抢先台积电 传三星将在美国推出2纳米

台积电和三星在晶圆代工领域竞争激烈，两家大厂相继赴美国设厂，根据ZDNet Korea报导，三星可能比台积电更早在美国推出2纳米制程，预计时间点在明年第一季，以增强在美国芯片市场的影响力。 但报导也质疑，三星先进制程的良率偏低，泰勒工厂能否达到芯片生产阶段仍存在不确定性。

报导指出，三星计划将在美国推出首个国产2纳米制程，以加强竞争力，据悉公司已开始为在泰勒工厂的生产线做准备。 虽然目前美国2纳米制程生产尚处在规划阶段，但考量大型科技公司对从美国采购芯片展现浓厚兴趣，三星对此持乐观态度。

三星美国厂野心勃勃，根据了解，三星可能最快在明年1月或2月，启动2纳米制程的量产，该公司目前正把研发资源转向泰勒工厂。 虽然三星在美国的业务不如台积电成功，却下定决心取得突破，但报导也质疑，未来泰勒工厂能否达到芯片生产阶段仍存在不确定性。

三星一开始计划在美国生产4纳米制程，在获得拜登政府《芯片法案》（CHIPS Act） 的资助后，三星加大投入资金，却始终未能实现量产。 三星为了转移市场对台积电亚利桑那工厂的注意力，想率先在美国推出「性能强大」的2纳米制程。

三星晶圆代工部门下半年将推出最新技术SF2，采用第三代GAA制程，与SF3相比，SF2性能提高12%、能效提高25%，芯片面积微缩5%。 传出三星SF2已进入试产，良率能达到40%，高过原本的预期，但三星能否实现足以进行量产的高良率，仍有待观察。

三星先前抢先其他竞争对手，率先量产环绕闸极技术（GAA）的3纳米制程，但良率却不佳，外界认为宣传效果大于实际，三星想超越台积电并非易事。