台积电3纳米FinFET 三星2纳米恐难敌

市场近期盛传三星将押注资源发展2纳米，预计最快明年于美国德州厂率先导入2纳米制程，企图弯道超车台积电。 半导体业界透露，三星目前以GAAFET打造之3纳米，约为目前竞争对手4纳米FinFET水平，分析2纳米效能恐怕不如台积电最后也是最强一代之3纳米FinFET。 尤其台积电再针对3纳米发展更多家族成员，包括N3X、N3C、N3A等应用，未来仍会是主流客户之首选。

盘点目前智能手机旗舰芯片，皆使用台积电第二代3纳米（N3E），仅有三星Exynos 2500为自家3纳米GAAFET; 各家业者今年预计迭代进入第三代3纳米（N3P），据供应链透露，台积电去年底N3P已进入量产阶段，估今年整体产能将成长超过6成。

供应链表示，包括再生晶圆、钻石碟、特用化学品用量显著提升，相关供应链如升阳半、中砂、颂胜科技; 其中，颂胜科技为少数半导体CMP制程研磨垫供应商，与国际大厂直接竞争。

三星积极追赶，2纳米制程预计最快将于今年底量产，并计划明年首季率先在美国德州Taylor厂导入2纳米; 看似弯道超车台积电2纳米落地美国时间，不过半导体业者指出，台积电严守最先进制程于台湾发展，未来在海外厂会以台湾母厂（Mother Fab）为目标。

IC设计业者透露，在整体芯片表现上，台积电制程仍能达到更佳效果，如同样以Arm Cortex-X925超大核心设计之天玑9400，频率可达3.62GHz，优于Exynos 2500 3.3GHz之表现，在发表时间也领先约3季，三星代工明显已无法满足国际芯片大厂最先进之需求。

供应链透露，为满足客户美国制造需求，台积电亚利桑那州二厂进入加速阶段，预计明年第三季进行机台Move-in，未来也将携手台湾供应链大打国际杯，推动整体产业升级。