12 月 3 日消息，据韩媒 Business Korea 昨日报道，三星电子和 SK 海力士正在合作标准化 LPDDR6-PIM 内存产品。该合作伙伴关系旨在加快专门用于人工智能（AI）的低功耗存储器标准化。报道提到，两家公司已经确定，有必要建立联盟，以使下一代存储器符合这一趋势。报道还称，三星电子和 SK 海力士之间的合作尚处于早期阶段，正在进行向联合电子设备工程委员会（JEDEC）注册标准化的初步工作。目前正在讨论每一个需要标准化项目的适当规格。▲ 图源三星PIM 内存技术是一种将存储和计
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三星电子 SK 海力士 内存
12月2日消息，据韩国媒体报道， 在全球内存市场上长期竞争的三星电子和SK海力士，近日出人意料地结成联盟，共同推动LPDDR6-PIM内存的标准化。这也意味着两家公司在面对AI内存技术商业化的共同挑战时，愿意搁置竞争，共同推动行业标准的制定。双方合作旨在加速专为人工智能优化的低功耗内存技术的标准化进程，以适应设备内AI技术的发展。随着设备内AI技术的兴起，PIM内存技术越来越受到重视。PIM技术通过将存储和计算结合，直接在存储单元进行计算，有效解决了传统芯片在运行AI算法时的“存储墙”和“功耗墙
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三星 SK海力士 内存 LPDDR6
据外媒报道，三星正在扩大韩国和其他国家芯片封装工厂的产能，主要是苏州工厂和韩国忠清南道天安基地。由于人工智能领域激增的需求，下一代高带宽存储器封装（HBM）的重要性日益重要，三星希望通过提升封装能力，确保他们未来的技术竞争力，并缩小与SK海力士在这一领域的差距。· 苏州工厂是三星目前在韩国之外仅有的封装工厂，业内人士透露他们在三季度已同相关厂商签署了设备采购协议，合同接近200亿韩元，目的是扩大工厂的产能。· 另外，三星近期已同忠清南道和天安市签署了扩大芯片封装产能的投资协议，计划在韩国天安市新建一座专门
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三星 高带宽存储器 封装 HBM
任何新的内存方法都必须具备可制造性与成本效益，方能被采用。
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HBM
11 月 4 日消息，SK 海力士 CEO 郭鲁正今日在韩国首尔举行的 SK AI Summit 2024 上介绍了全球首款 16-High HBM3E 内存。该产品可实现 48GB 的单堆栈容量，预计明年初出样。虽然一般认为 16 层堆叠 HBM 内存直到下一世代 HBM4 才会正式商用，但参考内存领域 IP 企业 Rambus 的文章，HBM3E 也有扩展到 16 层的潜力。此外注意到，SK 海力士为今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 学术会议准备的论文中也提到了可实现 1280G
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SK海力士 内存 HBM3E
10 月 30 日消息，芝奇国际今日宣布再度刷新内存频率超频世界纪录，由华硕 ROG 极限超频者 SAFEDISK 上传的成绩，通过液态氮极限超频技术，创下 DDR5-12112 的超频纪录。该纪录使用的是芝奇 Trident Z5 旗舰系列 DDR5 内存，搭配最新英特尔酷睿 Ultra 9 285K 处理器及华硕 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附图如下：此成绩已上传至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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芝奇 内存 DDR5
获悉，周四，SK海力士公布了创纪录的季度利润和营收，这反映出市场对与英伟达(NVDA.US)处理器一起用于人工智能开发的存储芯片的强劲需求。作为英伟达的供应商，这家韩国存储芯片巨头第三季度的营业利润达到7.03万亿韩元(51亿美元)，上年同期为亏损1.8万亿韩元，高于分析师预期的6.9万亿韩元。营收大增94%，达到17.6万亿韩元，而市场预期为18.2万亿韩元。今年以来，SK海力士股价累计上涨逾35%，原因是该公司在设计和供应为英伟达人工智能加速器提供动力的尖端高带宽内存(HBM)方面扩大了对三星电子(S
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AI HBM SK海力士
10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道，SK 海力士正缩减 CIS （注：即 CMOS 图像传感器）等次要业务规模，全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL 内存、PIM、AI SSD 等新兴增长点。SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资，同时月产能已低于 7000 片 12 英寸晶圆，不足去年一半水平。而这背后是 2023 年 CIS 市场三大巨头索尼、三星、豪威共占据 3/4 市场份额，SK 海力士仅以 4% 排在第六位，远远落后于竞争对手。同时，SK 海力
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SK 海力士 CIS HBM 内存
TrendForce指出，随着AI服务器持续布建，高带宽内存（HBM）市场处高成长阶段，平均售价约是DRAM产品的三至五倍，待下一代HBM3e量产，加上产能扩张，营收贡献将逐季上扬。TrendForce指出，HBM市场仍处于高成长阶段，由于各大云端厂商持续布建AI服务器，在GPU算力与内存容量都将升级下，HBM成为其中不可或缺的一环，带动HBM规格容量上升。如NVIDIA Blackwell平台将采用192GB HBM3e内存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生产难度高、良率仍有显着
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HBM DRAM TrendForce
近期市场对于2025年HBM可能供过于求的担忧加剧，而据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于明年厂商能否如期大量转进HBM3e仍是未知数，加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长，目前尚难判定是否会出现产能过剩局面。根据TrendForce集邦咨询最新调查，Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）与Micron（美光）已分别于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi样品，目前处于持续验证阶段。其中SK
hynix与Micron进度较快，有望于今年底完成
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HBM3e 12hi 良率 验证 HBM TrendForce
随着GDDR7存储器标准规格于今年确定，存储器业者开始推出GDDR7解决方案。与目前的GDDR6和GDDR6X相比，GDDR7提供大升级，提高游戏和其它类型工作负载的性能。什么是GDDR7存储器呢？其实GDDR（Graphics Double Data Rate）的「G」，可以得知是用于GPU的显示存储器，如即将推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年问世，首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU，其起始的显存时脉频率为14
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HBM 存储器 GDDR7
IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨询今天下午发布报告指出，由于服务器终端库存调整接近尾声，加上 AI 推动了大容量存储产品需求，今年第二季度 NAND Flash（闪存）价格持续上涨。但由于 PC 和智能手机厂商库存偏高，导致 Q2 NAND Flash 位元出货量环比下降 1%，平均销售单价上涨了 15%，总营收达 167.96 亿美元（IT之家备注：当前约 1193.37 亿元人民币），较前一季实现环比增长 14.2%。各厂商营收情况如下：三星：第二季时积极回应客户对
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内存 NAND Flash
IT之家 9 月 4 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向 Galaxy S25 系列手机的 1b nm （IT之家注：即 12nm 级） LPDDR 内存样品供应延误的担忧。三星电子于 2023 年 5 月启动 1b nm 工艺 16Gb DDR5 内存量产，后又在当年 9 月发布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在内部推进 1b nm LPDDR 移动内存产品的开发工作。然而该韩媒此前就在今年 6 月
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三星 内存 DDR5
根据TrendForce最新调查，消费型电子需求未如预期回温，中国大陆地区的智能型手机，出现整机库存过高的情形，笔电也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买，市场持续萎缩。此一现象，导致以消费型产品为主的内存现货价走弱，第二季价格较第一季下跌超过30％。尽管现货价至8月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价可能的未来走向。TrendForce表示，2024年第二季模块厂在消费类NAND Flash零售通路的出货量，已大幅年减40％，反映出全球消费性内存市场正遭遇严峻挑战。内存产业虽一向受周期因素影响，但202
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TrendForce 内存 DRAM
IT之家 8 月 20 日消息，据韩媒 MK 报道，SK 海力士负责 HBM 内存业务的副总裁 Ryu Seong-soo 当地时间昨日在 SK 集团 2024 年度利川论坛上表示，M7 科技巨头都表达了希望 SK 海力士为其开发定制 HBM 产品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨头苹果、微软、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英伟达、亚马逊以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不断工作，与 M7 企业进行电话沟通，并为满足这些企业的需
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海力士 HBM 内存
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