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3d 内存 文章 最新资讯

手机厂商大行3D 视觉技术,屏下指纹识别解锁或成“覆面系”福音?

  • 自iPhoneX在智能手机中首次搭载3DSensing以来,其2018年发布的iPhoneXR、iPhoneXS、iPhoneXSMax均采用3Dsensing。3Dimaging&sensing市场规模将从2016年的13亿美元增长至2022年的90亿美元,CAGR达到37.3%,2022年3D成像设备有望超过10亿个。诚然,消费者的需求已经非常明显,他们不但想要差异化强个性化足的产品,而且还希望拥有提升体验效率的表现。图片来源:http://software.it168.com如何解决“覆面系
  • 关键字: 3D 视觉技术  屏下指纹识别  

内存和存储的应用热点与解决方案探析

  • 1 内存和存储领域的应用和技术热点数据爆发推动了各个技术领域对内存和存储的需求,而云和移动是当前内存和存储的最大的需求来源。在移动领域,基于视频内容和游戏的需求不断增长,智能手机比以往需要更大的DRAM,以支持计算摄影、面部识别、增强现实等各种功能。根据客户的需求趋势判断,美光认为2020年,智能手机的平均容量将达到5GB的DRAM和120GB的 NAND。与此同时,5G网络的普及将刺激对DRAM和NAND 闪存的更多需求。用户可以在几秒钟内下载整部电影,在没有网络延迟的情况下观看360度的全景内容和虚拟
  • 关键字: 内存  存储  

凭借BiCS5 3D NAND技术,西部数据进一步增强其存储领域领导优势

  • 西部数据公司近日宣布已成功开发第五代3D NAND技术——BiCS5,继续为行业提供先进的闪存技术来巩固其业界领先地位。BiCS5基于TLC和QLC技术构建而成,以有竞争力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在车联网、移动设备和人工智能等相关数据呈现指数级增长的当下,BiCS5成为了理想的选择。基于512 Gb的 BiCS5 TLC,西部数据目前已成功在消费级产品实现量产出货。预计到2020下半年,BiCS5将投入大规模量产。西部数据将推出一系列容量可选的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC,其中包括
  • 关键字: 需补数据  3D  

美光交付全球首款量产应用于高端智能手机市场的低功耗DDR5 DRAM 芯片

  • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布已交付全球首款量产的低功耗DDR5 DRAM 芯片,并将率先搭载于即将上市的小米10智能手机。作为小米的内存技术合作伙伴,美光所供应的 LPDDR5 DRAM芯片将带来更低的功耗和更快的数据读取速度,以满足消费者对于智能手机中人工智能 (AI)和 5G 功能日益增长的需求。“美光推出业界首款应用于智能手机的低功耗 DDR5 DRAM芯片,将加速 5G 
  • 关键字: 芯片  内存  

要涨价吗?内存、闪存上游成交价持续上涨

  • 半导体行业因为种种原因,非常容易收到外来因素的影响。近日根据调查数据显示,在刚过去的1月份,内存和闪存芯片在上游的交易价均有一定幅度的上涨。其中,8Gb(1GB)DDR4-2133 PC内存内存环比上涨1.07%,均价来到2.84美元,128Gb MLC闪存颗粒价格环比上涨3.17%,均价来到4.56美元。
  • 关键字: 内存  闪存  

都是颗粒 为什么SSD有寿命、内存却没有?

  • 随着技术的发展,我们使用的存储器也各种各样,虽然都基于芯片颗粒,但表现截然不同,比如说读写次数限制,或者叫寿命,SSD固态硬盘就有限制,DRAM内存却没有。按照分布位置的不同,DRAM内存属于内部存储器,紧挨着CPU处理器,用来临时存放后者需要的运算数据,并与外部存储器进行交换,起到桥梁的作用。DRAM内存的特点是读写速度快、延迟低,但属于易失性存储,也就是一旦断电,数据就会全部丢失。DRAM内存颗粒利用晶体管加电容来保存数据,而且只是临时存储数据,并没有实质性的写入,不涉及对物理单元结构、属性的改变,所
  • 关键字: 内存  固态硬盘  

国内内存、闪存工厂生产正常Q1合约价小幅上涨

  • 集邦科技旗下下半导体研究中心DRAMeXchange今天发表报告,称国内的内存及闪存工厂并没有受到疫情的影响,目前没有部分或者全面停产的迹象,生产情况正常,而且Q1季度的合约价已经谈完了,预计会小幅上涨。国内的存储芯片工厂主要分为海外投资及自主国产两部分,其中海外投资的主要是无锡的SK海力士内存工厂、大连的Intel闪存工厂、西安的三星闪存工厂,这些地方都远离武汉,正常生产没有受到影响。国产的存储芯片工厂中,合肥长鑫的内存工厂、福建晋华的内存工厂也同样没受到什么影响,只有紫光旗下的长江存储是在武汉的,不过
  • 关键字: 内存,闪存  

7nm锐龙线程撕裂者很好很强大,带火单条32GB内存

  • 今年1月份内存现货价格开始被热炒,已经有涨价的苗头了,不过总体来看目前的内存价位还是不错的,8GB单条还在300内。2019年内存还有个趋势值得注意,那就是大容量单条越来越多,32GB单条就很受高玩欢迎,因为AMD去年推出的锐龙Threadripper 3000系列是很多人搭配256GB内存平台的首选。
  • 关键字: 内存  DDR4  

内存现货价狂飙 1月份以来DDR4内存涨价17%

  • 以前降价的时候一个季度也不过10%-15%的降价,最近这一个月来,内存价格已经是风云突变,1月份才过了2/3,内存价格就飘了,4Gb颗粒最高涨幅达到了17%,内存厂商的春天来了。从集邦科技发布的内存价格信息来看,8Gb颗粒的标准型DDR4内存芯片现货价已经涨到了3.5美元,1月份以来涨了10%,而4Gb DDR4颗粒现货价全面涨到2美元上以上,1月份到现在就涨了17%,涨幅比大容量产品还要高。内存涨价的动机在哪?1月初三星内存(还有闪存工厂)工厂遭遇断电问题,尽管三星官方表态影响不大,但是从那之后内存市场
  • 关键字: 三星  内存  DDR4  

豪威科技和光程研创签署合作意向书,聚焦近红外线3D传感及数码成像产品

  • 行业领先的先进数码成像解决方案的开发商豪威科技(OmniVision Technologies, Inc.)和锗硅宽带3D传感技术的领导者光程研创(Artilux Inc.)于近日联合宣布签署合作意向书,双方经过正式的商业交流及技术评估后,将在CMOS影像传感器及锗硅3D传感技术上展开合作。此合作项目的主要目的为结合豪威科技在CMOS数码成像的先进技术及市场地位,及光程研创的锗硅宽带3D传感技术,以完整的解决方案加速导入手机市场。双方亦期望能藉此合作基础,为终端客户提供更为多元弹性的产品选择,进而实现各项
  • 关键字: 3D  传感技术  

内存和存储的应用热点与解决方案

  •   Raj Talluri  (美光科技移动产品事业部 高级副总裁兼总经理)  1 内存和存储领域会出现哪些应用或技术热点  数据爆发推动了各个技术领域对内存和存储的需求,而云和移动是当前内存和存储的最大需求来源。  在移动领域,基于视频内容和游戏的需求不断增长,智能手机比以往需要更大的 DRAM , 以 支持计算摄影、面部识别、增强现实等各种功能。根据客户的需求趋势判断,美光认为2020年,智能手机的平均容量将达到5GB的DRAM和120 GB的NAND。  与此同时,5G网络的普及将刺激对DRAM和N
  • 关键字: 202002  内存  DRAM  AI  

2020年全球内存产业趋势分析

  •   张明花(集邦咨询顾问(深圳)有限公司 编辑,深圳 518000)  摘  要:预估2020年全球内存市场的年成长率仅为12.2%,这个数字在年成长动辄25%、甚至40%~50%的传统内存产业是非常低的。三星、SK海力士、美光等内存厂商2020年将以获利为主要目标,资本支出也会减少。  关键词:内存;DRAM;三星;SK海力士;美光  观察全球内存(DRAM)市场供需格局以及价格走势,在历经近5个季度的库存调整后,2019年第4季 度DRAM市场仍处于微幅供过于求状态,即便2020年 第1季度DRAM的
  • 关键字: 202002  内存  DRAM  三星  SK海力士  美光  

南亚科宣布10nm级内存完全自主开发 DDR4/LPDDR4/DDR5齐发

  • 全球DRAM内存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中,他们的份额高达95%以上,关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛,其他公司突围起来很难。南亚科之前的内存也是来自美光授权,今年他们将转向自研的10nm级内存,未来将自产DDR4/LPDDR4/DDR5等内存颗粒。在美光前两年全资收购华亚科之后,南亚科技变成了全球第四大内存厂,不过份额只有2%左右,而且技术来源也主要是美光授权,而且技术落后较多,在三星、美光、SK海力士转向1X、1Y、1Znm工艺之后,南亚的主力还是30nm等,来自美光
  • 关键字: 三星  美光  内存  

美光出样DDR5内存:1Znm工艺、性能提升85%

  • 2020年AMD、Intel即将推出的新一代CPU处理器还会支持DDR4内存,但是下一代DDR5内存已经近在眼前,2021年就会正式上市。今天美光宣布开始向客户出样最新的DDR5内存,基于1Znm工艺,性能提升了85%。与DDR4内存相比,DDR5标准性能更强,功耗更低,起步频率至少4800MHz,最高6400MHz。其它变化还有,电压从1.2V降低到1.1V,同时每通道32/40位(ECC)、总线效率提高、增加预取的Bank Group数量以改善性能等。美光现在出样的DDR5内存使用了最新的1Znm工艺
  • 关键字: 美光  内存  DDR5  

三星工厂发生意外断电:损失尚在评估、部分内存/闪存产线需3天恢复

  • 本周三,三星电子对外确认,部分半导体芯片产线临时停车,原因是1分钟的突然断电。事发地点位于三星华城工业园,波及到的多是DRAM和NAND芯片生产线。据悉,此次意外是因为当地输电线缆问题造成,预计产能完全恢复需要2~3天时间。三星在声明中称,他们正全面检查产线,全面评估受损程度。匿名消息人士透露,此次停车的损失在数百万美元左右,算不上重大。有分析人士认为,此次停车将减少三星的芯片库存,作为最大的存储芯片制造上,会否带来连锁效应尚不得而知。尤其是最新多方消息预判,明年内存、闪存、MLCC、液晶面板等诸多元器件
  • 关键字: 三星  内存  闪存  
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3d 内存介绍

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