三星推动2纳米技术突破，业界押注台积电3纳米鳍式场效应晶体管

市场传言越来越多，称三星正在积极将资源转向 2 纳米开发，计划明年在其德克萨斯州工厂推出下一代工艺，可能试图超越台积电。然而，据半导体行业内的消息人士称， 商业时报报道，三星当前的 3 纳米 GAAFET 技术大致与竞争对手的 4 纳米鳍式场效应晶体管节点相当，这引发了对其即将到来的 2 纳米工艺可能仍不及台积电最强大的 3 纳米鳍式场效应晶体管一代的担忧。

同时，台积电继续扩展其 3 纳米工艺系列，包括 N3X、N3C 和 N3A 等不同应用变体。该报告指出，这些节点预计将仍然是主要客户的首选。

根据同一份报告，目前几乎所有旗舰智能手机 SoC 都依赖于台积电的第二代 3 纳米工艺（N3E），唯一的例外是三星的 Exynos 2500，它采用了其自家的 3 纳米 GAAFET 技术。

报告中引用的行业消息人士表示，大多数芯片制造商正在准备今年迁移到第三代 3 纳米节点（N3P）。据报道，台积电自去年底以来已开始 N3P 的大规模生产，预计 2025 年总产能将增长超过 60%。

商业时报援引 IC 设计公司的消息报道称，台积电继续提供卓越的整体芯片性能。例如，使用相同的 Arm Cortex-X925 超大型核心设计的 Dimensity 9400，达到了 3.62GHz 的时钟速度。这超过了三星 Exynos 2500 的 3.3GHz，并且发布时间大约早了四分之三。

为应对美国本土生产日益增长的客户需求，消息称台积电在亚利桑那州的第二座晶圆厂已进入加速阶段，设备搬迁计划定于2025年第三季度进行。