前言人工智能/机器学习（AI/ML）改变了一切，影响着每个行业并触动着每个人的生
活。人工智能正在推动从5G到物联网等一系列技术市场的惊人发展。从2012年到
2019年，人工智能训练集增长了30万倍，每3.43个月翻一番，这就是最有力的证
明。支持这一发展速度需要的远不止摩尔定律所能实现的改进，摩尔定律在任何情况下都在放缓，这就要求人工智能计算机硬件和软件的各个方面都需要不断的快速改进。从2012年至今，训练能力增长了30万倍内存带宽将成为人工智能持续增长的关键焦点领域之一。以先进的驾驶员辅助系
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ADAS ML DRAM 内存
今年我国迎来了5G手机爆发之年。相信很多消费者也在考虑是否去换一部5G手机。但是他们也是有顾虑的：5G是什么？5G手机到底能干啥？另外，一些5G手机中出现了一个新名词——LPDDR5内存，是怎么回事？
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内存 LPDDR5
自Digitimes的最新报道称，包括三星电子在内的主要芯片厂商积压了多达四个月的DRAM和NAND库存。积压的原因要归咎于需求疲软，数据中心顶不上，消费级同样惨淡，当然，都是被疫情“拖累”了。虽然因返校季的到来，已经进入传统旺季时间，可如果不降价就企图消化如此多的库存、回笼资金，并不现实。这也呼应了此前宇瞻总经理张家騉的判断，他当时表示，DRAM和NAND存储芯片供过于求的局面将一直持续到明年上半年。考虑到NVIDIA刚刚发布RTX 30系显卡、Intel发布Tiger Lake 11代酷睿处理器以及A
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内存 SSD
据国外媒体报道，本月中旬，三星展示了他们的3D芯片封装技术，而外媒最新的报道显示，三星已加快了这一技术的部署。外媒是援引行业观察人士透露的消息，报道三星在加快3D芯片封装技术的部署的。加快部署，是因为三星寻求明年开始同台积电在先进芯片的封装方面展开竞争。从外媒的报道来看，三星的3D芯片封装技术名为“eXtended-Cube” ，简称“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已经能用于7nm制程工艺。三星的3D芯片封装技术，是一种利用垂直电气连接而不是电线的封装解决方案，允许多层超薄叠加，利用直通硅通孔技术来
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三星 3D 芯片 封装 台积电
据台湾媒体报道，三星电子成功研发3D晶圆封装技术“X-Cube”，称这种垂直堆叠的封装方法，可用于7纳米制程，能提高该公司晶圆代工能力。图片来自三星电子官方三星的3D IC封装技术X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、简称TSV)，能让速度和能源效益大幅提升，以协助解决次世代应用严苛的表现需求，如5G、人工智能(AI)、高效能运算、行动和穿戴设备等。三星晶圆代工市场策略的资深副总裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技术，确保TSV在先进的极紫外光(EUV)制程节
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三星 3D 晶圆 封装
考虑装机DIY的用户们，可以稍安勿躁，好消息拍马赶到。来自Digitimes的最新报道称，业内消息显示，存储类芯片产品的价格将在今年第四季度环比下跌10%，注意，这包括但不限于DRAM和NAND。DRAM就是DDR内存芯片，NAND就是闪存芯片，换言之，内存条、SSD的价格将进一步松动。此次价格下探的原因在于库存挤压，这与上半年疫情的因素影响有关。由于四季度是传统的出货旺季，包括覆盖感恩节、圣诞节、双11、双12等购物狂欢活动，厂商和渠道商们寄望于借此来快速消化库存，回笼资金。事实上，上周，宇瞻总经理张家
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内存 SSD 存储芯片
最近一段时间，内存条的价格降了不少。这一点据说主要是因为中国一些厂商，例如合肥长鑫现在也能够造存储芯片了，毕竟这种东西以前的确是真正的高科技，中国在这方面一直无法取得突破。发达国家的几个公司能够垄断这个存储芯片的生产，所以价格自然定得很高，最有名的就是三星了。记得三星某一年其他的产业上亏损了不少，但是他拆东墙补西墙，把存储这一块的价格往上涨了不少，结果那一年三星成功的扭亏为盈。三星能够如此厉害的掌控整个世界的存储产业，就是因为它在这个产业上几乎占有绝对垄断的地位。某一天他想在存储上赚钱了，他就找一些理由，
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内存 三星
作为计算机内存发展的重要里程碑，JEDEC固态技术协会发布了下一个主流内存标准DDR5 SDRAM的最终规范。DDR5是DDR标准的最新迭代，DDR5再次扩展了DDR内存的功能，将峰值内存速度提高了一倍，同时也大大增加了内存容量。基于新标准的硬件预计将于2021年推出，先从服务器层面开始采用，之后再逐步推广到消费者PC和其他设备。外媒anandtech报道，和之前的每一次DDR迭代一样，DDR5的主要关注点再次放在提高内存密度以及速度上。JEDEC希望将这两方面都提高一倍，最高内存速度将达到6.4Gbps
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PC DDR5 内存
去年下半年开始，使用 LPDDR5 内存的手机陆续发布。虽然用于电脑的 DDR5 内存与用于手机的 LPDDR5 并不相同，但这也让许多 DIY 玩家期待 DDR5 内存的到来，那么它今天真的来了。JEDEC
固态技术协会最初计划在 2018 年公布 DDR5 SDRAM
最终规范，但是很显然跳票了。两年后的今天，新规范正式公布，同时各大内存厂商也表示基于新规范的内存产品最快年内就能进行量产，不过一开始会用在服务器上，后来才是家用
PC 以及其他设备。本次的新标准主要提升了内存密度和频率，其中
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DDR5 内存
无论CPU处理器、GPU显卡、内存，超频一般都是提升频率，而十铨科技(Team Group)玩了一把特殊的，超内存的读写速度。在十铨科技的帮助下，超频高手LeeGH搭建了一套Intel酷睿i9-9940X 14核心处理器、华硕ROG Rampage VI Extreme Encore(X299)主板组成的平台，使用四根十铨科技的T-Force Xtreem ARGB DDR4-3200(三星颗粒)，组成四通道配置。最
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DDR4 内存 十铨科技
从原子的物理世界到0和1的数字世界，3D视觉“感知智能”技术是第一座桥梁。我国放量增长的工业级、消" />
传统机器人只有“手”，只能在固定好的点位上完成既定操作，而新一轮人工智能技术大大推动了机器和人的协作，这也对机器人的灵活性有了更高要求。要想像人一样测量、抓取、移动和避让物体，机器人首先需要对周边世界的距离、形状、厚薄有高精度的感知，而3D视觉芯片可以引导机器人完成上述复杂的自主动作，它相当于机器人的”眼睛”和”大脑”。近日，中科融合感知智能研究院（苏州工业园区）有限公司（以下简称中科融合）的全球首颗高精度3D-AI双引擎SOC芯片，已经在国内一家芯片代工厂进入最终流片阶段。这颗芯片将和中科融合已经进入批
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3D-AI 双引擎 SOC MEMS
微电子半导体解决方案全球供应商Melexis 近日宣布推出 MLX90395 Triaxis® 磁力计节点，这是一款汽车级 (AEC-Q100) 单片传感器 IC，可利用霍尔效应提供三维无接触式传感功能。MLX90395 双裸片版本可实现冗余，适用于要求苛刻的场景，例如汽车应用中的变速换档杆位置传感。MLX90395 的功能通过系统处理器定义，而不是硬连线到器件本身。就位置传感的适用性而言，该产品几乎不受任何范围限制。MLX90395 提供 I2C 和 SPI 两种接口，可轻松在汽车或工业控制环境中集成。
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IC 3D
6月6日，长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行，合肥长鑫与苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约，一致同意支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设。2019年国内存储芯片取得了两个突破——长江存储的3D闪存、合肥长鑫的DRAM内存双双量产，其中内存国产化的意义更重要一些，毕竟这个市场主要就是美日两大阵营主导，门槛太高。合肥长鑫的12英寸内存项目总计投资高达1500亿，去年底量产了1Xnm级别（具体大概是19nm）的内存芯片，可以供应DDR4
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国产 DRAM 内存 合肥长鑫
根据市场研究公司Omdia最新的一份报告显示,全球对DRAM生产设施的投资额预计将较上年同期减少13.3%,至178亿美元;NAND闪存方面投资将达267亿美元,降幅为5.8%。全球芯片制造商预计今年将削减对于生产设施的投资,就如2019年应对严重供应过剩的市场环境一般。不过,Omdia也在报告中指出,2021年内存市场的投资额可能会回升,包括DRAM设施投资预计增长20.8%,至215亿美元;NAND闪存投资增长6.2%,至283亿美元。对此,一位业内人士表示,“考虑到内存投资在下跌周期下跌,在上涨周期
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芯片制造商 内存
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