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3d 内存 文章 进入3d 内存技术社区

国内内存、闪存工厂生产正常Q1合约价小幅上涨

  • 集邦科技旗下下半导体研究中心DRAMeXchange今天发表报告,称国内的内存及闪存工厂并没有受到疫情的影响,目前没有部分或者全面停产的迹象,生产情况正常,而且Q1季度的合约价已经谈完了,预计会小幅上涨。国内的存储芯片工厂主要分为海外投资及自主国产两部分,其中海外投资的主要是无锡的SK海力士内存工厂、大连的Intel闪存工厂、西安的三星闪存工厂,这些地方都远离武汉,正常生产没有受到影响。国产的存储芯片工厂中,合肥长鑫的内存工厂、福建晋华的内存工厂也同样没受到什么影响,只有紫光旗下的长江存储是在武汉的,不过
  • 关键字: 内存,闪存  

7nm锐龙线程撕裂者很好很强大,带火单条32GB内存

  • 今年1月份内存现货价格开始被热炒,已经有涨价的苗头了,不过总体来看目前的内存价位还是不错的,8GB单条还在300内。2019年内存还有个趋势值得注意,那就是大容量单条越来越多,32GB单条就很受高玩欢迎,因为AMD去年推出的锐龙Threadripper 3000系列是很多人搭配256GB内存平台的首选。
  • 关键字: 内存  DDR4  

内存现货价狂飙 1月份以来DDR4内存涨价17%

  • 以前降价的时候一个季度也不过10%-15%的降价,最近这一个月来,内存价格已经是风云突变,1月份才过了2/3,内存价格就飘了,4Gb颗粒最高涨幅达到了17%,内存厂商的春天来了。从集邦科技发布的内存价格信息来看,8Gb颗粒的标准型DDR4内存芯片现货价已经涨到了3.5美元,1月份以来涨了10%,而4Gb DDR4颗粒现货价全面涨到2美元上以上,1月份到现在就涨了17%,涨幅比大容量产品还要高。内存涨价的动机在哪?1月初三星内存(还有闪存工厂)工厂遭遇断电问题,尽管三星官方表态影响不大,但是从那之后内存市场
  • 关键字: 三星  内存  DDR4  

豪威科技和光程研创签署合作意向书,聚焦近红外线3D传感及数码成像产品

  • 行业领先的先进数码成像解决方案的开发商豪威科技(OmniVision Technologies, Inc.)和锗硅宽带3D传感技术的领导者光程研创(Artilux Inc.)于近日联合宣布签署合作意向书,双方经过正式的商业交流及技术评估后,将在CMOS影像传感器及锗硅3D传感技术上展开合作。此合作项目的主要目的为结合豪威科技在CMOS数码成像的先进技术及市场地位,及光程研创的锗硅宽带3D传感技术,以完整的解决方案加速导入手机市场。双方亦期望能藉此合作基础,为终端客户提供更为多元弹性的产品选择,进而实现各项
  • 关键字: 3D  传感技术  

内存和存储的应用热点与解决方案

  •   Raj Talluri  (美光科技移动产品事业部 高级副总裁兼总经理)  1 内存和存储领域会出现哪些应用或技术热点  数据爆发推动了各个技术领域对内存和存储的需求,而云和移动是当前内存和存储的最大需求来源。  在移动领域,基于视频内容和游戏的需求不断增长,智能手机比以往需要更大的 DRAM , 以 支持计算摄影、面部识别、增强现实等各种功能。根据客户的需求趋势判断,美光认为2020年,智能手机的平均容量将达到5GB的DRAM和120 GB的NAND。  与此同时,5G网络的普及将刺激对DRAM和N
  • 关键字: 202002  内存  DRAM  AI  

2020年全球内存产业趋势分析

  •   张明花(集邦咨询顾问(深圳)有限公司 编辑,深圳 518000)  摘  要:预估2020年全球内存市场的年成长率仅为12.2%,这个数字在年成长动辄25%、甚至40%~50%的传统内存产业是非常低的。三星、SK海力士、美光等内存厂商2020年将以获利为主要目标,资本支出也会减少。  关键词:内存;DRAM;三星;SK海力士;美光  观察全球内存(DRAM)市场供需格局以及价格走势,在历经近5个季度的库存调整后,2019年第4季 度DRAM市场仍处于微幅供过于求状态,即便2020年 第1季度DRAM的
  • 关键字: 202002  内存  DRAM  三星  SK海力士  美光  

南亚科宣布10nm级内存完全自主开发 DDR4/LPDDR4/DDR5齐发

  • 全球DRAM内存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中,他们的份额高达95%以上,关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛,其他公司突围起来很难。南亚科之前的内存也是来自美光授权,今年他们将转向自研的10nm级内存,未来将自产DDR4/LPDDR4/DDR5等内存颗粒。在美光前两年全资收购华亚科之后,南亚科技变成了全球第四大内存厂,不过份额只有2%左右,而且技术来源也主要是美光授权,而且技术落后较多,在三星、美光、SK海力士转向1X、1Y、1Znm工艺之后,南亚的主力还是30nm等,来自美光
  • 关键字: 三星  美光  内存  

美光出样DDR5内存:1Znm工艺、性能提升85%

  • 2020年AMD、Intel即将推出的新一代CPU处理器还会支持DDR4内存,但是下一代DDR5内存已经近在眼前,2021年就会正式上市。今天美光宣布开始向客户出样最新的DDR5内存,基于1Znm工艺,性能提升了85%。与DDR4内存相比,DDR5标准性能更强,功耗更低,起步频率至少4800MHz,最高6400MHz。其它变化还有,电压从1.2V降低到1.1V,同时每通道32/40位(ECC)、总线效率提高、增加预取的Bank Group数量以改善性能等。美光现在出样的DDR5内存使用了最新的1Znm工艺
  • 关键字: 美光  内存  DDR5  

三星工厂发生意外断电:损失尚在评估、部分内存/闪存产线需3天恢复

  • 本周三,三星电子对外确认,部分半导体芯片产线临时停车,原因是1分钟的突然断电。事发地点位于三星华城工业园,波及到的多是DRAM和NAND芯片生产线。据悉,此次意外是因为当地输电线缆问题造成,预计产能完全恢复需要2~3天时间。三星在声明中称,他们正全面检查产线,全面评估受损程度。匿名消息人士透露,此次停车的损失在数百万美元左右,算不上重大。有分析人士认为,此次停车将减少三星的芯片库存,作为最大的存储芯片制造上,会否带来连锁效应尚不得而知。尤其是最新多方消息预判,明年内存、闪存、MLCC、液晶面板等诸多元器件
  • 关键字: 三星  内存  闪存  

三星闪存、内存晶圆厂遭遇停电 分析师:对清库存是重大利好

  • 在内存、闪存价格处于一个很敏感的拐点阶段,三星在韩国华城的内存及闪存工厂突然遭遇停电事故。对于这件事,大家很容易联系到之前三星、海力士、东芝、美光等存储芯片工厂遭遇的火灾、停电、跳闸等事故,不少人会心一笑。调侃归调侃,这次事件最大的问题在于三星损失多严重,对内存闪存的影响有多大。官方表示,他们正全面检查产线,全面评估受损程度。匿名消息人士透露,此次停车的损失在数百万美元左右,算不上重大,而且只要2-3天就可以恢复正常。从目前的信息来看,三星认为事件影响不大,数百万美元的损失意味着只有极少数的晶圆受到影响,
  • 关键字: 三星  内存  闪存  

新东芝存储不看好3D XPoint技术:XL-Flash更有性价比

  • 在近日召开的国际电子设备会议(IEDM)上,东芝存储发布了基于Twin BiCS技术的闪存产品,并透露了即将推出的XL-Flash技术信息,同时它表示对3D XPoint之类的堆叠类存储方案的前景并不看好。至于原因,东芝认为3D XPoint成本太高,在容量/价格比上难以匹敌3D NAND 技术,现在市面上96层堆叠的闪存已经大量涌现,可以在容量上轻松碾压3D XPoint。其实对于高端DIY玩家而言,如果追求极致速度和体验,3D XPoint是不二之选。即便是NAND SSD最强的SLC在4K随机性能、
  • 关键字: 东芝  3D XPoint  傲腾  SSD  

三星存储工厂断电停产 影响到底有多大?

  • 北京时间2020年1月1日消息,三星电子公司今天表示,在昨天下午发生大约一分钟的断电事故后,其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。三星在一份声明中表示,正在检查生产线以备重新启动,并正在评估造成的损失。需要指出的,这不是三星存储工厂第一次出现停电事。根据资料显示,在2018年3月,三星位于Pyeongtaek(平泽市)的NAND闪存工厂也曾出现过停电事故,虽然停电仅持续了半小时,但依然损坏了5000~6000片晶圆,是三星当月产量的11%,预计相当于3月份的全球供应的3.5%。事后,根据预计此次事故造成了
  • 关键字: 三星  内存  闪存  

1万亿次写入寿命 传三星1Gb eMRAM内存良率已达90%

  • 今年3月份,三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存),基于28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺,内存容量8Mb,可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。MRAM是一种非易失性存储,其前景被广泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究,读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存,当同时又是非易失性的,也就是可以断电保存数据,综合了传统内存、闪存的有点。三星量产的eMRAM内存是基于磁阻的存储,扩展性非常好,在非易失性、
  • 关键字: 三星  内存  闪存  

苹果中国官网上架DDR4 ECC内存套件:44040元

  • 有不少网友发现,苹果中国官网悄悄更新了内存套件,其中新上架的DDR4 ECC内存套件为:256GB (2×128GB) 和32GB (2×16GB) DDR4 ECC。从苹果官网给出的售价来看,256GB DDR4 ECC套件(2933MHz LR-DIMM,为两个128GB DIMM)售价为44040元,而32GB DDR4 ECC 2933MHz R-DIMM(两个16GB DIMM)售价为5872元。如果查看苹果内存套件和Mac Pro技术规格会发现,苹果根据芯片密度使用DDR4 ECC 2933M
  • 关键字: 苹果  内存  

兆易创新募资33.2亿元研发DRAM内存 最快2021年量产

  • 国内最大的NOR闪存公司兆易创新上周末发表公告,宣布向10位投资者定向募集33.2亿元资金,主要用于DRAM内存研发及产业化,最快2021年开始量产。在募资公告中,兆易创新公布了这个项目的预计实施时间及整体进度安排,具体如下:·2020年,兆易创新将启动首款DRAM芯片产品定义,包括市场定位、产品规格及芯片设计工艺。·2020年,兆易创新将定义首款芯片的生产职称,并将经过验证后的设计开展流片试样,反复修改直至通过系统验证。·2021年,对首款芯片试样进行封装测试,并送交系统芯片商进行功能认证,并最终通过客
  • 关键字: 内存  内存颗粒  
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3d 内存介绍

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