IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士计划在 HBM4E 内存中集成更多功能，从而将 HBM 产业推向一个新的高度。SK 海力士正在积极探索 HBM4E 内存，尝试推出可以整合计算、高速缓存和网络存储器等多种功能的 HBM 类型，进一步提高能效和信号传输速度。IT之家援引韩媒 ETNews 报道，该方案目前依然停留在概念阶段，不过 SK 海力士已经着手设计相关 IP 朝着这个目标迈进。SK 海力士计划在 HBM 上集成内存控制器，内存控制器置于其 HBM 结构的基础芯片上，赋予第
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SK海力士 内存 HBM4E
近期，日媒报道美光科技计划在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片，美光计划投入约51亿美元。上述新厂有望于2026年动工，并安装EUV设备，最快2027年投入运营。据悉，美光曾计划该工厂能在2024年投入使用，然而由于当前市场环境的挑战和不确定性，美光调整了原定的时间表。近年日本积极出台补贴政策吸引半导体大厂赴日建厂，美光同样可以获得补贴。2023年10月，日本经济产业省正式宣布，将为美光科技在广岛工厂的存储芯片项目提供高达1920亿日元的补贴，以支持在日研发下一代芯片。
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美光 存储 内存
有报导称，三星的高频宽存储器（HBM）产品因过热和功耗过大等问题，未能通过Nvidia品质测试，三星对此否认。韩媒BusinessKorea报导称，三星表示正与多间全球合作伙伴顺利开展HBM供应测试，强调将继续合作，确保品质和可靠性。三星声明表示，“我们正与全球各合作伙伴顺利测试HBM供应，努力提高所有产品品质和可靠性，也严格测试HBM产品的品质和性能，以便为客户提供最佳解决方案。”三星近期开始量产第五代HBM产品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E设备。外媒Tom′s Har
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三星 内存 HBM
当前低功耗问题仍是业界关心重点。根据国际能源署(IEA)最近报告显示，考虑到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次请求消耗2.9Wh，每天进行90亿次搜索，每年需要额外消耗10太瓦时(TWh)的电力。从预计销售的AI服务器需求来看，到2026年，AI行业可能会呈指数级增长，消耗的电力需求至少是去年的十倍。德州仪器首席技术官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服务还转向移动和PC设备，这导致功耗激增，因此这是一个关键的讨论话题。因应市场需求，目前业界正积极致力于
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内存 存储技术
IT之家 5 月 22 日消息，在北京时间本月 21 日至 24 日举行的戴尔科技全球峰会上，SK 海力士带来了多款存储领域新品，涵盖内存、固态硬盘品类。在消费级固态硬盘领域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固态硬盘。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 规格，支持 M.2 2230/2242/2280 三种物理规格，可选 256GB~1TB 容量。限于图片分辨率，IT之家无法确认 PVC10 的具体读写性能，预计将强于此前推出的 BC901。而在企业级固态硬盘方面，SK 海力
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SK海力士 固态硬盘 内存
IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投资者会议活动上表示，美光 2025 年 HBM 内存供应谈判基本完成。美光高管代表宣称，其已与下游客户基本敲定了明年 HBM 订单的规模和价格。美光预计 HBM 内存将在其截至 2024 年 9 月的本财年中创造数亿美元量级的营收，而在 25 财年相关业务的销售额将增加到数十亿美元。美光预测，未来数年其 HBM 内存位元产能的复合年增长率将达到 50%。为了应对 HBM 领域的强劲需求，美光调升了本财年资本支出的预计规模，从 75~80 亿美
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美光 HBM 内存
IT之家 5 月 20 日消息，各位网友，你有发现现在组装一台电脑越来越贵了吗？除了 CPU 和 GPU 两个大件之外，内存和固态硬盘的价格也水涨船高，基本上所有零件都处于涨价状态。固态硬盘的价格到去年第 4 季度一直处于历史最低点，甚至连 DDR5 内存的价格似乎也已触底。然而，这一切都将在 2024 年下半年发生改变。IT之家基于 XDA 媒体观点，简要介绍如下：固态硬盘科技媒体 xda-developers 追踪观测过去 6-7 个月亚马逊平台固态硬盘价格，从 2023 年 10 月左右开
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内存 固态硬盘 存储
IT之家 5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacke
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近两年，DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡，此外在存储器市场经历低迷后，供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称，全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存，全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格上涨，预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3；而SK海力士则在去年
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联电昨（2）日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将芯片尺寸缩小逾45％，联电表示，此技术将应用于手机、物联网和AR/VR，为加速5G世代铺路，且该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。 联电表示，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题，将装置中
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5G 联电 RFSOI 3D IC
近日，晶圆代工大厂联电举行法说会，公布2024年第一季财报，合并营收546.3亿元新台币，较2023年第四季549.6亿元新台币减少0.6%，较2023年第一季542.1亿元新台币成长0.8%。第一季毛利率达30.9%，归属母公司净利104.6亿元新台币。联电共同总经理王石表示，由于电脑领域需求回升，第一季晶圆出货量较2023年第四季成长4.5%。尽管产能利用率微幅下降至65%，成本控管及营运效率提升，仍维持相对稳健获利。电源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服务器矽中介层需求推动下，特殊制程占总营收
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联电 3D IC
内存管理子系统可能是linux内核中最为复杂的一个子系统，其支持的功能需求众多，如页面映射、页面分配、页面回收、页面交换、冷热页面、紧急页面、页面碎片管理、页面缓存、页面统计等，而且对性能也有很高的要求。本文从内存管理硬件架构、地址空间划分和内存管理软件架构三个方面入手，尝试对内存管理的软硬件架构做一些宏观上的分析总结。内存管理硬件架构因为内存管理是内核最为核心的一个功能，针对内存管理性能优化，除了软件优化，硬件架构也做了很多的优化设计。下图是一个目前主流处理器上的存储器层次结构设计方案。从图中可以看出，
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Linux 内核 内存 架构
光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
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Zivid最新SDK2.12正式发布，是对我们3D视觉相机的一次绝佳更新。本次发布中，我们全新的Omni Engine有了更惊人的性能提高。Omni v2提供了更长的工作距离，速度更快，点云质量更好，特别是在透明物体上。升级要点· Omni Engine v.2我们用于捕捉透明度的最先进的3D技术已经获得了重大升级。Omni v2显著减少了与成像透明物体相关的点云伪影和错误并且可以比以前快约35%地生成这些高质量的点云。当在高端GPU上运行时，我们推荐的预设和配置的捕获时间从490毫秒减少到约315毫秒。
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Zivid 3D 机器人
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