IT之家 9 月 7 日消息，独立内存产品制造商金士顿科技公司今天宣布，根据分析公司 TrendForce （前身为 DRAMeXchange）按收入进行的最新排名显示，该公司是 2021 年全球最大内存模组供应商。金士顿以 142 亿美元的收入保持其第一的位置，占 78.7% 的市场份额。TrendForce 指出，金士顿的收入同比增长了 8%，这是金士顿连续第 19 年保持第一的位置。根据该报告，2021 年全球前五大内存模组供应商占该市场总销售额的 90%，其中金士顿占有该市场近 80%
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金士顿 内存
根据市场研究机构TrendForce最近发布的报告显示，在2022年二季度全球NAND Flash闪存市场中，三星电子与SK海力士拿下了全球52.9%的市场份额。根据数据显示，2022年二季度三星电子NAND销售额为59.8亿美元，环比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因为对英特尔NAND闪存业务收购的完成，2022年二季度销售额位36.15亿美元，环比增长12.1%，超越了铠侠，成为了全球第二大NAND闪存厂商，两家韩国厂商已经那拿下了全球NAND市场52.9%的份额。
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NAND 内存
据国外媒体报道，存储芯片市场目前的状况并不乐观，已有研究机构预计NAND闪存和DRAM的价格均在下滑，市场供过于求的状况在明年会加剧。 拥有三星电子和SK海力士这两大存储芯片巨头的韩国，是全球重要的存储芯片供应地，存储芯片价格下滑，势必会影响到韩国半导体厂商的业绩。 而韩国媒体在报道中也表示，在存储芯片市场增速放缓的情况下，存储芯片价格的下滑将使韩国半导体厂商的经营状况进一步恶化。 此外，韩国媒体在报道中还提到，存储芯片价格的下滑，还有可能影响韩国整体的出口。 韩国媒体在报道中表示，半导体在韩
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韩国 内存
专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布与ATP Electronics签订全球分销协议。ATP Electronics是专业存储和内存解决方案的知名供应商。签订协议后，贸泽将分销ATP Electronics面向工业与汽车应用的存储卡、SSD和托管NAND设备。ATP的工业固态硬盘 (SSD) 和模块具有性能可靠、响应迅速、使用寿命长的特点，适用于执行关键性任务。ATP SSD坚固耐用，可承受严苛的工作环境，并且提供多种类型的产品，包括适用
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贸泽电子 ATP Electronics 分销 存储 内存
芯研所7月15日消息，知情人士透露，全球第二大存储芯片制造商SK海力士考虑将2023年资本支出削减约四分之一至16万亿韩元（约合122亿美元），以应对电子产品需求慢于预期的局面。知情人士称，SK海力士正基本按计划推进今年支出约21万亿韩元以建设DRAM和NAND产能。芯研所采编不过，由于智能手机、服务器等各个领域的芯片需求下降的不确定性，迫使该公司重新考虑明年的扩张计划。此前据行业调研公司集邦科技的报告，今年二季度，主要存储芯片DRAM内存的平均合同价格同比下跌10.6%，为2年来首降，另一种存储芯片NA
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海力士 内存 市场
近日，长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域，以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场，将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。长江存储高级副总裁陈轶表示 ：“随着5G通信、大数据、AIoT的加速
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长江存储 3D NAND
这两年，长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘，都呈现火力全开的姿态，从技术到产品都不断推陈出新。6月23日，长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列，可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景，而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压，可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
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长江存储 3D NAND
近日，有消息称，国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初，会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商，终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片，而大规模应用也要到2023年去了。可见，国产存储芯片，在技术上确实已经追上了三星
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长江存储 3D NAND
中国芯片传来捷报，长江存储取得重大技术突破，正式打破韩国三星垄断，目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产，预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业，从成立之初就保持着高速稳定的发展状态，用短短3年的时间，接连推出了32层NAND闪存，以及64层堆栈3D NAND闪存，成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离，长江存储直接越级跳过了96层，直接进入了128层3D NAND 闪存的研发，并成功在2020年正式宣布研发成功，它是
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头一段时间，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样，预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业，从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立，2017年便推出了32层NAND闪存。2019年，推出64层堆栈3D NAND闪存，并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND 闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功，它是业内首款128层QLC规格的3D N
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长江存储 3D NAND
比利时微电子研究中心（imec）于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上。微缩化的鳍式场效晶体管（FinFET）透过这些埋入式电源轨（BPR）实现互连，性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔（nTSV）与埋入式电源轨（BPR）连接至晶圆背面，与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
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imec 晶背供电 逻辑IC 布线 3D IC
3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智能座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与专注3D ToF（飞行时间）系统领域的湃安德（pmd）合作，开发出了第二代车用REAL3™图像传感器，该传感器符合ISO26262标准，具有更高的分辨率。
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增强现实（AR）应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年，AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计，将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计，拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力，能够让操作人员更高效地开展工作，帮助公司优化复杂的流程，并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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DRAM 3D DRAM 华为 三星 美光 制程 纳米
16Gb内存版本实现行业领先的 24Gb/秒速率，是游戏玩家和内容创作者的理想之选2022年4月18日，上海—内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology， Inc.，今日宣布量产全新的 16Gb 容量 GDDR6X 内存，并已搭载于NVIDIA(英伟达) GeForce RTX 3090 Ti 显卡。新款 GDDR6X 内存为美光独有产品，容量较上一代 8Gb 版本翻了一倍，性能提升高达 15%。容量和性能的提升意味着终端用户可在游戏和内容创作等内存密集应用中体验
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