。AI的快速发展对算力的需求呈现井喷的态势，全球算力规模超高速增长。在这场浪潮中，最大的受益者无疑是英伟达，其凭借在GPU领域的优势脱颖而出，然
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三星 海力士 美光 HBM
根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional
DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。2024年HBM
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内存管理子系统可能是linux内核中最为复杂的一个子系统，其支持的功能需求众多，如页面映射、页面分配、页面回收、页面交换、冷热页面、紧急页面、页面碎片管理、页面缓存、页面统计等，而且对性能也有很高的要求。本文从内存管理硬件架构、地址空间划分和内存管理软件架构三个方面入手，尝试对内存管理的软硬件架构做一些宏观上的分析总结。内存管理硬件架构因为内存管理是内核最为核心的一个功能，针对内存管理性能优化，除了软件优化，硬件架构也做了很多的优化设计。下图是一个目前主流处理器上的存储器层次结构设计方案。从图中可以看出，
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Linux 内核 内存 架构
·双方就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录·通过采用台积电的先进制程工艺，提升HBM4产品性能·“以构建IC设计厂、晶圆代工厂、存储器厂三方合作的方式，突破面向AI应用的存储器性能极限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术，将与台积电公司密切合作，双方近期签署了谅解备忘录（MOU）。公司计划与台积电合作开发预计在2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。SK海力士表示：“公司作为AI应用的存储器领域的领先者，与全球顶级逻辑代
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市场对人工智能的热情还在持续升温，随着芯片库存调整卓有成效，以及市场需求回暖推动，全球存储芯片价格正从去年的暴跌中逐步回升，内闪存产品价格均开始涨价。TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于AI需求高涨，目前英伟达（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供应紧俏，除了CoWoS是供应瓶颈，HBM亦同，主要是HBM生产周期较DDR5更长，投片到产出与封装完成需要两个季度以上所致。行业人士表示，在产能紧缺下目前DRAM以及绑定英伟达新款AI芯片的HBM存储系统售价更高。在此带动下，从今年
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TrendForce集邦咨询针对403震后各半导体厂动态更新，由于本次地震大多晶圆代工厂都位属在震度四级的区域，加上台湾地区的半导体工厂多以高规格兴建，内部的减震措施都是世界顶尖水平，多半可以减震1至2级。以本次的震度来看，几乎都是停机检查后，迅速复工进行，纵使有因为紧急停机或地震损坏炉管，导致在线晶圆破片或是毁损报废，但由于目前成熟制程厂区产能利用率平均皆在50~80%，故损失大多可以在复工后迅速将产能补齐，产能损耗算是影响轻微。DRAM方面，以位于新北的南亚科（Nanya）Fab3A，以及美光（Mic
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三星组建了由DRAM产品与技术负责人Hwang Sang-joon领导HBM内存产能与质量提升团队。据外媒报道，近日，三星电子DS部门负责人庆桂显表示，三星内部正采取双轨AI半导体策略，同步提高在AI用存储芯片和AI算力芯片领域的竞争力。三星组建了由DRAM产品与技术负责人Hwang Sang-joon领导HBM内存产能与质量提升团队。此外，庆桂显称客户对于AI推理芯片Mach-1的兴趣正在增长，并有部分客户表达了将Mach系列芯片应用于超1000B参数大模型推理的期望，因此三星电子将加速下代Mach-2
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4 月 1 日消息，三星电子 DS 部门负责人庆桂显近日在社交媒体上表示三星内部正采取双轨 AI 半导体策略，同步提高在 AI 用存储芯片和 AI 算力芯片领域的竞争力。在 AI 用存储芯片部分，三星组建了由 DRAM 产品与技术负责人 Hwang Sang-joon 领导 HBM 内存产能与质量提升团队，这是其今年建立的第二个 HBM 专门团队。三星近期在 HBM 内存上进行了大规模的人才投入，旨在赢回因策略失误而被 SK 海力士拿下的 HBM 内存市场领军地位：2019 年，三星因对未来市场的错误预测
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HBM 即高带宽内存，是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片。如果说传统的 DDR 就是采用的"平房设计"方式，那么 HBM 则是采用"楼房设计"方式。目前，HBM 产品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。可以看到，HBM 每一次更新迭代都会伴随着处理速度的提高。HBM3 自 2022 年 1 月诞生，便凭借其独特的 2.5D/3D 内存架构，迅速成为高性能计算领域的翘楚。HBM3 不仅
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HBM
美光目前在高带宽内存市场上处于劣势，但看起来情况正在迅速变化，因为该公司表示其 HBM3E 内存供应已售罄，并分配到 2025 年的大部分时间。目前，美光表示其HBM3E将出现在英伟达的H200 GPU中，用于人工智能和高性能计算，因此美光似乎准备抢占相当大的HBM市场份额。图片来源：美光“我们的 HBM 在 2024 日历上已经售罄，我们 2025 年的绝大部分供应已经分配完毕，”美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 在本周为公司财报电话会议准备的讲话中表示。“我们继续预计 HBM
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3 月 20 日消息，本周二在美国加州圣何塞举办的媒体吹风会上，英伟达首席执行官黄仁勋表示：“HBM 内存不仅生产难度高，而且成本非常高，我们在 HBM 上可谓是一掷千金”。黄仁勋将 HBM 称为“技术奇迹”（technological miracle），相比较传统 DRAM，不仅可以提高数据中心的性能，功耗方面明显更低。在本次吹风会之前，网络上有不少消息称英伟达会从三星采购 HBM3 或 HBM3E 等内存，而在本次吹风会上，黄仁勋正面表示：“三星是一家非常非常优秀的公司”（Samsung is a v
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3 月 20 日消息，三星电子 DS（设备解决方案）部门负责人庆桂显（Kye Hyun Kyung）在今日的三星电子股东大会上宣布，三星电子计划今年底明年初推出采用 LPDDR 内存的 AI 芯片 Mach-1。庆桂显表示，Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技术验证，正处于 SoC 设计阶段。该 AI 芯片将于今年底完成制造过程，明年初推出基于其的 AI 系统。韩媒 Sedaily 报道指，Mach-1 芯片基于非传统结构，可将片外内存与计算芯片间的瓶颈降低至现有 AI 芯片的 1/8。此外，该芯
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近日，存储大厂美光科技在GTC 2024活动，展示一系列存储解决方案。该公司此前刚宣布8层堆叠HBM3E已量产，并预计2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出货。美光展示的解决方案，分别包括8层堆叠24GB HBM3E解决方案与后续12层36GB HBM3E解决方案；使用单片晶粒具低延迟与低功耗优势的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存储解决方案与LPCAMM2模组；可提供AI与存储器工作负载所需的容量、频宽、弹性的CXL存储器模组，并携手MemVerg
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迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR
SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不
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存储 DDR HBM
迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不同的
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