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核心要点背面供电技术可缓解先进制程节点的布线拥堵问题,为芯片性能提升提供多种可行方案该技术也带来了通孔对准、互连工艺等一系列新挑战前沿晶圆代工厂已取得实质性进展,均计划在 2 纳米及以下制程中推出背面供电网络(BPDN)......
先进制程节点下,污染已成为系统级的良率限制因素,且尚无简单的解决办法核心要点最先进的制程节点中,污染物的识别难度大幅提升,晶圆厂不得不重新思考污染控制的实现方式污染引发的问题可能表现为电学异常或统计性偏差,而非颗粒杂质,......
2031 年,化合物半导体衬底与开放式外延片市场规模合计预计将接近 52 亿美元,年复合增长率约为 14%。汽车电动化推动碳化硅(SiC)衬底市场发展,射频领域仍由砷化镓(GaAs)和氮化镓(GaN)主导,磷化铟(InP......
2.5D 封装正成为支撑 AI 芯片高性能需求的核心技术之一。SK 海力士准备去美国建设一个先进封装产线,计划投入 38.7 亿美元,建设一个 2.5D 封装量产线。到 2028 年下半年,正式投入运营。同时,台积电也正......
欧洲正以低调的姿态在半导体前沿制程技术领域持续发力,凭借深厚的工业基础、顶尖的科研实力和跨区域产业协作,在全球先进芯片制造的赛道中悄然构建起独树一帜的技术体系与产业布局,打破了此前先进制程由美、韩、台地区主导的格局,成为......
据韩国媒体 SEDaily 援引业内消息报道,三星电子晶圆代工业务在 2026 年第一季度的产能利用率已攀升至80% 区间,创下逾一年以来的最高水平,显著提升了该部门在年内实现季度扭亏为盈的可能性。此次复苏主要集中在三星......
2 月 23 日消息,据路透社今日报道,阿斯麦(ASML)的研究人员表示,他们已找到提升关键芯片制造设备光源功率的方法,到 2030 年可将芯片产量提高多达 50%。阿斯麦极紫外(EUV)光源首席技术官迈克尔・珀维斯(M......
阿斯麦(ASML)宣布将极紫外光刻(EUV)设备的核心光源功率提升至1000 瓦,这一技术突破将直接推动先进制程芯片的生产良率提升,同时有效降低单颗芯片的制造成本,成为先进半导体制造领域的又一重要技术进展。在极紫外光刻技......
● 季度营收70.1亿美元,同比下降2%● GAAP毛利率49%,非GAAP毛利率49.1%● GAAP每股盈余2.54美元,非GAAP每股盈余2.38美元,同比分别增长75%和持平● 半导体事业部实现创......
核心要点芯粒和三维集成电路架构产生了新的热机械应力,可能影响整个系统的可靠性。随着芯粒被集成至封装中,系统内各组件的缺陷率指标要求愈发严苛。传统的技术壁垒正在被打破,设计团队不得不着手解决此前由代工厂负责的材料选择等问题......
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