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据日经报道，中国领先的芯片制造商正努力在两年内将采用尖端工艺技术制造的芯片产量提高五倍，以满足国内人工智能行业的需求。鉴于中国芯片制造商无法获得美国、日本和欧洲公司的尖端工具，这一目标将尤为困难。据日经报道，日本计划将7......
阿斯麦 (ASML) 今日发布2025年度报告（以下简称“年报”）。ASML 2025年报以“携手推进技术向新”为主题，着重阐述了ASML通过技术发展推动创新的承诺——依托这些技术能够制造出性能更强大、能耗更少的芯片，......
低漏电特性使其在存储应用中极具潜力，尤其适用于无电容增益单元设计；支持低温工艺大面积沉积，这一特性对后端工艺（BEOL）集成极具吸引力；丰富的成分选择为设计人员提供了多样化方案，可按需实现特定性能 —— 氧化铟锡（ITO......
核心要点将光子集成电路与硅基芯片封装在一起虽能提升性能，但激光器仍未纳入该封装体系新型单片激光阵列可实现数百种波长输出，且每个波长均可通过软件独立调谐相关技术正加速产品化，有望推动共封装光学技术的商业化落地共封装光学（C......
核心要点背面供电技术可缓解先进制程节点的布线拥堵问题，为芯片性能提升提供多种可行方案该技术也带来了通孔对准、互连工艺等一系列新挑战前沿晶圆代工厂已取得实质性进展，均计划在 2 纳米及以下制程中推出背面供电网络（BPDN）......
先进制程节点下，污染已成为系统级的良率限制因素，且尚无简单的解决办法核心要点最先进的制程节点中，污染物的识别难度大幅提升，晶圆厂不得不重新思考污染控制的实现方式污染引发的问题可能表现为电学异常或统计性偏差，而非颗粒杂质，......
2031 年，化合物半导体衬底与开放式外延片市场规模合计预计将接近 52 亿美元，年复合增长率约为 14%。汽车电动化推动碳化硅（SiC）衬底市场发展，射频领域仍由砷化镓（GaAs）和氮化镓（GaN）主导，磷化铟（InP......
2.5D 封装正成为支撑 AI 芯片高性能需求的核心技术之一。SK 海力士准备去美国建设一个先进封装产线，计划投入 38.7 亿美元，建设一个 2.5D 封装量产线。到 2028 年下半年，正式投入运营。同时，台积电也正......
欧洲正以低调的姿态在半导体前沿制程技术领域持续发力，凭借深厚的工业基础、顶尖的科研实力和跨区域产业协作，在全球先进芯片制造的赛道中悄然构建起独树一帜的技术体系与产业布局，打破了此前先进制程由美、韩、台地区主导的格局，成为......
据韩国媒体 SEDaily 援引业内消息报道，三星电子晶圆代工业务在 2026 年第一季度的产能利用率已攀升至80% 区间，创下逾一年以来的最高水平，显著提升了该部门在年内实现季度扭亏为盈的可能性。此次复苏主要集中在三星......
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