- IT之家 8 月 13 日消息，据 IDC 北京时间本月 7 日报告，三大内存原厂三星电子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半导体 IDM（IT之家注：整合组件制造）企业营收榜单第 1、3、4 位，第二位则是英特尔。▲ 图源 IDC报告表示，数据中心对 AI 训练与推理的需求飙升，其中对 HBM 内存的需求提升尤为明显。HBM 自身的高价和对通用 DRAM 产能的压缩也推动 DRAM 平均价格上升，使总体内存市场营收大幅成长。此外终端设备市场回稳，AI PC、智能手机逐步发售，同样提升
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- IT之家 8 月 13 日消息，华尔街见闻报道称，SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称，海力士 DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。今年 6 月就有消息称 DDR5 价格在今年有着 10%-20% 上涨空间：各大厂商已为 2024 年 DDR5 芯片分配产能，这表明价格已经不太可能下降；再加上下半年是传统旺季，预计价格会有所上涨。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些时候还有报道，SK 海力士等三大原厂采用 EUV
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- 行业人士消息，美光总裁暨CEO Sanjay
Mehrotra在今年7月访问中国台湾，将带来更进一步合作，例如在人工智能（AI）应用扮演重要角色的高带宽存储器（HBM）。据悉，美光将加码在中国台湾投资，除制造HBM先进制程外，不排除有机会在中国台湾创建第二个研发中心。据悉，中国台湾经济部门于2021年5月申请领航企业研发深耕计划（大A+），提出DRAM先进技术暨高带宽存储器研发领航计划，在中国台湾设立第一个研发中心，获补助47亿元新台币，将研发先进制程落脚在中国台湾生产。2021年，美光在中国台湾申请
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- 8 月 9 日消息，小鹏汽车今日官宣，小鹏 MONA M03 首批量产车下线，全系标配高通 8155 芯片和 16GB 内存。博主@孙少军09 称，小鹏 MONA M03的门店展车已经提前到店，开票价 15 万多，所以起步价只会在 14 万以下。博主还提到，对于小鹏自己，最麻烦的永远不是产品本身，而是前几次上市交不出来（车）的“无语”。所以小鹏这次一定要强调量产下线，这个比其他的都重要。据此前报道，小鹏 MONA M03 已出现在工信部的新车申报名单中，车身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm，
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- 全球领先的硅智财供货商M31宣布与高塔半导体（Tower Semiconductor）达成重要合作里程碑。双方连手成功开发出65纳米制程的SRAM（静态随机存取内存）和ROM（只读存储器）IP产品，并已将设计模块交付客户端完成验证，为半导体产业带来全新的先进内存解决方案。M31与高塔半导体共同优化的设计架构，巧妙结合低功耗组件Analog FET（模拟场效晶体管），不仅能够完美满足当前SoC芯片对低功耗的严格要求，更为未来物联网（IoT）、智能型穿戴装置、车联网（V2X）以及人工智能（AI）等新兴应用领域
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- IT之家 8 月 1 日消息，韩媒 ETNews 报道称，SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发，计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，2026 年二季度正式启动大规模生产。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存按照韩媒的说法，SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年，明显短于业界平均水平。IT之家注：从代际发布间隔
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- 内存市场迎来新一轮 DRAM 技术「革命」。
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- IT之家 7 月 29 日消息，综合外媒《韩国经济日报》（Hankyung）与 Blocks & Files 报道，SK 海力士考虑推动 NAND 闪存与固态硬盘子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收购英特尔 NAND 与 SSD 业务，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收购第一阶段后成立的独立美国子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 规格，61.44TB由于内外部因素的共同影响，Sol
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- 人工智能AI浪潮下，以HBM为代表的新型DRAM存储器迎来了新一轮的发展契机，而与此同时，在服务器需求推动下，存储产业的另一大“新宠”MRDIMM/MCRDIMM也开始登上“历史舞台”。当前，AI及大数据的快速发展带动服务器CPU内核数量同步增加，为满足多核CPU中各内核的数据吞吐要求，需要大幅提高内存系统的带宽，在此情况下，服务器高带宽内存模组MRDIMM/MCRDIMM应运而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM标准细节当地时间7月22日，JEDEC宣布即将推出DDR5多路复用双列直插式内存模组
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- HBM4是目前发布的HBM3标准的进化版，旨在进一步提高数据处理速率，同时保持基本特性，例如更高的带宽、更低功耗和更大的每个芯片和/或堆栈容量 —— 这些对于需要高效处理大数据集和复杂计算的应用至关重要，包括生成人工智能（AI）、高性能计算、高端显卡和服务器。
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- 全面现货供应、提供快速交付的全球电子元器件和自动化产品分销商DigiKey今天宣布与Kingston Technology（金士顿）合作，向全球分销其内存产品和存储解决方案。作为全球最大的独立存储器产品制造商之一，Kingston面向各种规模的工业和嵌入式OEM客户，提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM组件在内的各种存储产品。该公司还提供一系列专为系统设计师和制造者打造的工业级 SATA 和 NVMe 固态硬盘 (SSD)。DigiKey与Kingston Technology合作，提供
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- IT之家 7 月 22 日消息，据外媒 Tomshardware 报道，中国 3D NAND 闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。长江存储指控称，美光的 96 层（B27A）、128 层（B37R）、176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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- 在芯片制造领域，先进制程的影响力和统治力越来越大，已经从之前的逻辑芯片晶圆代工领域，拓展到最先进的存储芯片制造，这在台积电和三星身上有凸出的体现。当下的 3nm 制程晶圆代工，台积电的市场统治力很明显，三星处于弱势地位。未来的 2nm 制程，三星必须加紧赶上，否则会越来越困难。在高带宽内存（HBM）芯片制造方面，原本都由存储芯片 IDM 大厂自家完成，但是，到了下一代的 HBM4，技术难度和制造难度提高了不少，需要更先进的制程工艺参与进来。2nm 制程针锋相对据报道，台积电将于 7 月中旬开始试生产 2n
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- 据《ZDNet Korea》报道，三星电子存储部门新业务规划团队董事总经理Choi Jang-seok近日表示，即将推出的内存模块被指定为CMM-D2.0，将符合CXL2.0协议。这些模块将利用使用第二代20-10nm工艺技术生产的DRAM内存颗粒。除了CMM-D模块，三星还在开发一系列CXL存储产品。其中包括集成多个CMM-D模块的CMM-B内存盒模块，以及将DRAM内存与NAND闪存颗粒相结合的CMM-H混合存储模块。Choi Jang-seok强调，随着CXL3.1技术的采用，CXL内存资源可以在多
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- 近期在智慧手机、PC、数据中心服务器上，用于暂时储存数据的DRAM价格涨势停歇，买家拉货不积极，影响DRAM报价涨势。 业者期待，SK海力士、三星及美光前三大厂HBM产能增开，对一般型DRAM产生的排挤效应，加上产业旺季来临，可带动DRAM重启涨势。 据了解，6月指针性产品DDR4 8GB合约价约2.10美元、容量较小的4GB合约价1.62美元左右，表现持平，主要是供需双方对价格谈判，呈现拉锯状况。而另一方面，三星新一代HBM3E，据传有望通过辉达（NVIDIA）认证，辉达GB200将于2025年放量，其
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