- 全球新兴记忆体与储存技术市场正快速扩张，而台积电、三星、美光、英特尔等半导体巨头正与专业IP供应商合作，积极推动先进非挥发性存储器解决方案的商业化。过去两年，相变内存（PCM）、电阻式随机存取内存 （RRAM） 和 自旋转移矩磁阻式随忆式内存 （STT-MRAM） 已从实验室走向次22纳米节点的试产阶段，并运用3D堆叠技术实现高密度，以解决传统DRAM和NAND闪存在延迟、耐用性和能源效率方面的限制。在台积电、三星、美光、英特尔等业界领导者的合作下，每年超过50亿美元的研发投入加速新材料与制程的成熟。 这
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- 根据韩国媒体 Business Post 的报道，三星电子似乎接近确保高通成为其下一代 2nm 代工工艺的第一个主要客户。这一发展可能标志着三星朝着重振苦苦挣扎的合同芯片制造业务迈出了重要一步，该业务一直面临持续的良率问题，并失去了台积电的关键客户。据报道，高通正在使用三星的 2nm 技术对多款芯片进行量产测试，包括其即将推出的 Snapdragon 8 Elite 2 移动处理器的高级版本。这款代号为“Kaanapali”的芯片将有两种变体。基本版本预计将由台积电使用其 3nm 工艺
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- 据外媒Business Post报道，三星计划在2026年推出的Galaxy S26系列旗舰智能手机，除了搭载基于自家2nm制程代工的Exynos 2600芯片外，还将采用高通新一代骁龙8系列旗舰芯片，可能命名为Snapdragon 8 Elite Gen 2。值得注意的是，这款高通芯片将不再由台积电独家使用N3P制程代工，而是部分交由三星2nm制程代工，专为三星Galaxy系列设备定制。报道显示，高通的下一代芯片策略将有重大调整，计划为新一代骁龙旗舰手机芯片开发两个版本。一个版本采用台积电3nm制程，供
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- 根据韩国媒体 Business Post 的报道，三星电子似乎即将获得高通作为其下一代 2 纳米晶圆代工工艺的首个主要客户。这一发展可能标志着三星苦苦挣扎的合同芯片制造业务复苏的重要一步，该业务一直面临持续的良率问题和关键客户流失给台积电的情况。据报道，高通正在使用三星的 2 纳米技术对数款芯片进行大规模量产测试，包括其即将推出的高端版骁龙 8 Elite 2 移动处理器。这款芯片的代号为“Kaanapali”，将提供两种变体。基础版本预计将由台积电使用其 3 纳米工艺生产，而高端版“Kaanapali
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- 在全球芯片代工市场的激烈竞争中，格局正发生深刻变化。虽然台积电一直保持着其主导地位，但曾经稳居第二的三星电子如今面临严峻挑战，中芯国际展现出强劲势头正在追赶这家韩国巨头。调研机构TrendForce发布的报告显示，2025年第一季度，全球前十大晶圆代工厂中，台积电凭借先进制程导入速度和良率控制方面的绝对优势，以67.6%的份额稳居榜首。值得注意的是，中芯国际正以惊人的速度追赶三星电子，其市场份额已攀升至6%并持续增长，而三星电子的市场份额已降至7.7%。第四名至第十名分别为联电 (UMC)、格芯 (Glo
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- 据报道，随着主要竞争对手台积电和英特尔的目标是在 2025 年下半年实现 2nm 和 18A 的量产，三星也在调整其业务战略。据 ZDNet 称，它现在专注于提高和优化其当前先进节点的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，虽然没有给出修改后的时间表，但该报告表明，三星的 1.4nm 生产现在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前开始。据 ZDNet 称，该更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高级代工生态系统）论坛 2025”期间发布的。据报道，在此次活动中，三星透
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- 市场传言越来越多，称三星正在积极将资源转向 2 纳米开发，计划明年在其德克萨斯州工厂推出下一代工艺，可能试图超越台积电。然而，据半导体行业内的消息人士称， 商业时报报道，三星当前的 3 纳米 GAAFET 技术大致与竞争对手的 4 纳米鳍式场效应晶体管节点相当，这引发了对其即将到来的 2 纳米工艺可能仍不及台积电最强大的 3 纳米鳍式场效应晶体管一代的担忧。同时，台积电继续扩展其 3 纳米工艺系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同应用变体。该报告指出，这些节点预计将仍然是主要客户的首选。
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- 市场近期盛传三星将押注资源发展2纳米，预计最快明年于美国德州厂率先导入2纳米制程，企图弯道超车台积电。 半导体业界透露，三星目前以GAAFET打造之3纳米，约为目前竞争对手4纳米FinFET水平，分析2纳米效能恐怕不如台积电最后也是最强一代之3纳米FinFET。 尤其台积电再针对3纳米发展更多家族成员，包括N3X、N3C、N3A等应用，未来仍会是主流客户之首选。盘点目前智能手机旗舰芯片，皆使用台积电第二代3纳米（N3E），仅有三星Exynos 2500为自家3纳米GAAFET; 各家业者今年预计迭代进入第
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- 台积电和三星在晶圆代工领域竞争激烈，两家大厂相继赴美国设厂，根据ZDNet Korea报导，三星可能比台积电更早在美国推出2纳米制程，预计时间点在明年第一季，以增强在美国芯片市场的影响力。 但报导也质疑，三星先进制程的良率偏低，泰勒工厂能否达到芯片生产阶段仍存在不确定性。报导指出，三星计划将在美国推出首个国产2纳米制程，以加强竞争力，据悉公司已开始为在泰勒工厂的生产线做准备。 虽然目前美国2纳米制程生产尚处在规划阶段，但考量大型科技公司对从美国采购芯片展现浓厚兴趣，三星对此持乐观态度。三星美国厂野心勃勃，
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- 美国商务部正在考虑撤销此前授予台积电、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的许可证——这一举措可能为它们在中国的运营制造新的障碍，据路透社报道。引自华尔街日报，Wccftech 指出，工业与安全 Under Secretary 詹姆斯·克勒森正推动结束允许美国芯片设备制造商向这些公司中国工厂出售关键工具的豁免。报道补充说，这可能导致它们获取美国制造设备的规定更加严格。根据 Tom's Hardware，该审查针对的是在美国于 2022 年底限制向中国出口芯片制造工具后授予非中国芯片制造商
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- 据报道，三星正在加紧为其美国代工厂的生产做准备。据韩国媒体 ZDNet 援引 6 月 23 日的消息人士称，该公司正在讨论于 2026 年开始在泰勒晶圆厂安装其 2nm 工艺设备的计划。该报告指出，经过几次延误，三星于 2025 年第二季度恢复了泰勒工厂的洁净室建设。据报道，一旦洁净室完工，该公司正计划引入相关设备以开始设置生产线。值得注意的是，由于这将是初始生产线，因此预计投资规模将相对适中。据韩国媒体 The Elec 报道，当三星于 2021 年底首
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- 据路透社报道，美国商务部正在考虑撤销之前授予台积电、三星和 SK 海力士等主要芯片制造商的许可证，此举可能会给它们在中国大陆的业务制造新的障碍。
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- 随着三星加速 1c DRAM 开发，试图在 HBM4 竞争中夺回失地，当前领导者 SK 海力士正与科技巨头合作推出定制 HBM 解决方案。据《 韩国经济日报 》报道，其首款定制 HBM——可能是 HBM4E——预计将在 2026 年下半年推出。报道显示，SK 海力士已经赢得了包括英伟达、微软和高通在内的主要客户，使其成为定制和通用 AI 内存市场的领先者。值得注意的是，SK 海力士最近开始根据客户需求定制 HBM，报道补充说，英伟达紧张的生产进度影响了其合作伙伴的选择。定制 HBM 更
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- 随着将 HBM4 时代的希望寄托在其 1c DRAM 的进展上，据报道三星在良率方面取得了重大突破。据 sedaily 报道，该公司最近在其第六代 10nm 级 DRAM（1c DRAM）晶圆测试中实现了 50-70%的良率——这一数字较去年的 30%以下水平有了显著提升。值得注意的是，与 SK 海力士和美光等坚持使用更成熟的 1b DRAM 生产 HBM4 不同，三星正大胆押注下一代 1c DRAM。随着良率稳步提高，该公司计划在其华城和平泽工厂加大 1c DRAM 的生产规模，根据
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- 据韩媒etnews于6月18日报道，三星电子近期在高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域取得重要突破。其基于4nm工艺制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能评估，传输带宽达到24Gbps。这一成果标志着三星在芯粒互联技术上的显著进展。UCIe（统一芯粒互联接口）是一种通用的芯粒互联标准，能够实现不同来源和工艺的芯粒之间的互联通信，从而将分散的芯粒生态系统整合为统一平台。三星早在去年就对其工艺进行了优化，以支持UCIe IP的开发。此次原型芯片的成功运行，表明其技术已具备向商业量产迈进的能力。
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