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三星(samsung) 文章 进入三星(samsung)技术社区

三星调整芯片工厂建设计划,应对市场需求变化

  • IT之家 2 月 20 日消息,三星半导体业务虽然面临着持续的挑战,但该公司仍对今年下半年的市场前景持乐观态度。为了提高效率并更好地响应市场需求,三星正在对其芯片工厂进行一些调整。具体而言,三星正在调整位于韩国平泽的 P4 工厂的建设进度,以便优先建造 PH2 无尘室。此前,三星曾宣布暂停建设 P5 工厂的新生产线。三星正在根据市场动态调整其建设计划。平泽是三星主要的半导体制造中心之一,是三星代工业务的集中地,也是该公司生产存储芯片的地方。目前,P1、P2 和 P3 工厂已经投入运营,P4 和
  • 关键字: 三星  晶圆代工  

三星Exynos 2500芯片试产失败:3nm GAA工艺仍存缺陷

  • 最新报道,三星的3nm GAA生产工艺存在问题,原计划搭载于Galaxy S25/S25+手机的Exynos 2500芯片在生产过程中被发现存在严重缺陷,导致良品率直接跌至0%。报道详细指出,由于Exynos 2500芯片在3nm工艺下的生产质量问题,未能通过三星内部的质量检测。这不仅影响了Galaxy S25系列手机的生产计划,还导致原定于后续推出的Galaxy Watch 7的芯片组也无法如期进入量产阶段。值得关注的是,Exynos 2500原计划沿用上一代的10核CPU架构,升级之处在于将采用全新的
  • 关键字: 三星  Exynos  芯片  3nm  GAA  

测试发现三星Galaxy S24 Ultra钛合金用料不及iPhone 15 Pro Max

  •  2 月 6 日消息,和 iPhone 15 Pro Max 一样,三星 Galaxy S24 Ultra 也采用了钛合金框架,以提升手机的耐用性和轻量化程度。然而,两款手机的钛合金含量和品质却并不相同。知名 Youtube 科技频道 JerryRigEverything 通过火烧测试,揭示了其中的奥秘。此前,JerryRigEverything 已经对 iPhone 15 Pro Max 进行了同样的测试,发现其钛合金框架在高温灼烧下依然完好无损。这并不令人意外,因为测试所用的熔炉温度不足以熔
  • 关键字: 三星  Galaxy S24 Ultra  钛合金  Phone 15 Pro Max  

消息称三星将发布超高速32Gb DDR5内存芯片

  • 2 月 5 日消息,据报道,三星将在即将到来的 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。除了之前公布的 GDDR7 内存(将在高密度内存和接口会议上亮相),这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发,在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息,但我们知道,这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引
  • 关键字: 三星  32Gb DDR5  内存芯片  

2nm半导体大战打响!三星2nm时间表公布

  • 2月5日消息,据媒体报道,三星计划明年在韩国开始2nm工艺的制造,并且在2047年之前,三星将在韩国投资500万亿韩元,建立一个巨型半导体工厂,将进行2nm制造。据悉,2nm工艺被视为下一代半导体制程的关键性突破,它能够为芯片提供更高的性能和更低的功耗。作为三星最大的竞争对手,台积电在去年研讨会上就披露了2nm芯片的早期细节,台积电的2nm芯片将采用N2平台,引入GAAFET纳米片晶体管架构和背部供电技术。台积电推出的采用纳米片晶体管架构的2nm制程技术,在相同功耗下较3nm工艺速度快10%至15%,在相
  • 关键字: 2nm  半导体  三星  

三星与台积电据悉都将从2025年开始投入2nm制程量产

  • 2月5日消息,三星与台积电据悉都将从2025年开始投入2nm制程量产。此前,韩国政府1月中旬表示,三星公司计划到2047年在首尔南部投资500万亿韩元建设“超大集群”半导体项目,将重点生产先进产品,包括使用2nm工艺制造的芯片。
  • 关键字: 三星  台积电  2nm  

消息称三星 3nm GAA 工艺试产失败,Exynos 2500 芯片被打上问号

  •  2 月 2 日消息,根据韩媒 DealSite+ 报道,三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题,尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片,均存在缺陷,良品率 0%。报道指出由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试,导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。此前报道,Exynos 2500 将沿用上一代的 10 核 CPU 架构,同时引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
  • 关键字: 三星  3nm GAA  Exynos 2500 芯片  

英特尔超越三星,重返半导体行业榜首

  • 根据Counterpoint Research的数据,2023年,由于企业和消费者支出放缓,全球半导体行业营收同比下降了8.8%,下降至5213亿美元。不仅再次受到周期性变化影响,而且遭遇了史无前例的重大挑战 —— 存储器收入下降37%,是半导体市场降幅最大的领域;非存储器收入表现相对较好,下降了3%。因此,英特尔超越三星成为世界上最大的半导体芯片制造商。Gartner认为,英特尔之所以能占据榜首,是因为三星受到了内存组件疲软的打击:2023年,三星半导体芯片部门的营收从2022年的702亿美元
  • 关键字: 英特尔  三星  半导体  芯片  

2023印度手机战报:三星18%领跑、vivo17%第二、小米16.5%第三

  • 2 月 1 日消息,根据市场调查机构 Counterpoint Research 公布的最新报告,2023 年全年印度智能手机出货量为 1.52 亿部,和 2022 年持平。2023 年上半年,由于宏观经济持续动荡,导致需求低迷和库存积压,智能手机市场出现诸多挑战;2023 下半年,在升级 5G 浪潮以及电商促销活动下,印度智能手机市场开始复苏。三星三星主要得益于 Galaxy A 系列的强劲表现、积极的线下营销以及在高端市场的聚焦策略,在 2023 年以 18% 的份额领跑市场。vivovivo 重点围
  • 关键字: 印度  三星  vivo  小米  

1年利润暴跌84.9%!三星乐观 今年业绩回暖:存储涨价是开始

  • 2月1日消息,存储一哥三星2023年的日子不太好过,全年利润暴跌84.9%,确实没办法,不过他们保持乐观态度。2023年IT市场整体低迷,尤其是存储芯片价格暴跌的背景下,三星全年营收为258.94万亿韩元,同比减少14.3%;营业利润为6.57万亿韩元,同比下滑84.9%。按照三星的说法,2024年上半年业绩会回暖,其中以存储产品价格回暖最为明显,相关SSD等产品涨价不会停止,只会更猛烈。NAND芯片价格止跌回升后,目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。国内重量级NAN
  • 关键字: 存储  三星  镁光  海力士  NAND  

三星电子第四季度销售额 67.78 万亿韩元同比下降 3.81%,营业利润 2.8 万亿韩元同比下降 34.4%

  • IT之家 1 月 31 日消息,三星电子今日公布第四财季业绩:第四季度合并营业利润为 2.82 万亿韩元(IT之家备注:当前约 151.72 亿元人民币)同比下降 34.4%,销售额为 67.78 万亿韩元(当前约 3646.56 亿元人民币)同比下降 3.81%。三星电子 2023 年综合营业利润暂定为 6.567 万亿韩元,比上年同期减少 84.86%。这是自上一次金融危机(2008 年为 6.0319 万亿韩元)以来,三星电子的年度营业利润首次跌破 10 万亿韩元。相对地,三星电子全年销售
  • 关键字: 三星电子  三星  财报  

三星新设内存研发机构:建立下一代3D DRAM技术优势

  • 三星称其已经在美国硅谷开设了一个新的内存研发(R&D)机构,专注于下一代3D DRAM芯片的开发。该机构将在设备解决方案部门美国分部(DSA)的硅谷总部之下运营,由三星设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构的主管Song Jae-hyeok领导。全球最大的DRAM制造商自1993年市场份额超过东芝以来,三星在随后的30年里,一直是全球最大的DRAM制造商,市场份额要明显高于其他厂商,但仍需要不断开发新的技术、新的产品,以保持他们在这一领域的优势。三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32 Gb
  • 关键字: 三星  内存  DRAM  芯片  美光  

三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存,速率可达 3.2GB/s

  • IT之家 1 月 30 日消息,2024 年 IEEE 国际固态电路会议(ISSCC)将于 2 月 18 日至 22 日在旧金山举行,是世界学术界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议。根据会议公开内容:届时三星将展示其 GDDR7 内存以及 280 层 3D QLC NAND 闪存等技术,其中 GDDR7 IT之家此前已有相关报道,而 280 层 QLC 闪存将成为迄今为止数据密度最高的新型 NAND 闪存技术。从三星给出的主题“A 280-Layer 1Tb
  • 关键字: 三星  NAN闪存  GDDR7  

三星 Exynos 2400 芯片性能测试,光追性能力压高通骁龙 8 Gen 3

  • IT之家 1 月 26 日消息,根据 Golden Reviewer 公布的评测结果,在测试手机光线追踪性能的 3DMark Solar Bay 测试中,三星 Exynos 2400 表现最佳。根据测试结果,三星 Exynos 2400 芯片得分为  8642 分,耗电量为 9.3W;作为对比高通骁龙 8 Gen 3 芯片得分为  8601 分,耗电量为 11.7W。这表明三星 Exynos 2400 芯片在支持光线追踪的游戏上,性能最强最高效,凸显了基于 AMD RDNA
  • 关键字: 三星  SoC  Exynos 2400  

采用Corning® Gorilla® Armor,三星 Galaxy S24 Ultra开创耐用性和视觉清晰度新标准

  • 康宁,纽约州——康宁公司(纽约证券交易所代码:GLW)和三星电子有限公司于2024年1月17日宣布,三星的Galaxy S24 Ultra设备将采用康宁的新型Corning® Gorilla® Armor盖板材料。大猩猩Armor具有无与伦比的耐用性和视觉清晰度,能在阳光下提供更丰富的显示效果,并能更好地防止日常磨损造成的损坏。“康宁的大猩猩®玻璃与Galaxy S系列一起推动了创新,并在实现更高的耐用性方面取得了重大进展,”三星电子执行副总裁兼移动体验业务机械研发团队主管 Kwang
  • 关键字: Corning  三星  Galaxy S24 Ultra  视觉清晰度   
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