- IT之家 3 月 14 日消息，据韩媒 NEWSIS 报道，三星电子否认了近日路透社的说法，表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。HBM 由多层 DRAM 堆叠而成，目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通过回流焊一次性粘合，然后同时用模塑料填充间隙；而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜，是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜（NCF）的热压键合方式。随着 HBM
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三星 MR-RUF DRAM HBM
- 服务器作为网络的节点，存储、处理网络上80％的数据、信息，被称为互联网的灵魂。它不仅是一个简单的机器，更像是一个精密的工程，由多个关键组件相互配合，以实现高效的数据处理和存储。01 什么是服务器服务器是在网络中为其他客户机提供服务的高性能计算机：具有高速的CPU运算能力，能够长时间的可靠运行，有强大的I/O外部数据吞吐能力以及更好的扩展性。服务器的内部结构与普通计算机内部结构类似（CPU、硬盘、内存、系统总线等）。服务器Server：间接服务于多人；个人计算机PC：直接服务于个人。02 服务器的
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- SK海力士负责封装开发的李康旭副社长认为，半导体行业前50年都在专注芯片本身的设计和制造，但是，下一个 50 年，一切将围绕芯片封装展开。据彭博社报道，SK海力士（SK
Hynix）今年将在韩国投资超过10亿美元，用于扩大和改进其芯片制造的最后步骤，即先进封装。前三星电子工程师、现任 SK Hynix
封装开发主管的李康旭表示，推进封装工艺创新是提高HBM性能、降低功耗的关键所在，也是SK海力士巩固HBM市场领先地位的必由之路。高度聚焦先进封装SK海力士HBM不断扩产SK海力士在最近的财报中表示，
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存储 HBM 先进封装
- 近期，存储厂商南亚科总经理李培瑛对外表示，HBM目前产品溢价较高，确实会对存储器厂商营收有所贡献，但其占全球DRAM位元数仅约2%。因此，以当前南亚科在DRAM市场的市占率而言，现阶段不适合公司投入大量资源争夺HBM市场。存储市场正掀起AI狂欢热潮，HBM技术也从幕后走向台前，并成为推动存储器产业发展的强劲动能。不过，HBM技术含量高、在DRAM占比小，因此决定了该技术是属于三星、SK海力士、美光等大厂的“游戏”，而非全部存储厂商的“狂欢”。如今，存储大厂的HBM战局已然打响，并瞄准了最新的HBM3E技术
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HBM 存储
- 大家好，我是蜗牛兄。本文主要介绍DDR常用的三种频率，以及梳理内存频率是怎样提升的。可能这篇文章对于电路设计用处不大，但多了解一点总是没坏处的。图1 文章框图通过下面这张表，我们一起来了解一下内存DDR的频率。图2 内存频率表格从表中可以看出内存有三种频率，分别是核心频率，工作频率和等效频率。而我们平时所说的频率就是等效频率。从表格中我们可以得出以下信息：1、核心频率，指真正读写内存颗粒的频率，它是固定不变的，一般是133，166，和200MHz三类，这个频率提升很难。2、工作频率，DDR工作频率是颗粒核
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- 全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位，并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为人工智能（AI）解决方案赋能。HBM3E：推动人工智能革命随着人工智能需求的持续激增，内存解决方案对于满足工作负载需求
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- AI服务器浪潮席卷全球，带动AI加速芯片需求。DRAM关键性产品HBM异军突起，成为了半导体下行周期中逆势增长的风景线。业界认为，HBM是加速未来AI技术发展的关键科技之一。近期，HBM市场动静不断。先是SK海力士、美光科技存储两大厂释出2024年HBM产能售罄。与此同时，HBM技术再突破、大客户发生变动、被划进国家战略技术之一...一时间全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全称为High Bandwidth Memory），是高带宽存储器，是属于图形DDR内存的一种。从技术原理上讲，HB
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- 2024 年 3 月 1 日，中国上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 内存和 UFS 4.0 移动闪存助力荣耀最新款旗舰智能手机荣耀 Magic6 Pro 提供端侧人工智能体验。该手机支持 70 亿参数的大语言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），开创了端侧生成式人工智能新时代。荣耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大语言模型为核心，在美光内存和存储的加持下，实现了升级版预测性和
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- 继此前美光宣布 HBM 产能全部售罄之后，SK 海力士今年的 HBM 产能也已经全部售罄。
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HBM
- 近期，SK海力士副社长Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也对外透露，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。生成式AI火热发展，推动了云端高性能AI芯片对于高带宽内存（HBM）的旺盛需求，存储大厂积极瞄准HBM扩产。其中，三星电子从2023年四季度开始扩大HBM3的供应。此前2023年四季度三星内部消息显示，已经向客户提供了下一代HBM3E的8层堆叠样品，并计划在今年上半年开始量产。到下半年，其占比预计将
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- 内存技术作为计算机系统的核心组成部分，其性能的提升对于整体计算能力的提升至关重要。在这个背景下，高带宽内存（HBM）以其卓越的性能表现，正逐渐在内存技术领域崭露头角，成为推动计算领域进入全新时代的关键力量。相较于传统的动态随机存取内存（DRAM），HBM 的性能优势显而易见。远远超越 DDRDDR 是一种常见的计算机内存类型，最早是为了提高内存传输速率而设计的。它采用了双倍数据传输技术，即在每个时钟周期内可以传输两次数据，从而提高了数据传输速率。目前最常见的 DDR 版本是 DDR4、DDR5，但在过去还
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HBM
- 最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度财报，2023 年第四季度实现扭亏为盈，当季营业利润 3460 亿韩元（约合 2.6 亿美元），而上年同期营业亏损 1.91 万亿韩元。这意味着，SK 海力士成功摆脱了从 2022 年第四季度以来一直持续的营业亏损情况。相比之下，同为韩国半导体巨头的三星，业绩却不尽如人意。数据显示，三星电子去年销售额为 258.16 万亿韩元（1.4 万亿元人民币），同比下滑 14.58%。受半导体部门业绩不佳影响，三星电子全年营业利润时隔 15 年再次跌至 10 万亿韩元（544
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- 冯·诺依曼架构将继续存在，但人工智能需要新的架构，3D 结构需要新的测试工具。
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- 三星称其已经在美国硅谷开设了一个新的内存研发（R&D）机构，专注于下一代3D DRAM芯片的开发。该机构将在设备解决方案部门美国分部（DSA）的硅谷总部之下运营，由三星设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构的主管Song Jae-hyeok领导。全球最大的DRAM制造商自1993年市场份额超过东芝以来，三星在随后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市场份额要明显高于其他厂商，但仍需要不断开发新的技术、新的产品，以保持他们在这一领域的优势。三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32 Gb
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