在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
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3D DRAM
据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨询
TrendForce集邦咨询针对403震后各半导体厂动态更新，由于本次地震大多晶圆代工厂都位属在震度四级的区域，加上台湾地区的半导体工厂多以高规格兴建，内部的减震措施都是世界顶尖水平，多半可以减震1至2级。以本次的震度来看，几乎都是停机检查后，迅速复工进行，纵使有因为紧急停机或地震损坏炉管，导致在线晶圆破片或是毁损报废，但由于目前成熟制程厂区产能利用率平均皆在50~80%，故损失大多可以在复工后迅速将产能补齐，产能损耗算是影响轻微。DRAM方面，以位于新北的南亚科（Nanya）Fab3A，以及美光（Mic
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3 月 20 日消息，本周二在美国加州圣何塞举办的媒体吹风会上，英伟达首席执行官黄仁勋表示：“HBM 内存不仅生产难度高，而且成本非常高，我们在 HBM 上可谓是一掷千金”。黄仁勋将 HBM 称为“技术奇迹”（technological miracle），相比较传统 DRAM，不仅可以提高数据中心的性能，功耗方面明显更低。在本次吹风会之前，网络上有不少消息称英伟达会从三星采购 HBM3 或 HBM3E 等内存，而在本次吹风会上，黄仁勋正面表示：“三星是一家非常非常优秀的公司”（Samsung is a v
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3 月 20 日消息，三星电子 DS（设备解决方案）部门负责人庆桂显（Kye Hyun Kyung）在今日的三星电子股东大会上宣布，三星电子计划今年底明年初推出采用 LPDDR 内存的 AI 芯片 Mach-1。庆桂显表示，Mach-1 芯片已完成基于 FPGA 的技术验证，正处于 SoC 设计阶段。该 AI 芯片将于今年底完成制造过程，明年初推出基于其的 AI 系统。韩媒 Sedaily 报道指，Mach-1 芯片基于非传统结构，可将片外内存与计算芯片间的瓶颈降低至现有 AI 芯片的 1/8。此外，该芯
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三星 AI 芯片 LPDDR 内存
服务器作为网络的节点，存储、处理网络上80％的数据、信息，被称为互联网的灵魂。它不仅是一个简单的机器，更像是一个精密的工程，由多个关键组件相互配合，以实现高效的数据处理和存储。01 什么是服务器服务器是在网络中为其他客户机提供服务的高性能计算机：具有高速的CPU运算能力，能够长时间的可靠运行，有强大的I/O外部数据吞吐能力以及更好的扩展性。服务器的内部结构与普通计算机内部结构类似（CPU、硬盘、内存、系统总线等）。服务器Server：间接服务于多人；个人计算机PC：直接服务于个人。02 服务器的
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大家好，我是蜗牛兄。本文主要介绍DDR常用的三种频率，以及梳理内存频率是怎样提升的。可能这篇文章对于电路设计用处不大，但多了解一点总是没坏处的。图1 文章框图通过下面这张表，我们一起来了解一下内存DDR的频率。图2 内存频率表格从表中可以看出内存有三种频率，分别是核心频率，工作频率和等效频率。而我们平时所说的频率就是等效频率。从表格中我们可以得出以下信息：1、核心频率，指真正读写内存颗粒的频率，它是固定不变的，一般是133，166，和200MHz三类，这个频率提升很难。2、工作频率，DDR工作频率是颗粒核
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全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位，并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为人工智能（AI）解决方案赋能。HBM3E：推动人工智能革命随着人工智能需求的持续激增，内存解决方案对于满足工作负载需求
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2024 年 3 月 1 日，中国上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 内存和 UFS 4.0 移动闪存助力荣耀最新款旗舰智能手机荣耀 Magic6 Pro 提供端侧人工智能体验。该手机支持 70 亿参数的大语言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），开创了端侧生成式人工智能新时代。荣耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大语言模型为核心，在美光内存和存储的加持下，实现了升级版预测性和
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从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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冯·诺依曼架构将继续存在，但人工智能需要新的架构，3D 结构需要新的测试工具。
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三星称其已经在美国硅谷开设了一个新的内存研发（R&D）机构，专注于下一代3D DRAM芯片的开发。该机构将在设备解决方案部门美国分部（DSA）的硅谷总部之下运营，由三星设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构的主管Song Jae-hyeok领导。全球最大的DRAM制造商自1993年市场份额超过东芝以来，三星在随后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市场份额要明显高于其他厂商，但仍需要不断开发新的技术、新的产品，以保持他们在这一领域的优势。三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32 Gb
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1. 电源 DDR的电源可以分为三类：a主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以PCB设计时，如果有一个完整的电源平
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华邦电子新年展望——技术发展不可阻挡，内存市场趋稳求进
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