韩国三星电子表示，因人工智能AI需求畅旺，内存芯片的售价因此也水涨船高，上季营业利益可望飙升约15倍，比路透社4日报导的预估值13倍还要多。这家全球最大内存芯片制造商预估，集团整体第2季营利为10.4兆韩元，约75亿美元，年增1,452.2%。同时，营收也大增23.3%，达74兆韩元。不过，三星这次并没有揭露净利数字。 4到6月这1季，是三星自2022年第3季曾创下营业利益高达10.8兆韩元以后，全集团营利再次冲高到10兆韩元以上。另外，三星第2季的营利，也比自己2023年一整年的6.5兆韩元要高出不少。
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三星 内存
财联社7月4日电，韩国媒体NewDaily报道称，三星电子的HBM3e芯片通过了英伟达的产品测试，三星将很快就大规模生产HBM并供应给英伟达一事展开谈判。
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三星 HBM 芯片 英伟达 测试
随着人工智能技术快速发展，AI芯片需求正急剧上升，推动先进封装以及HBM技术不断提升，硅晶圆产业有望从中受益。近期，环球晶董事长徐秀兰对外透露，AI所需的HBM内存芯片，比如HBM3以及未来的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆叠，层数从12层到16层增加，同时结构下面还需要有一层基底的晶圆，这增加了硅晶圆的使用量。此前，媒体报道，AI浪潮之下全球HBM严重供不应求，原厂今明两年HBM产能售罄，正持续增加资本投资，扩产HBM。据业界透露，相较于同容量、同制程的DDR5等内存技术，HBM高带宽存储芯片晶圆
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HBM 先进封装 硅晶圆
什么是 GDDR7 内存？它是用于 GPU 的下一代图形内存，例如即将推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它将在未来几年内用于各种产品，为现有的 GDDR6 和 GDDR6X 解决方案提供代际升级，从而提高游戏和其他类型的工作负载的性能。但这个名字下面还有很多事情要做。自从第二代GDDR内存（用于“图形双倍数据速率”）推出以来，这种模式就非常清晰。GDDR（前身为 DDR SGRAM）早在 1998 年就问世了，每隔几年就会有新的迭代到来，拥有更高的速度和带宽。当前一代
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IT之家 6 月 28 日消息，美光在业绩演示文稿中表示，其位于美国爱达荷州博伊西总部和纽约州克莱的新 DRAM 内存晶圆厂将分别于 2027、2028 财年正式投运：译文：爱达荷州晶圆厂要到 2027 财年才会带来有意义的位元供应，而纽约（州）的建设资本支出预计要到 2028 财年或更晚才会带来位元供应的增长。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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据韩媒报导，随着AI应用热度不减，三星电子日前告知戴尔、慧与（HPE）等主要客户，将在第三季提高服务器用的DRAM和企业级NAND闪存的价格15～20％。 台系内存模块大厂闻讯分析，三星此举主要趁着第三季电子产业旺季来临前率先喊涨，以期拉抬目前略显疲软的现货价行情，但合约价实际成交价格，仍需视市场供需而定。以位产出市占率来看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分别是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根据外电报导指出，三星电子第二季已将供应给企业的NAND闪存价格，调
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AI人工智能应用持续推动存储器市场前行，其中HBM（高带宽内存）是当之无愧的“宠儿”，不断吸引存储器厂商加大资本支出与扩产。与此同时，存储器市场新的力量已经悄然形成，GDDR7有望接过HBM大棒，在AI浪潮下继续推动存储器市场稳步向前。GDDR7与HBM的差异GDDR7与HBM同属于图形DRAM，二者均具备高带宽和高速数据传输能力，可为AI计算提供强大支持，不过GDDR7与HBM在技术、应用场景与性能表现方面略有不同。GDDR7主要用于增强GPU的可用带宽和内存容量，是GDDR家族的最新一代技术。今年3月
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内存大厂美光预计6月26日公布季报，自美光的高带宽内存（HBM）开始供货给辉达后，已化身为AI明星股，年初至今，美光股价大涨近七成，市值大增636.26亿美元，至1,545.22亿美元。 市场分析师预期，美光经营层将大谈需求改善、行业供应紧张、价格进一步上扬，以及他们供应给辉达和其他AI芯片厂商的HBM，下一世代的发展，提出对后市正向的看法。由于AI应用的需求，人们对DRAM、HBM的兴趣与日俱增，且内存市场通常存在「FOMO」（Fear of missing out）现象，意思是「害怕错失机会」，在美光
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在人工智能（AI）热潮席卷全球下，带动市场对于高带宽内存（HBM）需求大幅增长，造成产能紧张。知情者透露，美国内存芯片大厂美光（Micron）为掌握更多HBM产量，正在美国打造多条测试生产线以求扩大产能，并首度考虑在马来西亚生产HBM，同时扩大在台中的产能。 日本经济新闻20日报导，美光今年6月初曾经表示目标在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，达到25％附近，这跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正积极要在HBM领域追上韩国SK海力士与三星电子。知情者表示，美光正扩大其爱达荷州博伊
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HBM 商机稍纵即逝，需要抓紧时间。
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IT之家 6 月 18 日消息，据韩媒《韩国经济日报》报道，三星电子将于年内推出可将 HBM 内存与处理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技术。报道同时指出，在今年发布后，三星有望于明年推出的 HBM4 内存中正式应用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的简写）-D 技术。SAINT-D 是三星电子的一项 3DIC 先进封装技术，旨在垂直集成逻辑裸片和 DRAM 内存裸片。报道
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就人工智能（AI）装置的硬件来看，关键的零组件共有四大块，分别是逻辑运算、内存、PCB板、以及散热组件。他们扮演着建构稳定运算处理的要角，更是使用者体验能否优化的重要辅助。而随着AI大势的来临，中国台湾业者也已做好准备，准备在这些领域上大展拳脚。逻辑组件扮枢纽 中国台湾IC设计有商机对整个AI运算来说，最关键就属于核心处理组件的部分。尽管中国台湾没有强大的CPU与GPU技术供货商，但在AI ASIC芯片设计服务与IP供应方面，则是拥有不少的业者，而且其中不乏领头羊的先进业者。在AI ASIC芯片设计方面，
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6月5日，美光科技宣布出样业界容量密度最高的新一代GDDR7显存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技术和创新架构，速率高达32Gb/s。性能上，GDDR7的系统带宽超过1.5TB/s，较GDDR6提升高达60%，并配备四个独立通道以优化工作负载，从而实现更快的响应时间、更流畅的游戏体验和更短的处理时间。与GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超过50%，实现了更优的散热和续航；全新的睡眠模式可将待机功耗降低高达70%。美光GDDR7还具备领先的可靠性、可用性及适用性（RAS），在不影响性
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据JEDEC（固态技术协会）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明确会以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM内存标准。DDR6内存最低频率8800MHz，可提高至17.6GHz，理论最高可以推进至21GHz，远超DDR4和DDR5内存。CAMM2是一种全新内存标准，同样支持DDR6标准内存，也就是适用于台式PC等大型PC设备。JEDEC预计，将在今年内完成DDR6内存标准的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具体产品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。从LPDDR6来看，该内存产
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hbm 内存介绍
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