专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 与Micron合作推出了全新电子书，探讨内存在AI边缘应用中的重要性，以及有效部署边缘人工智能 (AI) 的关键设计考虑因素。Micron是创新内存和存储解决方案的行业知名企业，在边缘计算、数据中心、网络连接和移动等关键市场领域，为AI、机器学习和自动驾驶汽车的发展提供支持。在《5 Experts On Addressing The Hidden Challe
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AI边缘 内存 贸泽
3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未来三代AI服务器，不但规格、性能越来越强，HBM内存也是同步升级，容量、频率、带宽都稳步前进。其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年发布，继续采用HBM3E内存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升级为下一代HBM4内存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576继续升级为加强版HBM4E内存；而到了2028年的Feynman全新架构有望首次采用HBM5内存。与此同时，SK海力士、三星、美光三大原厂也纷纷展示
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HBM 内存
自SK海力士官网获悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。据悉，此次提供的12层HBM4样品，兼具了面向AI的存储器必备的世界最高水平速率，其容量也是12层堆叠产品的最高水平。该产品首次实现了最高每秒可以处理2TB（太字节）以上数据的带宽，相当于在1秒内可处理400部以上全高清（Full-HD，FHD）级电影（5GB=5千兆字节）的数据，运行速度与前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。同时，公司通过在该产品上采用已在前一代产
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2月24日消息，Intel放弃了广为看好的傲腾存储业务，与之合作的美光也结束了3DX Point存储技术的研发，但是来自中国的新存科技，却在非易失性存储方面取得了重大突破，无论容量还是性能都是一流水准。新存科技2022年7月成立于武汉，是一家专注于新型存储芯片研发、生产、销售的高科技企业，主要产品包括阻变存储、相变存储、铁电存储、磁阻存储，目前员工约200人，其中约90％为研发人员，硕士及以上学历占比77％。去年9月，新存科技发布了中国首款最大容量新型存储芯片“NM101”，现在又宣布了非易失性新型存储芯
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英特尔 傲腾 内存 非易失性存储 新存科技
2 月 18 日消息，科技媒体 WccFTech 昨日（2 月 17 日）发布博文，报道称英伟达正积极研发名为“SOCAMM”的全新内存模块，主要用于 Project DIGITS 等个人 AI 超级计算机，可在性能方面带来巨大飞跃。该模块不仅体积小巧，而且功耗更低，性能更强，有望成为内存市场的新增长点。目前正与三星电子、SK 海力士和美光等内存厂商进行 SOCAMM 原型机的性能测试，预计最快将于今年年底实现量产。援引博文介绍，SOCAMM 拥有最多 694 个 I/O 端口，远超 PC DRAM 和
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2月17日消息，据BK最新报道，NVIDIA正与包括三星电子、SK海力士在内的主要内存半导体公司进行秘密谈判，合作开发新型内存标准SOCAMM，并推动其商业化。16日，业内人士证实了这一消息。此举标志着内存半导体领域的重大转转变，对B2B服务器市场和蓬勃发展的设备端AI领域都有潜在影响。据悉，SOCAMM被誉为新一代HBM（高带宽存储器），是系统级芯片高级内存模块的缩写，这是一种尖端的DRAM内存模块，可极大增强个人AI超级计算机的性能。与小型PC和笔记本电脑中使用的现有DRAM模块相比，SOCAMM的性
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英伟达 内存 HBM
树莓派工程师调整了 Pi 的 SDRAM 时序和其他内存设置，在默认的 2.4 GHz 时钟下实现了 10-20%的速度提升。我当然要测试超频，这让我在 3.2 GHz 时获得了 32% 的速度提升！这些更改可能很快就会在所有 Pi 5 和 Pi 4 用户的固件更新中推出。树莓派的工程师们正在进一步调整内存时序，他们与美光公司进行了沟通，并实施了一系列小的调整，这些调整——连同 NUMA 模拟——真正为多核工作负载带来了性能提升。甚至对单核也有小小的改进！SDRAM 刷新间隔目前使用默认数据表设置。实际上
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树莓派 SDRAM 时序 内存
Micron Technology 已开始在新加坡建设其价值数十亿美元的高带宽内存 （HBM） 封装设施。该公司将向该工厂投资 70 亿美元，因为预计在 AI 热潮中，未来几年对 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 内存的需求将猛增。该设施将于 2026 年开始运营。美光的高带宽内存 （HBM） 封装设施位于美光在新加坡现有的生产 3D NAND 和 DRAM 的晶圆厂旁边。新的 HBM 装配厂将于 2026 年投产，并计划在 2027 年大幅提高产能。该设施将使用先进的人工智能驱动的自动化来
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三星Galaxy S25系列可能会选择美光作为第一内存供应商，而非自家的产品。这一决定标志着三星在旗舰智能手机中首次没有优先使用自家的内存解决方案，这也让外界对三星内存技术的竞争力产生了质疑。美光此前多年一直是三星旗舰Galaxy智能手机中的第二内存供应商，这次却打败三星成为了第一供应商，似乎折射出内部部门竞争的微妙行情。2024年9月就有报道指出因良率问题，三星DS（设备解决方案）部门未能按时足量向三星MX（移动体验）部门交付Galaxy S25系列手机开发所需的LPDDR5X内存样品，导致MX部门的手
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HBM（高带宽内存）技术是即将到来的“内存内计算/处理”时代的一种“近内存计算（Near Memory Computing）/处理”阶段。由于人工智能/机器学习的高需求，三星、SK海力士和美光这三大内存制造商正在HBM技术的开发上竞相角逐。HBM是一种具有高带宽和宽通道的3D堆叠DRAM器件，这意味着它非常适合高性能计算（HPC）、高性能图形处理单元（GPU）、人工智能和数据中心应用所需的高能效、高性能、大容量和低延迟内存。因此，对于内存制造商而言，硅通孔（TSV）工艺集成和3D HBM DRAM芯片堆叠
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HBM 高带宽内存
12 月 20 日消息，据 TheElec 报道，韩国存储芯片巨头 SK 海力士赢得了一份向博通供应 HBM 芯片的大单，但具体额度未知。消息人士称，博通计划从 SK 海力士采购存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划明年将其用作 HBM 核心芯片的 1b DRAM 产能扩大到 14~15 万片（IT之家注：单位是 300mm 直径的 12 英寸晶
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存储芯片 SK海力士 HBM
随着人工智能技术的广泛应用，移动产品对内存性能的需求日益增长，尤其需要相较LPDDR5X更为高效的数据处理能力以支撑端侧AI模型的运行。一直悬而未决的LPDDR6标准也进入最终的敲定期，预计到2025年下半年我们有望看到采用新一代LPDDR6的产品上市。此前有报道称，高通第四代骁龙8平台将支持LPDDR6，以进一步提升定制Oryon内核的性能。LPDDR6带来了哪些变化？目前，LPDDR最新的主流版本是LPDDR5（6.4Gbps），于2019年2月发布。之后，业界又陆续发布了小幅更新、改进版的LPDDR
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12 月 11 日消息，Marvell 美满电子美国加州当地时间 10 日宣布推出“定制 HBM 计算架构”（Custom HBM Compute Architecture），可令各种 XPU 处理器实现更高的计算和内存密度。Marvell 表示这项可提升性能、能效、成本表现的新技术对其所有定制芯片客户开放，并得到了三大 HBM 内存原厂 SK 海力士、三星电子、美光的共同支持。Marvell 的“定制 HBM 计算架构”采用了非行业标准的 HBM I/O 接口设计，可带来更优秀性能和最多 70% 的接口
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12 月 10 日消息，2024 IEEE IEDM 国际电子设备会议目前正在美国加州旧金山举行。据分析师 Ian Cutress 的 X 平台动态，英伟达在本次学术会议上分享了有关未来 AI 加速器的构想。英伟达认为未来整个 AI 加速器复合体将位于大面积先进封装基板之上，采用垂直供电，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模块设计，3D 垂直堆叠 DRAM 内存，并在模块内直接整合冷板。IT之家注：Ian Cutress 还提到了硅光子中介层，但相关内容不在其分享的图片中。在英伟达给出的模型中，每个
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英伟达 硅光子 内存
12 月 5 日消息，据 Businesses Korea 今日报道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和组织架构优化。本次调整任命了 1 位总裁、33 位新高管及 2 位研究员。为提升决策效率，该公司推行“C-Level”管理体系，依据核心职能分工明确责任与权限，业务单元被划分为包括 AI 基础设施（CMO）、未来技术研究院（CTO）、研发（CDO）和生产（CPO）在内的五大部门。据介绍，新设的 AI 芯片开发部门整合了 DRAM、NAND 和解决方案的开发能力，着眼于下一代 AI 内存等
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