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hbm 内存 文章 进入hbm 内存技术社区

HBM对DRAM厂的贡献逐季攀升

  • TrendForce指出,随着AI服务器持续布建,高带宽内存(HBM)市场处高成长阶段,平均售价约是DRAM产品的三至五倍,待下一代HBM3e量产,加上产能扩张,营收贡献将逐季上扬。TrendForce指出,HBM市场仍处于高成长阶段,由于各大云端厂商持续布建AI服务器,在GPU算力与内存容量都将升级下,HBM成为其中不可或缺的一环,带动HBM规格容量上升。如NVIDIA Blackwell平台将采用192GB HBM3e内存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生产难度高、良率仍有显着
  • 关键字: HBM  DRAM  TrendForce  

HBM3e 12hi面临良率和验证挑战,2025年HBM是否过剩仍待观察

  • 近期市场对于2025年HBM可能供过于求的担忧加剧,而据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示,由于明年厂商能否如期大量转进HBM3e仍是未知数,加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长,目前尚难判定是否会出现产能过剩局面。根据TrendForce集邦咨询最新调查,Samsung(三星)、SK hynix(SK海力士)与Micron(美光)已分别于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi样品,目前处于持续验证阶段。其中SK hynix与Micron进度较快,有望于今年底完成
  • 关键字: HBM3e 12hi  良率  验证  HBM  TrendForce  

HBM外另一大关注重点:新一代存储器GDDR7是什么?

  • 随着GDDR7存储器标准规格于今年确定,存储器业者开始推出GDDR7解决方案。与目前的GDDR6和GDDR6X相比,GDDR7提供大升级,提高游戏和其它类型工作负载的性能。什么是GDDR7存储器呢?其实GDDR(Graphics Double Data Rate)的「G」,可以得知是用于GPU的显示存储器,如即将推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年问世,首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU,其起始的显存时脉频率为14
  • 关键字: HBM  存储器  GDDR7  

TrendForce:今年 Q2 NAND 闪存出货增长放缓,AI SSD 推动营收环比增长 14%

  • IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨询今天下午发布报告指出,由于服务器终端库存调整接近尾声,加上 AI 推动了大容量存储产品需求,今年第二季度 NAND Flash(闪存)价格持续上涨。但由于 PC 和智能手机厂商库存偏高,导致 Q2 NAND Flash 位元出货量环比下降 1%,平均销售单价上涨了 15%,总营收达 167.96 亿美元(IT之家备注:当前约 1193.37 亿元人民币),较前一季实现环比增长 14.2%。各厂商营收情况如下:三星:第二季时积极回应客户对
  • 关键字: 内存  NAND Flash  

消息称三星 1b nm 移动内存良率欠佳,影响 Galaxy S25 系列手机开发

  • IT之家 9 月 4 日消息,据韩媒 ZDNET Korea 报道,三星电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向 Galaxy S25 系列手机的 1b nm (IT之家注:即 12nm 级) LPDDR 内存样品供应延误的担忧。三星电子于 2023 年 5 月启动 1b nm 工艺 16Gb DDR5 内存量产,后又在当年 9 月发布 1b nm 32Gb DDR5,并一直在内部推进 1b nm LPDDR 移动内存产品的开发工作。然而该韩媒此前就在今年 6 月
  • 关键字: 三星  内存  DDR5  

TrendForce:内存下半年价格恐摔

  • 根据TrendForce最新调查,消费型电子需求未如预期回温,中国大陆地区的智能型手机,出现整机库存过高的情形,笔电也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买,市场持续萎缩。此一现象,导致以消费型产品为主的内存现货价走弱,第二季价格较第一季下跌超过30%。尽管现货价至8月份仍与合约价脱钩,但也暗示合约价可能的未来走向。TrendForce表示,2024年第二季模块厂在消费类NAND Flash零售通路的出货量,已大幅年减40%,反映出全球消费性内存市场正遭遇严峻挑战。内存产业虽一向受周期因素影响,但202
  • 关键字: TrendForce  内存  DRAM  

SK 海力士:美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向

  • IT之家 8 月 20 日消息,据韩媒 MK 报道,SK 海力士负责 HBM 内存业务的副总裁 Ryu Seong-soo 当地时间昨日在 SK 集团 2024 年度利川论坛上表示,M7 科技巨头都表达了希望 SK 海力士为其开发定制 HBM 产品的意向。IT之家注:M7 即 Magnificent 7,指美股七大科技巨头苹果、微软、Alphabet(谷歌)、特斯拉、英伟达、亚马逊以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不断工作,与 M7 企业进行电话沟通,并为满足这些企业的需
  • 关键字: 海力士  HBM  内存  

HBM 带动,三大内存原厂均跻身 2024Q1 半导体 IDM 企业营收前四

  • IT之家 8 月 13 日消息,据 IDC 北京时间本月 7 日报告,三大内存原厂三星电子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半导体 IDM(IT之家注:整合组件制造)企业营收榜单第 1、3、4 位,第二位则是英特尔。▲ 图源 IDC报告表示,数据中心对 AI 训练与推理的需求飙升,其中对 HBM 内存的需求提升尤为明显。HBM 自身的高价和对通用 DRAM 产能的压缩也推动 DRAM 平均价格上升,使总体内存市场营收大幅成长。此外终端设备市场回稳,AI PC、智能手机逐步发售,同样提升
  • 关键字: 内存  存储  HBM  

因 HBM3/3E 内存产能挤占,SK 海力士 DDR5 被曝涨价 15~20%

  • IT之家 8 月 13 日消息,华尔街见闻报道称,SK 海力士已将其 DDR5 DRAM 芯片提价 15%-20%。供应链人士称,海力士 DDR5 涨价主要是因为 HBM3/3E 产能挤占。今年 6 月就有消息称 DDR5 价格在今年有着 10%-20% 上涨空间:各大厂商已为 2024 年 DDR5 芯片分配产能,这表明价格已经不太可能下降;再加上下半年是传统旺季,预计价格会有所上涨。▲ SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些时候还有报道,SK 海力士等三大原厂采用 EUV
  • 关键字: 海力士  HBM  存储  

美光将在中国台湾加码投资,或聚焦HBM

  • 行业人士消息,美光总裁暨CEO Sanjay Mehrotra在今年7月访问中国台湾,将带来更进一步合作,例如在人工智能(AI)应用扮演重要角色的高带宽存储器(HBM)。据悉,美光将加码在中国台湾投资,除制造HBM先进制程外,不排除有机会在中国台湾创建第二个研发中心。据悉,中国台湾经济部门于2021年5月申请领航企业研发深耕计划(大A+),提出DRAM先进技术暨高带宽存储器研发领航计划,在中国台湾设立第一个研发中心,获补助47亿元新台币,将研发先进制程落脚在中国台湾生产。2021年,美光在中国台湾申请
  • 关键字: 美光  HBM  

小鹏 MONA M03 首批量产车下线 全系标配高通 8155 芯片和 16GB 内存

  • 8 月 9 日消息,小鹏汽车今日官宣,小鹏 MONA M03 首批量产车下线,全系标配高通 8155 芯片和 16GB 内存。博主@孙少军09 称,小鹏 MONA M03的门店展车已经提前到店,开票价 15 万多,所以起步价只会在 14 万以下。博主还提到,对于小鹏自己,最麻烦的永远不是产品本身,而是前几次上市交不出来(车)的“无语”。所以小鹏这次一定要强调量产下线,这个比其他的都重要。据此前报道,小鹏 MONA M03 已出现在工信部的新车申报名单中,车身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm,
  • 关键字: 小鹏  MONA M03  高通   8155 芯片  内存  

M31X高塔半导体 65纳米内存方案问世

  • 全球领先的硅智财供货商M31宣布与高塔半导体(Tower Semiconductor)达成重要合作里程碑。双方连手成功开发出65纳米制程的SRAM(静态随机存取内存)和ROM(只读存储器)IP产品,并已将设计模块交付客户端完成验证,为半导体产业带来全新的先进内存解决方案。M31与高塔半导体共同优化的设计架构,巧妙结合低功耗组件Analog FET(模拟场效晶体管),不仅能够完美满足当前SoC芯片对低功耗的严格要求,更为未来物联网(IoT)、智能型穿戴装置、车联网(V2X)以及人工智能(AI)等新兴应用领域
  • 关键字: M31  高塔半导体  65纳米  内存  

消息指 SK 海力士加速 NAND 研发,400+ 层闪存明年末量产就绪

  • IT之家 8 月 1 日消息,韩媒 ETNews 报道称,SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发,计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备,2026 年二季度正式启动大规模生产。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品,并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存按照韩媒的说法,SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年,明显短于业界平均水平。IT之家注:从代际发布间隔
  • 关键字: SK海力士  内存  NAND  

存储技术,掀起一轮新革命

  • 内存市场迎来新一轮 DRAM 技术「革命」。
  • 关键字: HBM  

消息称 SK 海力士考虑推动 NAND 业务子公司 Solidigm 在美 IPO

  • IT之家 7 月 29 日消息,综合外媒《韩国经济日报》(Hankyung)与 Blocks & Files 报道,SK 海力士考虑推动 NAND 闪存与固态硬盘子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收购英特尔 NAND 与 SSD 业务,而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收购第一阶段后成立的独立美国子公司。▲ Solidigm D5-P5336,E1.L 规格,61.44TB由于内外部因素的共同影响,Sol
  • 关键字: SK海力士  内存  NAND  
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