6月2日消息，台北电脑展2024的展前主题演讲上，NVIDIA CEO黄仁勋宣布了下一代全新GPU、CPU架构，以及全新CPU+GPU二合一超级芯片，一直规划到了2027年。黄仁勋表示，NVIDIA将坚持数据中心规模、一年节奏、技术限制、一个架构的路线，也就是使用统一架构覆盖整个数据中心GPU产品线，并最新最强的制造工艺，每年更新迭代一次。NVIDIA现有的高性能GPU架构代号"Blackwell"，已经投产，相关产品今年陆续上市，包括用于HPC/AI领域的B200/GB200、用于游
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NVIDIA Rubin GPU Vera CPU 3nm工艺 HBM4 内存
IT之家 5 月 30 日消息，综合台媒《工商时报》《经济日报》报道，南亚科技在昨日的年度股东常会上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 颗粒将于明年初进入试产阶段。南亚科技目前已在进行 1B nm 制程的 DRAM 试产，涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。南亚科技表示其首批 DDR5 内存将在下半年少量试产，明年进一步提升产量。此外南亚科技还在 1B nm 节点规划了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 内存、16
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南亚科技 内存 DRAM
IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士计划在 HBM4E 内存中集成更多功能，从而将 HBM 产业推向一个新的高度。SK 海力士正在积极探索 HBM4E 内存，尝试推出可以整合计算、高速缓存和网络存储器等多种功能的 HBM 类型，进一步提高能效和信号传输速度。IT之家援引韩媒 ETNews 报道，该方案目前依然停留在概念阶段，不过 SK 海力士已经着手设计相关 IP 朝着这个目标迈进。SK 海力士计划在 HBM 上集成内存控制器，内存控制器置于其 HBM 结构的基础芯片上，赋予第
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近期，日媒报道美光科技计划在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片，美光计划投入约51亿美元。上述新厂有望于2026年动工，并安装EUV设备，最快2027年投入运营。据悉，美光曾计划该工厂能在2024年投入使用，然而由于当前市场环境的挑战和不确定性，美光调整了原定的时间表。近年日本积极出台补贴政策吸引半导体大厂赴日建厂，美光同样可以获得补贴。2023年10月，日本经济产业省正式宣布，将为美光科技在广岛工厂的存储芯片项目提供高达1920亿日元的补贴，以支持在日研发下一代芯片。
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有报导称，三星的高频宽存储器（HBM）产品因过热和功耗过大等问题，未能通过Nvidia品质测试，三星对此否认。韩媒BusinessKorea报导称，三星表示正与多间全球合作伙伴顺利开展HBM供应测试，强调将继续合作，确保品质和可靠性。三星声明表示，“我们正与全球各合作伙伴顺利测试HBM供应，努力提高所有产品品质和可靠性，也严格测试HBM产品的品质和性能，以便为客户提供最佳解决方案。”三星近期开始量产第五代HBM产品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E设备。外媒Tom′s Har
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三星 内存 HBM
当前低功耗问题仍是业界关心重点。根据国际能源署(IEA)最近报告显示，考虑到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次请求消耗2.9Wh，每天进行90亿次搜索，每年需要额外消耗10太瓦时(TWh)的电力。从预计销售的AI服务器需求来看，到2026年，AI行业可能会呈指数级增长，消耗的电力需求至少是去年的十倍。德州仪器首席技术官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服务还转向移动和PC设备，这导致功耗激增，因此这是一个关键的讨论话题。因应市场需求，目前业界正积极致力于
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内存 存储技术
5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代
HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的
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三星 HBM 内存芯片 英伟达
5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的
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三星 存储 HBM 英伟达
IT之家 5 月 22 日消息，在北京时间本月 21 日至 24 日举行的戴尔科技全球峰会上，SK 海力士带来了多款存储领域新品，涵盖内存、固态硬盘品类。在消费级固态硬盘领域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固态硬盘。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 规格，支持 M.2 2230/2242/2280 三种物理规格，可选 256GB~1TB 容量。限于图片分辨率，IT之家无法确认 PVC10 的具体读写性能，预计将强于此前推出的 BC901。而在企业级固态硬盘方面，SK 海力
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IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投资者会议活动上表示，美光 2025 年 HBM 内存供应谈判基本完成。美光高管代表宣称，其已与下游客户基本敲定了明年 HBM 订单的规模和价格。美光预计 HBM 内存将在其截至 2024 年 9 月的本财年中创造数亿美元量级的营收，而在 25 财年相关业务的销售额将增加到数十亿美元。美光预测，未来数年其 HBM 内存位元产能的复合年增长率将达到 50%。为了应对 HBM 领域的强劲需求，美光调升了本财年资本支出的预计规模，从 75~80 亿美
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IT之家 5 月 20 日消息，各位网友，你有发现现在组装一台电脑越来越贵了吗？除了 CPU 和 GPU 两个大件之外，内存和固态硬盘的价格也水涨船高，基本上所有零件都处于涨价状态。固态硬盘的价格到去年第 4 季度一直处于历史最低点，甚至连 DDR5 内存的价格似乎也已触底。然而，这一切都将在 2024 年下半年发生改变。IT之家基于 XDA 媒体观点，简要介绍如下：固态硬盘科技媒体 xda-developers 追踪观测过去 6-7 个月亚马逊平台固态硬盘价格，从 2023 年 10 月左右开
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内存 固态硬盘 存储
三星、SK海力士及美光等国际内存巨擘，皆积极投入高带宽内存（HBM）制程，法人表示，在产能排挤效应下，下半年DRAM产品恐供不应求，预期南亚科、威刚及十铨等业者受惠。据TrendForce研究，DRAM原厂提高先进制程投片，产能提升将集中今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片，至年底将占DRAM总投片比重约40％。由于HBM获利表现佳，加上需求续增，生产排序最优先。以HBM最新发展进度来看，2024年HBM3e将是市场主流，集中在2024年下半年出货。SK海力士依旧是主要供货商，与美光均采1be
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IT之家 5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacke
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3D 内存 存储 三星
近两年，DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡，此外在存储器市场经历低迷后，供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称，全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存，全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格上涨，预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3；而SK海力士则在去年
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近期，媒体报道三星电子在最新财报电话会议中表示，未来存储业务的重心不再放在消费级PC和移动设备上，而将放在HBM、DDR5服务器内存以及企业级SSD等企业领域。三星存储业务副总裁 Kim Jae-june在电话会议上透露，公司计划到今年年底，HBM芯片的供应量比去年增加3倍以上。2025年HBM芯片产量再翻一番。AI热潮推动下，HBM需求持续高涨，部分原厂表态，HBM产品在今年已经售罄，有的甚至表态明年的HBM也已经售罄。这一背景下，三星调整业务方向，专攻HBM等高附加值产品也就顺理成章。另据媒体报道，三
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