- 人工智能AI浪潮下，以HBM为代表的新型DRAM存储器迎来了新一轮的发展契机，而与此同时，在服务器需求推动下，存储产业的另一大“新宠”MRDIMM/MCRDIMM也开始登上“历史舞台”。当前，AI及大数据的快速发展带动服务器CPU内核数量同步增加，为满足多核CPU中各内核的数据吞吐要求，需要大幅提高内存系统的带宽，在此情况下，服务器高带宽内存模组MRDIMM/MCRDIMM应运而生。01JEDEC公布DDR5 MRDIMM标准细节当地时间7月22日，JEDEC宣布即将推出DDR5多路复用双列直插式内存模组
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存储产业 HBM MRDIMM MCRDIMM
- HBM4是目前发布的HBM3标准的进化版，旨在进一步提高数据处理速率，同时保持基本特性，例如更高的带宽、更低功耗和更大的每个芯片和/或堆栈容量 —— 这些对于需要高效处理大数据集和复杂计算的应用至关重要，包括生成人工智能（AI）、高性能计算、高端显卡和服务器。
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HBM AI 内存
- 全面现货供应、提供快速交付的全球电子元器件和自动化产品分销商DigiKey今天宣布与Kingston Technology（金士顿）合作，向全球分销其内存产品和存储解决方案。作为全球最大的独立存储器产品制造商之一，Kingston面向各种规模的工业和嵌入式OEM客户，提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM组件在内的各种存储产品。该公司还提供一系列专为系统设计师和制造者打造的工业级 SATA 和 NVMe 固态硬盘 (SSD)。DigiKey与Kingston Technology合作，提供
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DigiKey 内存 存储 Kingston Technology
- IT之家 7 月 22 日消息，据外媒 Tomshardware 报道，中国 3D NAND 闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。长江存储指控称，美光的 96 层（B27A）、128 层（B37R）、176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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长江存储 NAND 美光 内存
- 在芯片制造领域，先进制程的影响力和统治力越来越大，已经从之前的逻辑芯片晶圆代工领域，拓展到最先进的存储芯片制造，这在台积电和三星身上有凸出的体现。当下的 3nm 制程晶圆代工，台积电的市场统治力很明显，三星处于弱势地位。未来的 2nm 制程，三星必须加紧赶上，否则会越来越困难。在高带宽内存（HBM）芯片制造方面，原本都由存储芯片 IDM 大厂自家完成，但是，到了下一代的 HBM4，技术难度和制造难度提高了不少，需要更先进的制程工艺参与进来。2nm 制程针锋相对据报道，台积电将于 7 月中旬开始试生产 2n
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- 据《ZDNet Korea》报道，三星电子存储部门新业务规划团队董事总经理Choi Jang-seok近日表示，即将推出的内存模块被指定为CMM-D2.0，将符合CXL2.0协议。这些模块将利用使用第二代20-10nm工艺技术生产的DRAM内存颗粒。除了CMM-D模块，三星还在开发一系列CXL存储产品。其中包括集成多个CMM-D模块的CMM-B内存盒模块，以及将DRAM内存与NAND闪存颗粒相结合的CMM-H混合存储模块。Choi Jang-seok强调，随着CXL3.1技术的采用，CXL内存资源可以在多
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存储 CXL 内存
- 近期在智慧手机、PC、数据中心服务器上，用于暂时储存数据的DRAM价格涨势停歇，买家拉货不积极，影响DRAM报价涨势。 业者期待，SK海力士、三星及美光前三大厂HBM产能增开，对一般型DRAM产生的排挤效应，加上产业旺季来临，可带动DRAM重启涨势。 据了解，6月指针性产品DDR4 8GB合约价约2.10美元、容量较小的4GB合约价1.62美元左右，表现持平，主要是供需双方对价格谈判，呈现拉锯状况。而另一方面，三星新一代HBM3E，据传有望通过辉达（NVIDIA）认证，辉达GB200将于2025年放量，其
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- 在英伟达一步步站稳万亿市值脚根的道路上，少不了两项关键技术支持，其中之一是由台积电主导的 CoWoS 先进封装，另一个便是席卷当下的 HBM（高带宽存储）。英伟达 H200 是首次采用 HBM3E 存储器规格的 AI 加速卡。借助内存速度更快、容量更大的 HBM3e，英伟达 H200 以每秒 4.8TB 的速度提供 141GB 的内存，与 A100 相比，容量几乎是其两倍，带宽也提升了 43%，从而加速生成式 AI 和大语言模型，提高高性能计算（HPC）的工作负载。随着人工智能的兴起，HBM 成为巨头们抢
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- 《科创板日报》17日讯，SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合，目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂，用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱，并直接键合焊盘，这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠，并增加带宽。
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SK 海力士 HBM 混合键合技术
- 在半导体存储领域，参与HBM市场竞争的存储厂商主要为SK海力士、三星和美光，三者的竞争已经延续到HBM3e。而近日，行业标准制定组织固态技术协会JEDEC宣布HBM4即将完成的消息引发了业界关注，这似乎也预示着HBM领域新的战场已经开启...◀堆栈通道数较HBM3翻倍▶据悉，JEDEC于7月10日表示，备受期待的高带宽存储器 (HBM) DRAM标准的下一个版本：HBM4标准即将完成定稿。图片来源：JEDEC官网截图HBM4是目前发布的HBM3标准的进化版，旨在进一步提高数据处理速率，同时保持更高的带宽、
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- 7 月 13 日消息，韩媒 businesskorea 报道，英伟达、台积电和 SK 海力士将组建“三角联盟”，为迎接 AI 时代共同推进 HBM4 等下一代技术。SEMI 计划今年 9 月 4 日举办 SEMICON 活动（其影响力可以认为是半导体行业的 CES 大展），包括台积电在内的 1000 多家公司将展示最新的半导体设备和技术，促进了合作与创新。预计这次会议的主要焦点是下一代 HBM，特别是革命性的 HBM4 内存，它将开启市场的新纪元。IT之家援引该媒体报道，SK 海力士总裁 Kim Joo-
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英伟达 台积电 SK 海力士深 HBM4 内存
- IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化学 6 月 12 日宣布开发出新型半导体后端制造设备，可直接在封装基板上构建符合 2.5D 先进封装集成需求的电路图案。▲ 蚀刻图案这意味着可在 HBM 内存集成工艺中完全省略昂贵的中介层（Interposer），在大大降低生产成本的同时也缩短了先进封装流程。▲ 2.5D 集成结构对比信越表示，该新型后端设备采用准分子激光器蚀刻布线，无需光刻工艺就能批量形成大面积的复杂电路图案，达到了传统制造路线无法企及的精细度。结合信越化学开发的光
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信越化学 HBM 先进封装
- 在不同AI运算领域中，依照市场等级的需要，大致上可以分成三种，一种是作为高性能运算中心的人工智能、机器学习与图形处理的超高速运算与传输需求；一种是一般企业的AI服务器、一般计算机与笔电的演算应用；另一种是一般消费电子如手机、特殊应用装置或其它边缘运算的应用。现阶段三种等级的应用，所搭配的内存也会有所不同，等级越高内存的性能要求越高，业者要进入的门坎也越高。不过因为各类AI应用的市场需求庞大，各种内存的竞争也异常的激烈，不断地开发更新产品，降低成本，企图向上向下扩大应用，所以只有随时保持容量、速度与可靠度的
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高速运算平台 内存 AI 内存需求
- 内存是现代电子产品不可或缺的组件，随着科技的进步，内存的容量、速度、功耗等特性也不断提升，为各种应用带来了新的机遇和挑战。本文将从应用端出发，探讨各类内存的机会与挑战。动态随机存取内存（DRAM）DRAM是当前计算器系统中最常见的主存储器技术，具备高速读写和相对较低的成本。它广泛应用于PC、服务器、移动设备和游戏机中。随着人工智能和大数据应用的兴起，DRAM的需求持续增长，尤其是在需要高速数据处理和低延迟的应用场景。DRAM的主要挑战在于其挥发性和功耗问题。DRAM需要持续供电以维持数据，这限制了其在移动
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应用端 内存
- AI应用热！SK海力士、三星及美光等全球前三大内存厂，积极投入高带宽内存（HBM）产能扩充计划，市场人士估计，2025年新增投片量约27.6万片，总产能拉高至54万片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零组件，根据外媒拆解，英伟达H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超过生产封装。HBM经历多次迭代发展，进入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相继采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是垄断HBM3市场，而2024年HBM3与HBM3E订单都满载。美光2
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