- 11 月 21 日消息,台积电创始人张忠谋周一接受采访时表示,目前在亚利桑那设置的 5 纳米厂是美国最先进的制程,但台积电最先进的制程已到 3 纳米。他本人证实,台积电将在美国设立目前最先进的 3 纳米晶圆厂。IT之家了解到,台积电在美国亚利桑那州投资的 12 英寸晶圆厂将于 12 月 6 日举行移机典礼,台积电表示,计划邀请包含客户、供应商、学术界和政府代表在内嘉宾,一同庆祝首批机器设备到厂的重要里程碑,张忠谋跟太太也会亲自参加。此外,美国商务部长已经答应出席台积电美国亚利桑那州晶圆厂的“首部机器移机”
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- 代工厂放任客户编造制造工艺谎言许多人偶尔会谎报自己的年龄或体重,但若公司出现了谎报行为,则可视为虚假广告或至少构成了品牌稀释。最近的半导体市场就出现了这种情况,当时,两家领先的代工厂都放任客户声称他们采用了4纳米工艺,而实际使用的却仍是5纳米技术。这种情况让双方均形象受损,尤其是代工厂。而这背后,也意味着晶体管发展的缓慢。这个问题最初始于三星。在与台积电下一个节点的长期竞争中,三星在交付5纳米芯片的一年后宣布将于2021年底交付生产4纳米芯片。如图1所示,台积电计划在5纳米和4纳米节点之间用两年时间,在2
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- 韩国三星电子6月30日正式宣布新一代环绕闸极晶体管(GAA)架构的3nm制程进入量产阶段,号称是全球第一家3nm进入生产的晶圆代工厂,不过市场预期三星的产能规模仍无法追上竞争对手台积电。台积电仍维持3奈米下半年进入量产预期,业界推估第四季投片规模可望超过1万片,包括高通、苹果、英特尔等都是主要客户。三星宣布开始量产GAA架构3nm制程,但未公布首发客户及产能规划,外电报导客户包括中国虚拟货币挖矿机芯片厂上海盘硅半导体及手机芯片大厂高通,但高通会视情况进行投片。三星指出,3nm采用多桥通道场效晶体管(MBC
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- 2022年6月30日,作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子今日宣布, 基于3纳米(nm)全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称 GAA)制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。较三星5纳米(nm)而言,优化的3纳米(nm)工艺,性能提高23%,功耗降低45%,芯片面积减少16%三星电子首次实现GAA"多桥-通道场效应晶体管"(简称: MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET)应用打破了FinFET技术的性能限制,通过降低工作电压水平来提高
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- 台积电在4月中的法说会曾透露,预计今年下半年量产3纳米,2纳米制程的量产时间则落在2025年,没想到三星上周公开表示,公司将在未来几周内量产3纳米。若此事成真,三星将抢先台积电量产3纳米,然而三星在制程利率的问题仍是外界关注焦点,先前有外媒披露,三星3纳米的良率最高仅2成,迫使部分IC 设计大厂选择转单至台积电。科技网站Tom's Hardware报导,三星上周发出一份公开声明,内容提到公司将透过世界上首次大规模生产3纳米GAA技术来加强技术在产业领先的地位,有望在本季,即未来几周内开始量产。另一
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- 1月16日,苹果芯片代工厂商台积电高管证实,该公司将按计划在2021年开始危险生产3纳米Apple Silicon芯片,并在2022年下半年全面量产。早在2020年7月份就有报道称,台积电接近敲定其3纳米芯片生产工艺,现在该公司有望在2021年开始所谓的“风险生产”。“风险生产”是指原型已经完成并进行了测试,但还没有到批量生产最终产品的阶段。这可以帮助揭示与规模化生产有关的问题,当这些问题得到解决后,全面生产就可以开始。此前的报道称,苹果已经买下了台积电全部3纳米的产能,因此几乎可以肯定的是,苹果将为Ma
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- 双方合作包括多个签核域和跨库特征提取,以加速设计收敛 签核解决方案的创新能够解决从5纳米到3纳米的独特挑战,以确保签核准确性,并将运行速度提高20倍、内存消耗减少50% ECO迭代减少5倍、提高硬件效率,从而提高客户的生产效率 新思科技(Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码:SNPS)近日宣布,凭借其行业领先的黄金签核产品组合,
公司已与三星晶圆厂展开合作,以实现经过充分认证的流程,显著提升准确性、周转时间和开发者生产效率。针对5G、人工智能和高性能计算S
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- 台积电昨天召开了第一次虚拟技术研讨会,公布了3纳米光刻及未来路线计划。过去几年,台积电已经与英特尔旗鼓相当,在半导体领域占据了领导地位。在今年年初英特尔宣布推迟其7纳米工艺后,台积电正抓住机会,以行业领导者的身份继续“攻城略地”。据台积电高级副总裁米玉杰表示,该公司有计划继续提供有意义的节点改进,直到N3及以下。总的来说,7纳米得到了一系列产品系列的支持,而不仅仅是单一的芯片类型或类别,它贡献了台积电2020年第二季度36%的收入。接下来,关于N5和N6节点的一些更新。根据台积电的说法,N6比N5的逻辑密
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- 台积电与三星在7纳米以下先进制程竞争激烈,据外媒报导,传出三星放弃4纳米制程,直接从5纳米杀进3纳米,跟台积电正面对决,至于台积电5纳米今年第2季已量产,而三星5纳米明年初才可能放量生产,可见台积电技术仍领先三星1年。台积电近几年在先进制程领先业界,7纳米和5纳米率先量产,国际大客户抢著下单,产能更是满载,从2016年起,连续为苹果独家代工A系列处理器。三星虽然曾为苹果A系列处理器代工,但2015年苹果iPhone
6s系列采用A9处理器,由三星14纳米製程打造,在耗能方面竟高于台积电16纳米所生
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- 由于世界前两大的半导体厂都相继宣布投入GAA的怀抱,因此更让人笃定,也许3纳米将会是GAA的时代了,因为至3纳米制程,FinFET晶体管就可能面临瓶颈,必须被迫进入下个世代。
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- 据悉,三星电子事实上的领导人李在镕(Lee Jae-yong)讨论了三星利用全球首个3纳米工艺制造芯片的战略计划。
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- 台积电在7纳米、5纳米制程完封三星后,目前更加快3纳米研发,以延续领先地位,不让对手三星有先缝插针抢单的机会,据电子时报报导,台积电3纳米传出提前启动,位于南科30公顷用地,可望提前4个月、预计于今年底即可完成交地,摆明就是冲着三星而来。
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- 为迎接台积电3纳米厂研发及先期量产,中国台湾地区环保署11日初审通过竹科宝山用地扩建计划。另台积电在会中首度透露,预计把5年后的2纳米厂研发及量产都落脚在竹科,以避免研发人才散掉或外流的风险。
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- 北京时间6月8日晚间消息,全球最大代工厂商台积电今日表示,其3纳米芯片工厂地址将首先考虑台湾,其次才是美国。
台积电还称,目前,台湾地区政府正在帮助台积电寻找理想的建厂地点。台积电发言人伊丽莎白·孙(Elizabeth Sun)称:“我们不排除在其他国家和地区选址,但台湾是第一选择。”
台积电之前曾表示,明年上半年将做出最终的决定。受美国新总统特朗普(Donald Trump)新政策的吸引,富士康和软银等均表示加大在美国的投资力度。
台积电董事长
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