- 三星电子宣布已开发出其首款
7.5Gbps（千兆字节每秒）低功耗压缩附加内存模组（LPCAMM）形态规格，这有望改变个人计算机和笔记本电脑的 DRAM（动态随机存取存储器）
市场，甚至改变数据中心的DRAM市场。三星的突破性研发成果已在英特尔平台上完成了系统验证。三星LPCAMM内存模组结构示意图截至目前，个人计算机和笔记本电脑都在使用传统的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的
So-DIMM（小型双重内嵌式内存模组）。然而受结构限制，LPDDR需要被直接安装在设备的主板上，导致其在维修
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三星 LPCAMM 内存 内存模组
- IT之家 9 月 12 日消息，根据韩国 The Elec 报道，三星电子和 SK 海力士两家公司加速推进 12 层 HBM 内存量产。生成式 AI 的爆火带动英伟达加速卡的需求之外，也带动了对高容量存储器（HBM）的需求。HBM 堆叠的层数越多，处理数据的能力就越强，目前主流 HBM 堆叠 8 层，而下一代 12 层也即将开始量产。报道称 HBM 堆叠目前主要使用正使用热压粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工艺，而最新消息称三星和 SK 海力士正在推进名为混合键合（Hybrid Bonding
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三星 海力士 内存
- 这两年，DRAM内存芯片、NAND闪存芯片都需求疲软，导致价格持续处于地位，内存、SSD硬盘产品也越来越便宜。不过，这种好日子似乎要结束了。根据集邦咨询最新研究报告，预计在2024年，内存、闪存原厂仍然会延续减产策略，尤其是亏损严重的闪存，但与此同时，至少在2024年上半年，消费电子市场需求仍不明朗，服务器需求相对疲弱。由于内存、闪存市场在2023年已经处于低谷，价格也来到相对低点，因此 预计在2024年，内存、闪存芯片的市场需求将分别大涨13.0％、16.0％，相比今年高出大约6.5个、5.0
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内存 闪存
- 近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在 8 月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还
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V-NAND 闪存 3D NAND
- 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐，向三维发展，以提高单位面积的存储单元数量。（NAND指“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。）l 这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
- 由于各大企业对布局AI领域的兴趣激增，同时，SK海力士在用于生成式AI领域的高带宽存储器（HBM）DRAM方面处于市场领先地位，其二季度用于AI领域的高性能DRAM销售增长强劲，对高端DRAM的需求增长了一倍多。继英伟达之后，全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3，包括AMD、微软和亚马逊等等。
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- MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印机主板方案，该方案主控 MCU LPC5528 是一颗 Cortex-M33 内核的高性能 MCU，主频达到 150MHz，拥有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多个 Timer，多路 PWM，多种通信接口，支持 16 位的 ADC，资源丰富。 该方案支持 3.5 寸触摸屏显示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盘传输打印资料给打印机，支持 5 轴电机控制，支
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3D 打印机 NXP LPC5528
- 中国上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 将于 7 月 11-13 日在上海国家会展中心举办的 2023中国（上海）机器视觉展 (Vision China) 展示最新产品和解决方案。欢迎各位莅临 5.1A101 展位了解先进的 3D 解决方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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Teledyne Vision China 3D AI成像
- 2022年9月底，Intel宣布彻底终结Optane傲腾业务，包括SSD固态硬盘、PMem持久内存两大产品线，但是现在，傲腾内存还要再挣扎一下。Intel原计划在今年9月30日之后停止出货傲腾持久内存100系列，但是现在，Intel将截止期限延长到了12月29日，多供货3个月。同时，Intel建议客户，按照0.44％的年故障率备足存货，以备不时之需。不过，Intel并未解释延长出货期限的原因，不知道是客户仍有需求，还是库存太多清不完？傲腾持久内存的地位介于传统DIMM内存、傲腾SSD之间，将数据比特保存在
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英特尔 Intel 傲腾 SSD PMem 内存
- 5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向
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3D NAND
- 计算机关闭时，RAM 中存储的信息会丢失，而长期存储设备（SSD 或 HDD）中的数据会保留。
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RAM 内存
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