韩国三星电子表示,因人工智能AI需求畅旺,内存芯片的售价因此也水涨船高,上季营业利益可望飙升约15倍,比路透社4日报导的预估值13倍还要多。这家全球最大内存芯片制造商预估,集团整体第2季营利为10.4兆韩元,约75亿美元,年增1,452.2%。同时,营收也大增23.3%,达74兆韩元。不过,三星这次并没有揭露净利数字。 4到6月这1季,是三星自2022年第3季曾创下营业利益高达10.8兆韩元以后,全集团营利再次冲高到10兆韩元以上。另外,三星第2季的营利,也比自己2023年一整年的6.5兆韩元要高出不少。
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三星 内存
什么是 GDDR7 内存?它是用于 GPU 的下一代图形内存,例如即将推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它将在未来几年内用于各种产品,为现有的 GDDR6 和 GDDR6X 解决方案提供代际升级,从而提高游戏和其他类型的工作负载的性能。但这个名字下面还有很多事情要做。自从第二代GDDR内存(用于“图形双倍数据速率”)推出以来,这种模式就非常清晰。GDDR(前身为 DDR SGRAM)早在 1998 年就问世了,每隔几年就会有新的迭代到来,拥有更高的速度和带宽。当前一代
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GDDR7 内存 图形VRAM 美光 三星
近日,据媒体报道,日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示,自2014年以来,3D NAND闪存的层数经历了显著的增长,从初期的24层迅速攀升至2022年的238层,短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度,预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。而这一规划较此前公布的时间早了近3年,据日本媒体今年4月报道,铠侠CTO宫岛英史在71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示,公司计划于2030至2031
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铠侠 3D NAND堆叠
IT之家 6 月 28 日消息,美光在业绩演示文稿中表示,其位于美国爱达荷州博伊西总部和纽约州克莱的新 DRAM 内存晶圆厂将分别于 2027、2028 财年正式投运:译文:爱达荷州晶圆厂要到 2027 财年才会带来有意义的位元供应,而纽约(州)的建设资本支出预计要到 2028 财年或更晚才会带来位元供应的增长。原文:This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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美光 内存 晶圆厂
据韩媒报导,随着AI应用热度不减,三星电子日前告知戴尔、慧与(HPE)等主要客户,将在第三季提高服务器用的DRAM和企业级NAND闪存的价格15~20%。 台系内存模块大厂闻讯分析,三星此举主要趁着第三季电子产业旺季来临前率先喊涨,以期拉抬目前略显疲软的现货价行情,但合约价实际成交价格,仍需视市场供需而定。以位产出市占率来看,2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重,分别是46.8%及32.4%,皆居全球之冠。根据外电报导指出,三星电子第二季已将供应给企业的NAND闪存价格,调
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6月25日消息,据媒体报道,SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上,重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果,展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息,SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展,并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发,并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%,这一数据意味着在单个测试晶圆上,能够成功制造出约1000个3D DRAM单元,其中超过一半(即561个)为良
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● Calibre 3DThermal 可为 3D IC 提供完整的芯片和封装内部热分析,帮助应对从芯片设计和 3D 组装的早期探索到项目 Signoff 过程中的设计与验证挑战● 新软件集成了西门子先进的设计工具,能够在整个设计流程中捕捉和分析热数据西门子数字化工业软件近日宣布推出 Calibre® 3DThermal 软件,可针对 3D
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HBM 商机稍纵即逝,需要抓紧时间。
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IT之家 6 月 18 日消息,据韩媒《韩国经济日报》报道,三星电子将于年内推出可将 HBM 内存与处理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技术。报道同时指出,在今年发布后,三星有望于明年推出的 HBM4 内存中正式应用 SAINT(IT之家注:即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的简写)-D 技术。SAINT-D 是三星电子的一项 3DIC 先进封装技术,旨在垂直集成逻辑裸片和 DRAM 内存裸片。报道
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HBM 内存 三星
就人工智能(AI)装置的硬件来看,关键的零组件共有四大块,分别是逻辑运算、内存、PCB板、以及散热组件。他们扮演着建构稳定运算处理的要角,更是使用者体验能否优化的重要辅助。而随着AI大势的来临,中国台湾业者也已做好准备,准备在这些领域上大展拳脚。逻辑组件扮枢纽 中国台湾IC设计有商机对整个AI运算来说,最关键就属于核心处理组件的部分。尽管中国台湾没有强大的CPU与GPU技术供货商,但在AI ASIC芯片设计服务与IP供应方面,则是拥有不少的业者,而且其中不乏领头羊的先进业者。在AI ASIC芯片设计方面,
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IC设计 PCB 散热 处理器 内存 AI
6月5日,美光科技宣布出样业界容量密度最高的新一代GDDR7显存。美光GDDR7采用其1β(1-beta)DRAM技术和创新架构,速率高达32Gb/s。性能上,GDDR7的系统带宽超过1.5TB/s,较GDDR6提升高达60%,并配备四个独立通道以优化工作负载,从而实现更快的响应时间、更流畅的游戏体验和更短的处理时间。与GDDR6相比,美光GDDR7的能效提升超过50%,实现了更优的散热和续航;全新的睡眠模式可将待机功耗降低高达70%。美光GDDR7还具备领先的可靠性、可用性及适用性(RAS),在不影响性
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美光 GDDR7 内存
据JEDEC(固态技术协会)消息,DDR6(包括LPDDR6)已明确会以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM内存标准。DDR6内存最低频率8800MHz,可提高至17.6GHz,理论最高可以推进至21GHz,远超DDR4和DDR5内存。CAMM2是一种全新内存标准,同样支持DDR6标准内存,也就是适用于台式PC等大型PC设备。JEDEC预计,将在今年内完成DDR6内存标准的初步草稿,1.0正式版最快也要到明年二季度,具体产品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。从LPDDR6来看,该内存产
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DDR6 内存 存储
6月2日消息,台北电脑展2024的展前主题演讲上,NVIDIA CEO黄仁勋宣布了下一代全新GPU、CPU架构,以及全新CPU+GPU二合一超级芯片,一直规划到了2027年。黄仁勋表示,NVIDIA将坚持数据中心规模、一年节奏、技术限制、一个架构的路线,也就是使用统一架构覆盖整个数据中心GPU产品线,并最新最强的制造工艺,每年更新迭代一次。NVIDIA现有的高性能GPU架构代号"Blackwell",已经投产,相关产品今年陆续上市,包括用于HPC/AI领域的B200/GB200、用于游
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NVIDIA Rubin GPU Vera CPU 3nm工艺 HBM4 内存
IT之家 5 月 30 日消息,综合台媒《工商时报》《经济日报》报道,南亚科技在昨日的年度股东常会上表示,其首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 颗粒将于明年初进入试产阶段。南亚科技目前已在进行 1B nm 制程的 DRAM 试产,涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。南亚科技表示其首批 DDR5 内存将在下半年少量试产,明年进一步提升产量。此外南亚科技还在 1B nm 节点规划了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 内存、16
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