美国应用材料公司周一（15日）发布两款针对先进半导体制造的新系统，旨在解决高深宽比3D结构中精密加工的核心难题，进一步推动逻辑芯片与内存芯片的制程延伸。（图：shutterstock）在AI算力需求持续扩张的背景下，全球半导体业加速向全环绕栅极（GAA）晶体管及高层数3D NAND等架构演进。应材此次推出的Centris™ Spectral™ SiN ALD与Producer™ Selectra™ Mo Etch，分别面向介电薄膜沉积与金属选择性去除两大工艺环节。应财表示，上述系统已被重量级逻辑与记忆体芯
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时序来到2026年的第1季底，近期愈来愈多IC设计大厂跳出来直言，先进制程产能在云端AI庞大需求下，变得日益吃紧，尤其3纳米制程更是特别严重。美国科技产业对台积电扩产态度过于保守的看法，似乎是其来有自，不论是台湾还是美国客户，近几年争取先进制程产能压力不小，不仅是价格上因为供不应求而持续在调涨，还是因为产能不足难以争取业务，都让采购与产能分配，变成现在最大的经营挑战。也因为先进制程如此吃紧，不仅开始有一些业者都在考虑转移投片到三星电子（Samsung Electronics），Elon Musk也大张旗鼓
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据韩媒Theelec报道，在韩国首尔COEX举行的「第8届半导体产学研交流研讨会」上，三星电子晶圆代工部门副社长申淙信表示，3纳米以下制程中，设计与技术协同优化（DTCO）对效能提升的贡献度将达到50%。这一技术正成为三星在先进制程竞争中的重要抓手。随着摩尔定律持续推进，新一代制程开发成本不断攀升，IC设计业者采用新制程的费用也随之增加。传统“设计、制程分离”的模式已难以满足需求，而DTCO通过整合设计与制程优化，有效降低开发与导入风险，同时提升生产效率、优化成本结构，实现双赢。申淙信指出，7纳米制程中，
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DTCO
苹果最新iPhone 17系列近日正式发售，A19芯片采用的是台积电最新3纳米N3P制程，下一代A20进入2纳米时代，而Android阵营的联发科、高通等CPU的3纳米制程也进入尾声，业界传出，末代3纳米制程CPU价格比前代上涨约20%，明年2纳米制程将再增加逾50%的售价，加上内存、硬盘等供不应求， 半导体通胀正在发酵中。Android手机阵营的IC设计大厂联发科、高通，将在本周先后发表最新的旗舰芯片天玑9500以及Snapdragon 8 Elite Gen 5，目前传出2款芯片与A19芯片相同，皆采
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为满足客户美国制造需求续增，台积电亚利桑那州厂建厂加速！ 供应链透露，规划配置3纳米先进制程的二厂（P2）已经完成建设，整体时程有所提前，正致力于依据客户对AI相关的强劲需求加速量产进度，晶圆厂建设速度压缩在约两年，全速开动以应客户需求。台积电亚利桑那州二厂完成建设，供应链研判，为回应客户需求及因应美国政府关税，台积电积极配合，整体时程提前，机台最快在明年9月就要Move-in，首批晶圆产出预计落在2027年。 设备业者坦言，晶圆厂盖完厂后，内部厂务还需要耗时约两年进行调整配置，以晶圆厂建设速度来说，台积
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市场近期盛传三星将押注资源发展2纳米，预计最快明年于美国德州厂率先导入2纳米制程，企图弯道超车台积电。 半导体业界透露，三星目前以GAAFET打造之3纳米，约为目前竞争对手4纳米FinFET水平，分析2纳米效能恐怕不如台积电最后也是最强一代之3纳米FinFET。 尤其台积电再针对3纳米发展更多家族成员，包括N3X、N3C、N3A等应用，未来仍会是主流客户之首选。盘点目前智能手机旗舰芯片，皆使用台积电第二代3纳米（N3E），仅有三星Exynos 2500为自家3纳米GAAFET; 各家业者今年预计迭代进入第
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中国科学院研发除了突破性的固态DUV（深紫外线）激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体制程推进至3nm。据悉，ASML、佳能、Nikon的DUV光刻机都采用了氟化氙（ArF）准分子激光技术，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲形式发射，输出功率100-120W，频率8k-9kHz，再透过光学系统调整，用于曝光设备。中科院的固态DUV激光技术完全基于固态设计，由自制的Yb：YAG晶体放大器产生1030nm的激光，
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韩国媒体 Thebell 报道，三星开始量产新旗舰移动处理器Exynos
2500，晶圆测试最早3月开始，可能首发三星2025下半年入门级折叠手机Galaxy Z Flip FE。
但3纳米GAA良率低问题仍在，目前无法扩大规模，初期产能只有每月5,000片。三星曾预定2024下半年量产Exynos 2500并搭载Galaxy S25旗舰手机。 但Exynos 2500采第二代3nm
GAA良率低，传闻只有20%，导致Exynos 2500量产延后，Galaxy S25系列被迫全部采高通Sna
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Exynos 2500
路透社报道，ChatGPT开发商OpenAI今年会完成AI芯片设计，委托台积电生产。OpenAI预定今年请台积电量产客制化AI芯片（ASIC），减少依赖英伟达GPU。
曾任Google母公司Alphabet一年前加入OpenAI的Richard
Ho领导数十人团队，设计OpenAI用芯片，采台积电3纳米，有高带宽存储器（HBM）和网络功能的脉动阵列架构，与英伟达GPU类似。OpenAI计划2026年生产芯片，还有很多事正在进行。 芯片设计送至代工厂投片，就要花费数千万美元，生产芯片也需约六个月，除
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据业界消息人士透露，Google正考虑将新一代手机应用处理器（AP）Tensor G5及G6的生产委托，从现有的供货商三星转移到台积电，其背后原因在于三星的3纳米制程良率仅20%，远远低于台积电的同级制程技术。韩媒BusinessKorea报导， Google上月推出的「Pixel 9」系列智能手机搭载的 Tensor G4处理器由三星代工生产，引发市场对于三星将持续生产Google新一代行动应用处理器的强劲预期。然而，近期有消息指出，Google已与台积电携手，进入Tensor G5的全面量产阶段。行动
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三星一直想透过3纳米技术超车台积电，但结果始终不如预期，相较台积电已经取得多位大客户的订单，并反映在财报上，三星3纳米技术甚至被爆出良率一度只有0%，即使高层坚称「很稳定」自家人韩媒不买账，直言很多大厂都没有明确要下订单。 韩媒DealSite此前曾爆料，三星生产Exynos 2500处理器时，良率一度仅有0%，加上知名分析师郭明錤日前撰文表示，高通将成为三星Galaxy S25系列机型的独家SoC供货商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于预期，因此无法出货。接二连三的消息都显示，三星3纳
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台积电3纳米产能供不应求，预期订单满至2026年，日前传出台积电3纳米代工价调整上看5％以上，先进封装明年年度报价也约有10％～20％的涨幅。韩媒撰文指出，台积电涨价三星并未获得转单好处，主因大客户优先考虑的并非价格，而是高良率与先进制程的可靠生产力。 韩媒BusinessKorea以「台积电涨价仍留住客户的原因是什么？」为题撰文指出，辉达执行长黄仁勋6月初在台北国际计算机展期间，曾表示支持台积电提高代工价格，并表示苹果、高通等也将会接受台积电涨价。由于台积电3纳米供应严重短缺，产生继续涨价的空间，报导续
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台积电董事长刘德音日前股东会上霸气表示，「华为不可能追上台积电」。事实上，美国对中国大陆实施芯片制裁，华为首当其冲，华为高层日前坦言，中国正面临芯片技术上的困境，并称「能解决7纳米就非常好了」。刘德音4日在退休前的最后一次股东会上，回答股东提问时强调，台积电着重的是自己发展的速度够不够快，是不是华为都没关系，因为永远都会有竞争对手。至于华为会不会超越台积电，刘德音霸气响应说：「根本不可能，总裁（魏哲家）也不用回答了。」美国对大陆祭出严格的芯片出口管制，全球半导体设备龙头艾司摩尔（ASML）先进机台不能卖给
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台积电的先进制程技术遥遥领先其他竞争对手，也获得全球大客户肯定。不过南韩三星电子仍努力追赶，想要分一杯羹。据最新爆料，三星的3纳米良率已大幅提升到原本的3倍，但仍是落后台积电。科技网站Wccftech引述知名爆料者Revegnus在社群平台X（前身为推特）的发文报导，三星的3纳米制程良率一开始虽然只有10～20%，但最近已拉升至3倍以上。尽管三星如今3纳米制程良率已达30~60%之间，但Revegnus直言，相较于使用FinFET制程的台积电，三星的良率数据依然偏低。不过三星对于第二代3纳米制程寄予厚望，
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再生晶圆暨钻石碟大厂中砂6日举办法说会，发言人李伟彰副总指出，公司于研发阶段便与客户共同投入研发，过往持续扩增实验室规模，于客户先进制程逐渐斩获成效，于3纳米制程已经获得7成之市占，弯道超车美国竞争对手。李伟彰强调，未来在2纳米甚至更先进制程，皆不会落下；伴随线径微缩极致的追求，耗材使用寿命只会愈来愈短，对耗材供应系一大利多。 中砂第三季营收获利逐步回温，自第一季低点之后、逐季好转，其中毛利率站回3成之水平，达到32％，营益率也回到17％，税后纯益达2.92亿元，单季每股税后纯益（EPS）2.02元；前三
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iPhone 15 Pro系列新机出现容易过热的毛病，外界一度以为是台积电3纳米的问题，但苹果官方上周末发声明表示，主要是iOS 17系统的漏洞与第三方应用程序（APP）交互作用下所导致。此外，有业内人士爆料，罪魁祸首恐怕是规格升级的DRAM（动态随机存取内存）造成运行庞大负担。知名科技爆料者Revegnus在社群软件X（原名Twitter）上引述一位熟悉苹果半导体业务的达人说法，「几乎已经确定iPhone 15系列的DRAM是发烫的罪魁祸首，规格升级的DRAM为了配合数据处理速度，消耗了更多电力，这个过
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发热
苹果上周推出iPhone 15全系列新机，其中Pro以上高阶款机型采用A17 Pro芯片，由台积电最新3纳米代工，知名大陆科技部落客极客湾对此进行评测，直言很先进但能效不够好，性能强但14W功耗发热也极高，此事引起PTT网友热烈讨论，有网友提到，台积电3纳米确实还在进步中，但已经目前最好的技术，且芯片效能跟设计有关，台积电只负责代工。极客湾的评测结果显示，A17 Pro芯片并没有展现台积电3纳米所预估的能耗比实力，且GPU性能测试似乎不如高通骁龙8 Gen 2，主要在散热、续航及游戏等实测结果并不是特别突
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A17 Pro
苹果发表会正式公开iPhone 15系列新机，其中Pro及Pro Max搭载A17 Pro处理器芯片，受外界高度关注。该产品不仅是由台积电代工，还是首款3奈米手机芯片，成为苹果此次发表会的核心，盘点5大亮点让你了解。苹果对A17 Pro芯片信心十足，带有6核CPU、6核GPU及16 核神经网络引擎，甚至可以挑战某些PC性能，相当强大。CPU速度加快10%、GPU速度提升20%，能源效率与性能可说是历代最强。A17 Pro芯片仅应用在Pro及Pro Max系列上，iPhone 15及iPhone 15 Pl
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就在英伟达创办人兼董执行帐黄仁勋表明，下一代芯片仍将由晶圆代工龙头台积电来代工生产，因为中国台湾生产仍具有优势之后，现在外界传出，英伟达的下一代旗舰级显卡──RTX5090将使用台积电的3纳米制程技术，预计将在2024年年底前推出。根据外媒Hardwaretimes的报导，英伟达在2022年推出的RTX40系列显卡，代号为Ada
Lovelace，而下一代英伟达RTX显卡系列，其代号为Blackwell，并表示这些GPU将在台积电的3纳米（N3）节点制程上生产，内含晶体管数量将超过150亿个，晶体管密
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12月25日，据台媒报道，台积电总裁魏哲家此前预告“3纳米今年内在台湾地区量产”的承诺即将兑现。12月23日，台积电发出活动邀请，12月29日将在南科举办3纳米量产暨扩厂典礼。此前，魏哲家在法说会上提到，3纳米进度符合预期，具备良好良率并将在第四季度量产，在高速运算和智能手机应用驱动下，客户对3纳米需求超过产能。此外，魏哲家承诺2纳米工艺2025年量产时会是“最领先的技术”。台积电多次预告今年内在南科量产3纳米。南科晶圆18厂是3纳米制程的主要生产基地，3纳米制程技术将是5纳米（N5）制程技术之后的另一个
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据韩国经济新闻报道，三星电子将运用业界最先进的3纳米制程技术为英伟达、高通、IBM、百度等客户代工芯片，预计最早将从2024年开始产品供应。消息称，三星将以3纳米制程为英伟达代工绘图处理器(GPU)、为IBM代工服务器用中央处理器(CPU)、为高通代工智能手机应用处理器，并为百度代工云端资料中心使用的人工智能(AI)芯片。这些客户考虑到三星拥有3纳米技术，再加上分散供应源的需要，因此决定委托三星代工。报道指出，这些客户公司综合考虑了三星3纳米技术能力、从过去开始的战略合作关系、确保多个供应链的必要性等因素
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11 月 21 日消息，台积电创始人张忠谋周一接受采访时表示，目前在亚利桑那设置的 5 纳米厂是美国最先进的制程，但台积电最先进的制程已到 3 纳米。他本人证实，台积电将在美国设立目前最先进的 3 纳米晶圆厂。IT之家了解到，台积电在美国亚利桑那州投资的 12 英寸晶圆厂将于 12 月 6 日举行移机典礼，台积电表示，计划邀请包含客户、供应商、学术界和政府代表在内嘉宾，一同庆祝首批机器设备到厂的重要里程碑，张忠谋跟太太也会亲自参加。此外，美国商务部长已经答应出席台积电美国亚利桑那州晶圆厂的“首部机器移机”
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代工厂放任客户编造制造工艺谎言许多人偶尔会谎报自己的年龄或体重，但若公司出现了谎报行为，则可视为虚假广告或至少构成了品牌稀释。最近的半导体市场就出现了这种情况，当时，两家领先的代工厂都放任客户声称他们采用了4纳米工艺，而实际使用的却仍是5纳米技术。这种情况让双方均形象受损，尤其是代工厂。而这背后，也意味着晶体管发展的缓慢。这个问题最初始于三星。在与台积电下一个节点的长期竞争中，三星在交付5纳米芯片的一年后宣布将于2021年底交付生产4纳米芯片。如图1所示，台积电计划在5纳米和4纳米节点之间用两年时间，在2
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4纳米
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韩国三星电子6月30日正式宣布新一代环绕闸极晶体管（GAA）架构的3nm制程进入量产阶段，号称是全球第一家3nm进入生产的晶圆代工厂，不过市场预期三星的产能规模仍无法追上竞争对手台积电。台积电仍维持3奈米下半年进入量产预期，业界推估第四季投片规模可望超过1万片，包括高通、苹果、英特尔等都是主要客户。三星宣布开始量产GAA架构3nm制程，但未公布首发客户及产能规划，外电报导客户包括中国虚拟货币挖矿机芯片厂上海盘硅半导体及手机芯片大厂高通，但高通会视情况进行投片。三星指出，3nm采用多桥通道场效晶体管（MBC
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GAA架构
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2022年6月30日，作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子今日宣布, 基于3纳米（nm）全环绕栅极（Gate-All-AroundT,简称 GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。较三星5纳米（nm）而言，优化的3纳米（nm）工艺，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面积减少16%三星电子首次实现GAA"多桥-通道场效应晶体管"（简称: MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高
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GAA
台积电在4月中的法说会曾透露，预计今年下半年量产3纳米，2纳米制程的量产时间则落在2025年，没想到三星上周公开表示，公司将在未来几周内量产3纳米。若此事成真，三星将抢先台积电量产3纳米，然而三星在制程利率的问题仍是外界关注焦点，先前有外媒披露，三星3纳米的良率最高仅2成，迫使部分IC 设计大厂选择转单至台积电。科技网站Tom's Hardware报导，三星上周发出一份公开声明，内容提到公司将透过世界上首次大规模生产3纳米GAA技术来加强技术在产业领先的地位，有望在本季，即未来几周内开始量产。另一
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1月16日，苹果芯片代工厂商台积电高管证实，该公司将按计划在2021年开始危险生产3纳米Apple Silicon芯片，并在2022年下半年全面量产。早在2020年7月份就有报道称，台积电接近敲定其3纳米芯片生产工艺，现在该公司有望在2021年开始所谓的“风险生产”。“风险生产”是指原型已经完成并进行了测试，但还没有到批量生产最终产品的阶段。这可以帮助揭示与规模化生产有关的问题，当这些问题得到解决后，全面生产就可以开始。此前的报道称，苹果已经买下了台积电全部3纳米的产能，因此几乎可以肯定的是，苹果将为Ma
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双方合作包括多个签核域和跨库特征提取，以加速设计收敛 签核解决方案的创新能够解决从5纳米到3纳米的独特挑战，以确保签核准确性，并将运行速度提高20倍、内存消耗减少50% ECO迭代减少5倍、提高硬件效率，从而提高客户的生产效率 新思科技（Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，凭借其行业领先的黄金签核产品组合,
公司已与三星晶圆厂展开合作，以实现经过充分认证的流程，显著提升准确性、周转时间和开发者生产效率。针对5G、人工智能和高性能计算S
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台积电昨天召开了第一次虚拟技术研讨会，公布了3纳米光刻及未来路线计划。过去几年，台积电已经与英特尔旗鼓相当，在半导体领域占据了领导地位。在今年年初英特尔宣布推迟其7纳米工艺后，台积电正抓住机会，以行业领导者的身份继续“攻城略地”。据台积电高级副总裁米玉杰表示，该公司有计划继续提供有意义的节点改进，直到N3及以下。总的来说，7纳米得到了一系列产品系列的支持，而不仅仅是单一的芯片类型或类别，它贡献了台积电2020年第二季度36%的收入。接下来，关于N5和N6节点的一些更新。根据台积电的说法，N6比N5的逻辑密
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台积电与三星在7纳米以下先进制程竞争激烈，据外媒报导，传出三星放弃4纳米制程，直接从5纳米杀进3纳米，跟台积电正面对决，至于台积电5纳米今年第2季已量产，而三星5纳米明年初才可能放量生产，可见台积电技术仍领先三星1年。台积电近几年在先进制程领先业界，7纳米和5纳米率先量产，国际大客户抢著下单，产能更是满载，从2016年起，连续为苹果独家代工A系列处理器。三星虽然曾为苹果A系列处理器代工，但2015年苹果iPhone
6s系列采用A9处理器，由三星14纳米製程打造，在耗能方面竟高于台积电16纳米所生
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