美光 宣布推出业内最高密度的抗辐射 SLC NAND 闪存。新发布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天级 NAND、NOR 和 DRAM 内存解决方案组合中的首款产品，现已实现商业化。该产品专为航空航天及其他极端严苛环境使用而设计。该产品已根据 NASA 的 PEM-INST-001 标准进行了严格的测试，包括极端温度循环、缺陷筛选和动态老化。它还基于美国军用标准 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通过了辐射耐受性验证，确保其在高辐射环境中的可靠性。这
关键字：
美光 内存 NAND
全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样（1）。该产品计划于 2025 年投入量产，旨在为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效的解决方案。此外，这款产品也将集成到铠侠的企业级固态硬盘中，特别是需要提升 AI 系统 GPU 性能的应用。为应对尖端应用市场的多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将继续推行“双轨并行
关键字：
铠侠 3D 闪存 TLC存储器 闪存 3D闪存
(图片来源：YMTC)长江存储技术有限公司（YMTC），中国领先的 NAND 存储器生产商，自 2022 年底以来一直被美国商务部列入实体清单，这基本上禁止了其获取先进制造设备。尽管面临制裁和限制，YMTC 计划今年扩大其生产能力，目标是在 2026 年底前占据 NAND 存储器生产市场的 15%，据《Digitimes》报道。该公司还计划建设一条仅使用中国制造设备的试验生产线。YMTC 将扩大产能至每月 15 万片晶圆启动据 DigiTimes 报道，预计到 2024 年底，YMTC 的月产能将达到每月
关键字：
长江存储 NAND 内存
随着英伟达以及 Meta、谷歌等云巨头加大 AI 投入，推动 HBM 需求增长，分析师警告明年可能面临价格下跌。据高盛称，经济日报报道，竞争加剧和供过于求可能导致 2026 年首次出现 HBM 价格下跌——这对市场领导者 SK hynix 构成挑战。值得注意的是，据高盛称，2026 年 HBM 价格可能下跌两位数。此外，竞争加剧以及定价权向主要客户转移（SK hynix 受影响严重）可能挤压该公司的利润空间，高盛警告称。根据高盛的预测，HBM 价格下降的趋势可能归因于主要参与者 HBM 比特供应的显著增加
关键字：
HBM 内存 海力士
从5月29日美国政府颁布对华EDA禁令到7月2日宣布解除，33天时间里中美之间的博弈从未停止，但对于EDA公司来说，左右不了的是政治禁令，真正赢得客户的还是要靠自身产品的实力。作为芯片设计最前沿的工具，EDA厂商需要深刻理解并精准把握未来芯片设计的关键。 人工智能正在渗透到整个半导体生态系统中，迫使 AI 芯片、用于创建它们的设计工具以及用于确保它们可靠工作的方法发生根本性的变化。这是一场全球性的竞赛，将在未来十年内重新定义几乎每个领域。在过去几个月美国四家EDA公司的高管聚焦了三大趋势，这些趋
关键字：
EDA 3D IC 数字孪生
根据 TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告，关于 DRAM，16Gb DDR4 消费者内存芯片的现货价格持续上涨，而 8Gb DDR4 等 PC 内存芯片则出现轻微回调。至于 NAND 闪存，供应商逐步释放产能资源，加上中国国家补贴的减弱效应，导致现货市场低迷。详情如下：DRAM 现货价格：尽管过去一周现货价格略有下降，但这主要反映了之前 DDR4 芯片价格的快速大幅上涨。整体供应仍然非常紧张。值得注意的是，16Gb DDR4 消费级 DRAM 芯片的现货价格继续上涨，而 8Gb DDR4 等
关键字：
内存 DDR4 DRAM
● 全新 Innovator3D IC 套件凭借算力、性能、合规性及数据完整性分析能力，帮助加速设计流程● Calibre 3DStress 可在设计流程的各个阶段对芯片封装交互作用进行早期分析与仿真西门子数字化工业软件日前宣布为其电子设计自动化 (EDA) 产品组合新增两大解决方案，助力半导体设计团队攻克 2.5D/3D 集成电路 (IC) 设计与制造的复杂挑战。西门
关键字：
西门子EDA 3D IC
全球新兴记忆体与储存技术市场正快速扩张，而台积电、三星、美光、英特尔等半导体巨头正与专业IP供应商合作，积极推动先进非挥发性存储器解决方案的商业化。过去两年，相变内存（PCM）、电阻式随机存取内存 （RRAM） 和 自旋转移矩磁阻式随忆式内存 （STT-MRAM） 已从实验室走向次22纳米节点的试产阶段，并运用3D堆叠技术实现高密度，以解决传统DRAM和NAND闪存在延迟、耐用性和能源效率方面的限制。在台积电、三星、美光、英特尔等业界领导者的合作下，每年超过50亿美元的研发投入加速新材料与制程的成熟。 这
关键字：
AI 内存 台积电 三星 存储技术
随着第二季即将结束，多家内存原厂已展开第三季合约报价谈判。 原厂持续执行减产、并调整产品组合，市场供需变化牵动价格走势分歧，尤以高带宽记忆体（HBM）、LPDDR4X与DDR4等关键产品为观察重点。根据TrendForce调查，2025年DRAM整体位元产出将年增约25%，但若排除HBM产品，一般型DRAM位年增幅约20%，其中，三星、SK海力士及美光三大原厂成长幅度仅15%，反映产能资源向HBM倾斜。HBM成为AI服务器核心零组件，供应持续吃紧，特别是HBM3e更面临严重短缺，推升报价动能。在一般型DR
关键字：
内存 供应链 TrendForce
美光在 2025 财年第三季度的创纪录收入是由 HBM 销售额激增近 50%推动的——而且势头仍在继续。这家美国内存巨头现在目标是到年底占据约 25%的 HBM 市场份额，正如 ZDNet 所报道的那样。虽然其乐观的展望吸引了市场关注，但焦点也集中在其全球产能扩张能否跟上。以下是美光最新制造动向的简要回顾，包括国内和海外。美国生产时间表指向2027年开始2022 年 9 月，美光公司公布了一项 150 亿美元的扩张计划，计划在其爱达荷州博伊西总部建设一个尖端研发和半导体制造设施——这是
关键字：
美光 HBM 内存
来自日本东京科学研究所 （Science Tokyo） 的一组研究人员构思了一种名为 BBCube 的创新 2.5D/3D 芯片集成方法。传统的系统级封装 （SiP） 方法，即使用焊料凸块将半导体芯片排列在二维平面 （2D） 中，具有与尺寸相关的限制，因此需要开发新型芯片集成技术。对于高性能计算，研究人员通过采用 3D 堆栈计算架构开发了一种新颖的电源技术，该架构由直接放置在动态随机存取存储器堆栈上方的处理单元组成，标志着 3D 芯片封装的重大进步。为了实现 BBCube，研究人员开发了涉及精确和高速粘合
关键字：
2.5D/3D 芯片技术 半导体封装
NewSpace 是指私营公司和初创公司将太空探索商业化，与传统太空计划相比，政府的监督通常较少。在对全球连接（直接到蜂窝）的需求不断增长的推动下，NewSpace 计划旨在将 LEO 卫星星座与物联网相结合。这些任务通常依赖于较小的卫星，从纳米卫星到 250 公斤卫星，并且任务持续时间更短，成本更低，能够部署大规模 LEO 星座。由于 LEO 的发射成本较低且辐射暴露较少，许多 NewSpace 应用可以从 COTS 组件中受益，这些组件无需传统的军事或航空航天认证即可提供强大的性能。Infineon
关键字：
英飞凌 太空 内存
近日有消息称，微信正在优化聊天记录备份的功能，支持U盘等多种存储设备。对此，微信方面回应称正在小范围测试聊天记录备份功能优化。微信表示，和当前仅支持备份到电脑相比，优化后的功能支持用户通过手机微信，将聊天记录备份到外部存储设备（如U盘、移动硬盘），且可创建及管理多份备份文件，并支持自动备份。目前，该功能更新在持续扩大测试范围。聊天记录备份的具体路径是“微信设置-通用-聊天记录与迁移-备份与恢复”，如果你的微信在该功能的灰度测试范围，那么就会看到现在备份与恢复可以选择“备份到电脑、U盘等多种存储设备”或“支
关键字：
微信 内存
根据 TrendForce 集邦咨询最新的内存现货价格趋势报告，关于 DRAM，现货市场显示，由于预期未来供应趋紧，DDR4 产品的价格相比 DDR5 产品的价格上涨幅度更大。至于 NAND 闪存，买家放慢了询价和交易的速度。详情如下：DRAM 现货价格：与合约市场的情况类似，现货市场显示，由于预期未来供应趋紧，DDR4 产品的价格与 DDR5 产品的价格相比上涨幅度更大。DDR5 产品的价格也继续逐步上涨，因为模块公司急于增加库存。TrendForce 集邦咨询相信，整体而言，现货价格在整个 2Q25
关键字：
内存 DDR4 DDR5
全球五大NAND Flash原厂同步实施减产，加上美中之间的新关税政策，带动买卖双方在90天宽限期内加速交易与出货，致使2025年第二季存储器价格，出现优于预期的反弹走势。五大NAND原厂同步减产，供给面收缩，助攻内存市场行情，根据调查，全球市占前五大NAND Flash制造商，包括三星、SK海力士、美光、铠侠与威腾，皆在2025年上半年启动减产计划，幅度在10%~15%，以调节供过于求的市场结构。此轮原厂同步减产，对存储器价格止跌回升形成支撑，加上中美贸易政策变量升高，促使业者加快在政策宽限期内完成交易
关键字：
内存
3d 内存介绍
您好，目前还没有人创建词条3d 内存!
欢迎您创建该词条，阐述对3d 内存的理解，并与今后在此搜索3d 内存的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473