头一段时间，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样，预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业，从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立，2017年便推出了32层NAND闪存。2019年，推出64层堆栈3D NAND闪存，并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND 闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功，它是业内首款128层QLC规格的3D N
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长江存储 3D NAND
比利时微电子研究中心（imec）于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上。微缩化的鳍式场效晶体管（FinFET）透过这些埋入式电源轨（BPR）实现互连，性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔（nTSV）与埋入式电源轨（BPR）连接至晶圆背面，与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
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imec 晶背供电 逻辑IC 布线 3D IC
3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智能座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与专注3D ToF（飞行时间）系统领域的湃安德（pmd）合作，开发出了第二代车用REAL3™图像传感器，该传感器符合ISO26262标准，具有更高的分辨率。
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3D 图像传感器
增强现实（AR）应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年，AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计，将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计，拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力，能够让操作人员更高效地开展工作，帮助公司优化复杂的流程，并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度传感
5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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DRAM 3D DRAM 华为 三星 美光 制程 纳米
16Gb内存版本实现行业领先的 24Gb/秒速率，是游戏玩家和内容创作者的理想之选2022年4月18日，上海—内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology， Inc.，今日宣布量产全新的 16Gb 容量 GDDR6X 内存，并已搭载于NVIDIA(英伟达) GeForce RTX 3090 Ti 显卡。新款 GDDR6X 内存为美光独有产品，容量较上一代 8Gb 版本翻了一倍，性能提升高达 15%。容量和性能的提升意味着终端用户可在游戏和内容创作等内存密集应用中体验
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GDDR6X GDDR6 美光 内存
DDR5内存的标准起步频率只有4800MHz，而潜力显然是无限的。此前华硕、芝奇合作先后超到了8888MHz、9560MHz，现在终于突破了10000MHz！ 这也是内存频率第一次达到五位数字，进入了10GHz+时代。 达成这一成就的是Kovan Yang领衔的微星超频团队成员，使用了一条金士顿的Fury Beast DDR5，搭配微星Z690 UNIFY-X主板，成功运行在了5001.8MHz的基础频率，等效于DDR5-10004。 为了如此之高的频率，内存时序也放宽到了史无前例的72-126
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DDR5 内存
经常关注我们三易生活的朋友可能还记得，对于5G手机来说高速的内存和闪存非常重要。一方面，这是因为网速的增加使得在线视频、大型手游的品质可以越做越高，对手机的IO吞吐性能提出了更高要求；另外一方面，根据国际电联的要求，5G时代的最终目标是达到20Gbps的网络带宽，这就意味着手机至少也得具备与之相应的内存和闪存读写速度，才有可能充分发挥高速网络的优势。正因如此，自2019年秋季国内市场5G正式商用以来，各上游厂商都在快速迭代手机的内存、闪存技术标准。例如，2019年秋季的骁龙855+，使用的还是LPDDR4
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内存 RAM LPDDR
12代酷睿诞生以来，除开CPU本身，最受关注的莫过于在先进协议上的革命，其一是全面支持PCIe5.0协议，为下一代的显卡和存储器提供了普及接口；其二便是全面引入新一代的DDR5内存协议，打破了多年来内存产品性能和体验的“停滞不前”，引发新一轮的内存浪潮。关于前者，鉴于尚未出现消费级PCIe5.0相关产品，在此略过。今天，重点聊聊被誉为“内存行业革命”的DDR5内存。关于DDR5内存，大多数用户的直观感受便是频率的提升，即由DDR4内存2133MHz起步频率，倍增至4800MHz，甚至根据最新消息DDR5内
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DDR5 内存 PCIe5.0
当人们在75年前使用宝丽来 (Polaroid ) 相机拍摄出世界上第一张实时成像照片时，便是一项以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界画面的创举。时至今日，人工智能 (AI) 研究人员反将此作法倒转过来，亦即在几秒钟内将一组静态影像变成数字 3D 场景。 NVIDIA Research 透过人工智能，在一瞬间将 2D 平面照片变成 3D 立体场景这项称为逆向渲染 (inverse rendering) 的过程，利用 AI 来预估光线在真实世界中的表现，让研究人员能利用从不同角度拍摄的少量 2D
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3D CPU GPU NVIDIA
TMAG5170UEVM 是一个易于使用的平台，用于评估 TMAG5170 的主要特性和性能。此评估模块 (EVM) 包含图形用户界面
(GUI)，用于读取和写入寄存器以及查看和保存测量结果。还包括一个 3D 打印旋转和推送模块，用于通过单个器件测试角度测量和按钮的常用功能。特性· GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果· 3D 打印旋转和推送模块· 可分离式 EVM 适用于定制用例· 方便通过常见的 micro-USB 连接器充电
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精密数模转换器 霍尔效应传感器 3D
手机制造商们发现了为旗舰和中端智能手机提供优异性能的美光低功耗（LP）DDR5 DRAM。
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LPDDR5 内存
2021年7月28日，JEDEC 固态技术协会于发布了关于 LPDDR5 内存芯片的最新标准，标准号 JESD209-5B。新版标准针对目前已经应用的 LPDDR5 内存提供了新的规格，提高了性能，降低了功耗以及增强了兼容性。此外，还包含下一代 LPDDR5X 内存标准。新标准表示，LPDDR5/LPDDR5X 旨在提高内存速率和效率，适用于 5G 智能手机等产品。具体来看：（1）LPDDR5X 将实现最高 8533 Mbps 的速率；（2）信号 TX/RX 发射或接收需要有更高的完整性；（3）新增 Ad
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LPDDR5 LPDDR5X 内存
LPDDR5即Low Power Double Data Rate 5，全新低功耗内存标准。
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LPDDR5 内存
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