IT之家 7 月 22 日消息，据外媒 Tomshardware 报道，中国 3D NAND 闪存制造商长江存储，日前再次将美光告上法院，在美国加州北区指控美光侵犯了长江存储的 11 项专利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。长江存储指控称，美光的 96 层（B27A）、128 层（B37R）、176 层（B47R）和 232 层（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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长江存储 NAND 美光 内存
据《ZDNet Korea》报道，三星电子存储部门新业务规划团队董事总经理Choi Jang-seok近日表示，即将推出的内存模块被指定为CMM-D2.0，将符合CXL2.0协议。这些模块将利用使用第二代20-10nm工艺技术生产的DRAM内存颗粒。除了CMM-D模块，三星还在开发一系列CXL存储产品。其中包括集成多个CMM-D模块的CMM-B内存盒模块，以及将DRAM内存与NAND闪存颗粒相结合的CMM-H混合存储模块。Choi Jang-seok强调，随着CXL3.1技术的采用，CXL内存资源可以在多
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存储 CXL 内存
7 月 13 日消息，韩媒 businesskorea 报道，英伟达、台积电和 SK 海力士将组建“三角联盟”，为迎接 AI 时代共同推进 HBM4 等下一代技术。SEMI 计划今年 9 月 4 日举办 SEMICON 活动（其影响力可以认为是半导体行业的 CES 大展），包括台积电在内的 1000 多家公司将展示最新的半导体设备和技术，促进了合作与创新。预计这次会议的主要焦点是下一代 HBM，特别是革命性的 HBM4 内存，它将开启市场的新纪元。IT之家援引该媒体报道，SK 海力士总裁 Kim Joo-
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在不同AI运算领域中，依照市场等级的需要，大致上可以分成三种，一种是作为高性能运算中心的人工智能、机器学习与图形处理的超高速运算与传输需求；一种是一般企业的AI服务器、一般计算机与笔电的演算应用；另一种是一般消费电子如手机、特殊应用装置或其它边缘运算的应用。现阶段三种等级的应用，所搭配的内存也会有所不同，等级越高内存的性能要求越高，业者要进入的门坎也越高。不过因为各类AI应用的市场需求庞大，各种内存的竞争也异常的激烈，不断地开发更新产品，降低成本，企图向上向下扩大应用，所以只有随时保持容量、速度与可靠度的
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内存是现代电子产品不可或缺的组件，随着科技的进步，内存的容量、速度、功耗等特性也不断提升，为各种应用带来了新的机遇和挑战。本文将从应用端出发，探讨各类内存的机会与挑战。动态随机存取内存（DRAM）DRAM是当前计算器系统中最常见的主存储器技术，具备高速读写和相对较低的成本。它广泛应用于PC、服务器、移动设备和游戏机中。随着人工智能和大数据应用的兴起，DRAM的需求持续增长，尤其是在需要高速数据处理和低延迟的应用场景。DRAM的主要挑战在于其挥发性和功耗问题。DRAM需要持续供电以维持数据，这限制了其在移动
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韩国三星电子表示，因人工智能AI需求畅旺，内存芯片的售价因此也水涨船高，上季营业利益可望飙升约15倍，比路透社4日报导的预估值13倍还要多。这家全球最大内存芯片制造商预估，集团整体第2季营利为10.4兆韩元，约75亿美元，年增1,452.2%。同时，营收也大增23.3%，达74兆韩元。不过，三星这次并没有揭露净利数字。 4到6月这1季，是三星自2022年第3季曾创下营业利益高达10.8兆韩元以后，全集团营利再次冲高到10兆韩元以上。另外，三星第2季的营利，也比自己2023年一整年的6.5兆韩元要高出不少。
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什么是 GDDR7 内存？它是用于 GPU 的下一代图形内存，例如即将推出的 Nvidia Blackwell RTX 50 系列。它将在未来几年内用于各种产品，为现有的 GDDR6 和 GDDR6X 解决方案提供代际升级，从而提高游戏和其他类型的工作负载的性能。但这个名字下面还有很多事情要做。自从第二代GDDR内存（用于“图形双倍数据速率”）推出以来，这种模式就非常清晰。GDDR（前身为 DDR SGRAM）早在 1998 年就问世了，每隔几年就会有新的迭代到来，拥有更高的速度和带宽。当前一代
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近日，据媒体报道，日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示，自2014年以来，3D NAND闪存的层数经历了显著的增长，从初期的24层迅速攀升至2022年的238层，短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度，预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。而这一规划较此前公布的时间早了近3年，据日本媒体今年4月报道，铠侠CTO宫岛英史在71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，公司计划于2030至2031
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IT之家 6 月 28 日消息，美光在业绩演示文稿中表示，其位于美国爱达荷州博伊西总部和纽约州克莱的新 DRAM 内存晶圆厂将分别于 2027、2028 财年正式投运：译文：爱达荷州晶圆厂要到 2027 财年才会带来有意义的位元供应，而纽约（州）的建设资本支出预计要到 2028 财年或更晚才会带来位元供应的增长。原文：This Idaho fab will not contribute to meaningful bit supply until fiscal 2027 and the New
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据韩媒报导，随着AI应用热度不减，三星电子日前告知戴尔、慧与（HPE）等主要客户，将在第三季提高服务器用的DRAM和企业级NAND闪存的价格15～20％。 台系内存模块大厂闻讯分析，三星此举主要趁着第三季电子产业旺季来临前率先喊涨，以期拉抬目前略显疲软的现货价行情，但合约价实际成交价格，仍需视市场供需而定。以位产出市占率来看，2023年三星于全球DRAM及NAND Flash比重，分别是46.8％及32.4％，皆居全球之冠。根据外电报导指出，三星电子第二季已将供应给企业的NAND闪存价格，调
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三星 内存
6月25日消息，据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展，并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3D DRAM单元，其中超过一半（即561个）为良
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● Calibre 3DThermal 可为 3D IC 提供完整的芯片和封装内部热分析，帮助应对从芯片设计和 3D 组装的早期探索到项目 Signoff 过程中的设计与验证挑战● 新软件集成了西门子先进的设计工具，能够在整个设计流程中捕捉和分析热数据西门子数字化工业软件近日宣布推出 Calibre® 3DThermal 软件，可针对 3D
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HBM 商机稍纵即逝，需要抓紧时间。
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IT之家 6 月 18 日消息，据韩媒《韩国经济日报》报道，三星电子将于年内推出可将 HBM 内存与处理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技术。报道同时指出，在今年发布后，三星有望于明年推出的 HBM4 内存中正式应用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的简写）-D 技术。SAINT-D 是三星电子的一项 3DIC 先进封装技术，旨在垂直集成逻辑裸片和 DRAM 内存裸片。报道
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